説明

新光電気工業株式会社により出願された特許

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【課題】半導体パッケージ基板相互に接続してPOP構造を形成するに際して、各半導体パッケージ基板の接続端子相互を確実に半田接続可能とし、電気的接続信頼性を格段に向上することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1において、モールド樹脂層7の各ビア6から露出されている各半田ボール5の上端部は、銅製支持板10のエッチング除去の際に、モールド樹脂層7の樹脂残渣等が残存しない清浄な状態に保持されており、これにより各半田ボール5の濡れ性を向上してパッケージ基板13の各半田ボール14との接続が確実に行われるとともに、半導体装置1とパッケージ基板13との電気的接続信頼性が格段に向上される。 (もっと読む)


【課題】溝部内の傾斜面の空気界面で光路を変換させる光導波路の製造方法において、十分な機械的強度が得られると共に、信頼性の高い光路変換用の傾斜面を得ること。
【解決手段】基板10の上に、第1クラッド層20を形成する工程と、第1クラッド層20の上にコア層22を形成する工程と、コア層22を厚み方向に加工することにより、光路変換傾斜面Sを備えた溝部22xを形成する工程と、第1クラッド層20及びコア層22の上に、光路変換傾斜面Sの上に光路変換ホールLHが配置された第2クラッド層24を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】高い品質の半導体素子(チップ)を歩留り良く生産すること。
【解決手段】先ず、アブレーション作用を有するレーザにより、ダイシング領域に沿って積層膜2の部分のみに溝GVを形成する。次いで、溝GVが形成されている側の面に保護シート3を貼り付け、該保護シートが貼り付けられた当該ウエハの裏面を研削した後、ウエハW1の裏面側から半導体基板1Aに対して透過性を有する波長のレーザ光を上記ダイシング領域に沿って照射し、該基板の内部に改質層MLを形成する。さらに、ウエハW1の裏面にシート部材4を貼り付け、保護シート3を除去後、シート部材4を拡張することによって当該ウエハを個々のチップ10Cに分割する。 (もっと読む)


【課題】複数の発光素子を狭ピッチで精度よく積層できる発光装置を提供する。
【解決手段】底部10と、底部10の両端にそれぞれ立設する側壁部12a,12bと、底部10の奥端に立設する後壁部14とを備えて内側にキャビティCが設けられ、絶縁層20で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品5と、パッケージ部品5の後壁部14の内側面に実装され、上側端部に光出射面Aを備えた発光素子50とを含む発光素子実装部品6が、同一方向を向いてキャビティCの奥行き方向に積層されている。 (もっと読む)


【課題】支持体上に半導体チップを配置する際に精度良く位置合わせできるとともに、微細な配線を形成可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本半導体パッケージの製造方法は、支持体の一の面に、位置合わせマークを形成する第1工程と、前記位置合わせマークにより位置合わせした半導体チップを、回路形成面が前記一の面と対向し、かつ、前記位置合わせマークを覆うように、前記支持体上に配置する第2工程と、前記支持体上に配置された前記半導体チップを封止する樹脂部を形成する第3工程と、前記支持体を除去する第4工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】反りを防止できるとともに、剛性の確保が可能な電子部品パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品パッケージ10は、支持体50と、支持体上に配置された電子部品20と、支持体上に、電子部品20を覆うように形成された樹脂部30と、樹脂部上に形成されており、電子部品20と電気的に接続された配線構造40と、を有する。 (もっと読む)


【課題】配線パターンの微細化が可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ10は、一方の面30aに凹部30xが形成された支持体30と、回路形成面20aが一方の面30a側に露出するように凹部30xに収容された半導体チップ20と、半導体チップ20の回路形成面20a上及び支持体30の一方の面30a上に形成された、半導体チップ20と電気的に接続される配線層42,44,46を含む配線構造体40と、を有し、支持体30の一方の面30aを含む部分の材料は、シリコン又は硼珪酸ガラスである。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと、半導体チップの主面上に形成される配線構造体との間の位置ずれを低減可能な半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面に複数の基準マーク転写部が形成された支持体を作製する第1工程と、前記一方の面に、回路形成面が前記一方の面と対向するように半導体チップ20を配置する第2工程と、前記一方の面に、半導体チップ20及び前記複数の基準マーク転写部を被覆する封止樹脂30を形成し、封止樹脂30の前記支持体と接する主面に前記複数の基準マーク転写部を転写して複数の基準マークを形成する第3工程と、前記支持体を除去し、前記回路形成面と、前記主面とを露出させる第4工程と、前記回路形成面上及び前記主面上に、前記複数の基準マークを基に半導体チップ20と電気的に接続される配線層を含む配線構造体を形成する第5工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】配線密度を向上させることのできる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、第1配線層33と、第1配線層33の上に形成された第1絶縁層36と、第1絶縁層36の上に形成された第2配線層38と、第2配線層38の上に形成された第2絶縁層39と、絶縁層36,39の厚み方向に貫通して充填され、第1配線層33のランドL1に接続されるビア40とを有している。第2配線層38は、ビア40の径よりも小さい径の接続部38Aによってビア40と接続されている。また、ビア40は、その上面がパッド5として第2絶縁層39から露出されている。 (もっと読む)


【課題】配線基板において位置精度の高い穴部を形成する。
【解決手段】配線層23と樹脂層24とが積層され、電子部品搭載用の穴部30が設けられた配線基板20の製造方法であって、配線層23に形成された開口部25を有する開口パターン26をマスクとして、開口部25に対応する樹脂層24を除去し、樹脂層24に開口部28を形成する。これにより、開口部25および開口部28を有する穴部を形成する。 (もっと読む)


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