【課題】 発光効率の向上を図ると共に色ムラを抑制する。
【解決手段】 出光面２ａから光を出射する半導体発光素子２と、半導体発光素子から出射された光が入射され半導体発光素子の出光面に対向して位置された入射面４と、入射面から入射された光を外部へ出射する出射面５と、入射面と出射面の間に位置する外周面６とを有する波長変換層３とを備え、波長変換層の外周部の少なくとも一部が外周面側に凸の突状部３ａとして設けられ、突状部の外周面が入射面に連続する第１の傾斜部６ａと出射面に連続する第２の傾斜部６ｂとを有し、波長変換層の外周面に入射面から入射された光を反射する光反射層が設けられ、光反射層に第１の傾斜部に接する第１の反射面７ａと第２の傾斜部に接する第２の反射面７ｂとが形成された。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く放熱性の良い放熱用部品、並びに、前記放熱用部品を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本放熱用部品１は、凹部１０ｘ、及び外面と前記凹部１０ｘの底面とを繋ぐ第１の貫通孔１０ｙを有する放熱板１０と、前記凹部１０ｘの底面に林立するように形成された線状の熱伝導性物質と、前記線状の熱伝導性物質の先端部を覆うとともに、前記凹部１０ｘが形成されている凹部１０ｘ形成面の少なくとも一部に延在し、前記凹部１０ｘの底面に対向する面の反対面に前記半導体素子と接触する半導体素子接触領域を有する金属層２２と、を備え、前記反対面の垂直方向から視て、前記金属層２２の前記半導体素子接触領域の外側には、前記反対面と前記凹部１０ｘの底面に対向する面とを繋ぐ第２の貫通孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板本体に設けられた半導体素子搭載用パッドと半導体素子との間の接続信頼性を向上させた配線基板を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載用パッド２１と、半導体素子搭載用パッド２１が設けられる絶縁層２２と、半導体素子搭載領域Ａとを有する配線基板本体１１と、絶縁層２２の面２２Ａに接着され、半導体素子搭載領域Ａを露出する半導体素子搭載用貫通部１２Ａを有するスティフナー１２と、を備えた配線基板であって、スティフナー１２の側壁の一部に、スティフナー１２を厚さ方向に貫通して前記側壁から半導体素子搭載用貫通部１２Ａ側に向かって窪み、半導体素子搭載領域Ａよりも外側に位置する部分の絶縁層２２の面２２Ａを露出する切り欠き部４１を配線基板本体１１の各辺に対応するスティフナー１２の各側壁に少なくとも１つずつ設け、平面視において、各切り欠き部４１の長手方向の一辺を、半導体素子搭載領域Ａの一辺と対向させた。 （もっと読む）

【課題】めっき層を構成する材料にかかわらず、複数のめっき層を積層する際に、特殊な処置を行わなくてもめっき層同士の密着性を確保することができる配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本配線基板の製造方法は、支持体上に、複数のめっき層が積層されてなるパッドを形成するパッド形成工程と、前記支持体上に前記パッドを被覆する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記支持体を除去し、前記絶縁層の支持体除去面から前記パッドの一部を露出する支持体除去工程と、を有し、前記パッド形成工程において、あるめっき層の表面を粗化面とした後、前記粗化面上に次層のめっき層を積層する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率の低下を抑制しつつも、配線の狭ピッチ化に対応することができる基板、発光装置及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１は、複数の外部接続用の電極１１と放熱板１２を有する第１リードフレーム１０と、発光素子搭載用の第１配線２１及び第２配線２２を有し、第１リードフレーム１０上に積層された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０との間に充填された樹脂層３０と、を有している。放熱板１２の上方に第１配線２１が配置され、電極１１と第２配線２２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】装置全体の小型化及び製造工程の簡素化を図りつつも、優れた放熱効果を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１０と、その配線基板１０上に実装された半導体素子２０と、半導体素子２０と熱的に接続された放熱板３０と、前記放熱板３０と熱的に接続されたヒートシンク４０とを有する。放熱板３０には、溝部３４を有する取付部３３が、放熱板３０を平面視した状態で、放熱板３０の中心点Ｃ１に対して同心円となる円周上に複数形成されている。また、ヒートシンク４０には、溝部３４内に沿って移動される突出部４４を有する取付部４３が、ヒートシンク４０を平面視した状態で、ヒートシンク４０の中心点Ｃ２に対して同心円となる円周上に複数形成されている。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解銅めっき浴は、銅水溶性塩、錯化剤、還元剤、緩衝剤及び添加物を含む無電解銅めっき浴において、前記錯化剤がヒドロキシカルボン酸系錯化剤であり、前記還元剤がアスコルビン酸系還元剤であり、前記緩衝剤がｐＨ緩衝剤であり、前記添加物が含窒素複素環化合物である、無電解銅めっき浴である。
【効果】
本発明の無電解銅めっき液は、ｐＨ３〜８で無電解銅めっきが可能であり、めっき浴が十分な浴安定性を示し、得られる金属銅析出皮膜が十分な厚さでありかつ非常に密着性が良好であり、さらに析出膜の結晶性が非常に微細、緻密かつ均質であるという優れた性質を持つ。これらの性質により、強アルカリ性や強酸性に弱い被めっき材料（例えばエポキシやポリアミド、アルミナなど）に、非常に緻密かつ均質な金属銅皮膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】剛性を高めることのできる配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｐ１上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成された複数の配線パターン３０とを有する。また、配線基板１は、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成され、配線パターン３０を被覆するとともに、隣接する配線パターン３０の一部を実装領域ＣＡとして露出する開口部５０Ｘを有する絶縁層５０と、基板１０の開口部５０Ｘの形成された領域よりも外側の領域に形成され、基板１０が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの接続信頼性を向上することのできる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】表面２１ａと背面２１ｂを有する感光性絶縁材２１と、表面２１ａに設けられ、表面２１ａの一部を露出する開口部２５ａを有する補強材２５と、表面に接続端子２６を有し、接続端子２６を向けて表面２１ａに向けて開口部２５ａ内に配置されたチップ２７と、チップ２７および補強材２５を覆うように表面２１ａに設けられたモールド樹脂２９と、感光性絶縁材２１に形成され、接続端子２６に通ずる貫通穴３０と、貫通穴３０に形成され、接続端子２６と電気的に接続されたビア３１と、背面２１ｂに設けられ、ビア３１と電気的に接続された配線層３２を有する配線構造３８と、を備える半導体パッケージ。
【選択図】図１２
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【課題】電気的接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ３は、第１主面３０Ａと第２主面３０Ｂとの間を貫通する貫通孔３０Ｘを有する半導体基板３０と、半導体基板３０の第２主面３０Ｂを覆うように形成され、貫通孔３０Ｘと対向する位置に開口部３１Ｘが形成された絶縁層３１と、絶縁膜３３によって覆われた貫通孔３０Ｘ及び開口部３１Ｘに形成された貫通電極３２とを有する。絶縁層３１から露出される貫通電極３２の上端面は、当該半導体チップ３に他の半導体チップ４が積層される際のパッドになる。また、貫通電極３２の上端面は、絶縁層３１の半導体基板３０と接する面と反対側の面と面一になるように形成されている。 （もっと読む）