【課題】セミアディティブ法により平滑な絶縁樹脂層の上に微細な配線層を密着性よく形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁樹脂層４０の上に、第１カップリング剤層１８に第１銅・錫合金層１６及び銅層１２が順に配置された積層体を得る工程と、銅層１２の上にシード層５２を形成する工程と、開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２をシード層５２の上に形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト３２の開口部３２ａに金属めっき層５４を形成する工程と、めっきレジスト３２を除去する工程と、金属めっき層５４をマスクにしてシード層５２から第１銅・錫合金層１６までエッチングすることにより、第１カップリング剤層１８の上に第１配線層５０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】貫通電極が設けられた電子部品用パッケージにおいて、キャビティを設けても貫通電極の十分なコプラナリティが得られるパッケージを提供する。
【解決手段】スルーホールＴＨが設けられた第１シリコン基板１０ａと、第１シリコン基板１０ａの上下面及びスルーホールＴＨの内面に形成された絶縁層１４と、スルーホールＴＨ内に充填された貫通電極１８とを含み、貫通電極１８の上面と絶縁層１４の上面とが面一であるパッケージ基板部１１と、中央部に上面から下面まで貫通する開口部ＴＰを備えた第２シリコン基板２０ａから形成され、パッケージ基板部１１の周縁部に絶縁層１４を介して積層されて、第１シリコン基板１０ａの上にキャビティＣを構成する枠部２３とを含み、貫通電極１８は枠部２３の開口部ＴＰ内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の微細化・高密度化されたビアや配線を高精度で形成する。
【解決手段】支持基板１の一方の面側に半導体チップ２ａ，２ｂを配置し、その支持基板１を他方の面側から研削し、研削した支持基板１を絶縁膜として用い、そこにフォトリソグラフィ技術を用いてビアホール６を形成する。その後、ビアホール６に導電材料を埋め込んでビアを形成し、さらにその上層にビアに接続される配線を形成していく。支持基板１の平坦な表面を露光時の表面とすることにより、高精度でビアホール６を形成し、そこにビアを形成することが可能になる。また、その支持基板１の上層には高精度で配線を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂と半導体素子搭載面となる絶縁層やソルダーレジスト層との間の濡れ性を調整し、アンダーフィル樹脂を充填する時にアンダーフィル樹脂にボイド等発生しないような配線基板を得る。
【解決手段】支持体（２０）の表面に粗化処理を施して、粗化面に配線層（２５）を形成し、支持体の粗化面と配線層上に誘電体層（２３、２５）を積層し、このように構成した中間体から支持体を除去し、配線基板を得る。 （もっと読む）

【課題】電子部品と配線基板本体との間をワイヤボンディングで電気的に接続した電子部品搭載多層配線基板においても、電子部品の内蔵を可能とし且つ基板の薄肉化を達成する。
【解決手段】電子部品（３４）と、電子部品を収容する第１の開口部（１６、２６）を有するコア材層（１０）と、該コア材層の一方の面に積層され且つ前記第１の開口部より大きい第２の開口部（２０）を有する樹脂層（１８）と、前記コア材層の他方の面に積層され且つ前記電子部品を支持する支持層（３０）と、前記第１の開口部の周囲で且つ第２の開口部の内側の前記コア材層の前記一方の面上に配置された複数の接続用導体部（１４ｂ）と、前記電子部品と該接続用導体部との間を電気的に接続するボンディングワイヤ（３８）と、前記電子部品及び前記ボンディングワイヤを封止するべく前記第１及び第２の開口部内に充填された封止樹脂（４０）と、により構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤとの接続信頼性を向上させることのできるリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、半導体素子２１が搭載されるダイパッド３と、そのダイパッド３の周囲に複数配置されたインナーリード７と、そのインナーリード７と一体的に構成されるアウターリード８とを含む基板フレーム２を有している。封止樹脂２３によって封止される領域であって、少なくともボンディングワイヤ２２が接続される部分の基板フレーム２上、つまりインナーリード７上には４層のめっき１５Ａが施されている。この４層のめっき１５Ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層１１と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層１２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第３めっき層１３と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第４めっき層１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】幅方向の撓みが少ないリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、第１の方向に沿って延びる側縁部に形成されたレール部１１，１２と、レール部と直交する第２の方向に沿ってレール部から延出された複数のセクションバー１７、１８と、複数のセクションバーに沿って連接された複数の単位リードフレーム２０と、を備え、複数のセクションバーのうちの少なくとも１つは、半抜き加工によって形成された第２の方向に沿って延びるリブ３２を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが複数積層され、外部接続端子を仲介基板上に有する半導体装置において、半導体チップと仲介基板との接続信頼性を向上しかつコストダウンを図る構造体を提供する。
【解決手段】第１貫通電極群をもつ第１半導体チップと：第２貫通電極群と接続端子群とを有し、この端子群が第１半導体チップの裏面側の第１貫通電極群に対向、電気導通し、積層された第２半導体チップと：接続端子群と；第３貫通電極群と；接続端子群とは反対の側の面上の再配線層４４と；該再配線層４４のある面上に該再配線層４４と電気的導通を有し形成された、配置の最小ピッチが第２貫通電極群のそれより長い対仲介基板接続端子６１群と；を有し、積層された仲介基板１００とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成された複数の電極パッドに確実に接触させることが可能なプローブカードを提供すること。
【解決手段】プローブカード４０の基板本体５１には、第１の主面５１ａと第２の主面５１ｂとの間を貫通する貫通孔５２が形成されている。貫通孔５２の第１の収容部５２ａ内には弾性体５６が形成され、第２の収容部５２ｂ内には、貫通電極５４が形成されている。弾性体５６の表面には配線５５により貫通電極５４と接続される配線５７が形成されている。配線５７の先端は、弾性体５６の下面略中央に配置されている。そして、配線５７の先端下面には、検査対象物１０の電極パッド１１と対応する位置に、その電極パッド１１と電気的に接続される接触用バンプ４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】伝熱性及び放熱性に優れた放熱部品、及びそれを有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本放熱部品は、銅を主成分とする基材と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う電気アルミニウムめっき層と、前記電気アルミニウムめっき層の表面の一部が陽極酸化されたアルマイト層と、を有する。 （もっと読む）