【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）が良好であり、さらに上層のホトレジスト膜におけるスカムの発生を抑制することができる、反射防止膜形成用熱酸発生剤、反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた反射防止膜の提供。
【解決手段】熱酸発生剤として下記式（１）を使用した反射防止膜。ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基を示し、Ｒ^２は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、Ｒ^３は水素原子、又はアルキル基を示し、Ｙ⁻は非求核性対向イオンを表す。
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【課題】パターン倒れを抑制でき、且つ、パターン形状やＬＷＲ、ＥＬマージン等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数５以上の脂環式基であり、Ｘは２価の連結基であり、Ｙは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
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【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状の向上や、パターン倒れの抑制を達成できるレジスト組成物の、クエンチャーとして有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｃ１）で表される化合物［Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数５以上の脂環式基であり、Ｘは２価の連結基であり、Ｙは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
［化１］
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【課題】対象物を強固に接着して支持しつつ、支持体を対象物から容易に分離することができる積層体およびその積層体の分離方法を提供する。
【解決手段】積層体１は、赤外線透過性の支持体１２と、上記支持体１２によって支持されている基板１１と、上記支持体１２と上記基板１１とを貼り合わせている接着層１４と、上記支持体１２における上記基板１１が貼り合わされている側の表面に設けられており、赤外線吸収性の構造を有する化合物１５によって形成されている分離層とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^Ｎは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり；Ｘ^０は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の２価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状若しくは環状の部分構造を有する２価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり；Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
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【課題】レジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、新規な高分子化合物、及び該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ０）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ０）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ａは２価の連結基であり、Ｒ^１は水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の炭化水素基である］。[化１]
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【課題】レジスト膜上に、リソグラフィー特性を損なうことなく被覆膜を形成できるレジスト被覆膜形成用材料、および該レジスト被覆膜形成用材料を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）が有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト被覆膜形成用材料であって、前記樹脂成分（Ａ）が、アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ）を７５〜１００モル％の割合で有する樹脂成分（ただし下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有するものを除く。）であり、前記有機溶剤（Ｓ）が、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤およびアルコール系溶剤からなる群から選択される少なくとも１種の有機溶剤（Ｓ１）を含有することを特徴とするレジスト被覆膜形成用材料。
［化１］
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【課題】ブロックコポリマーの相分離構造の形成を迅速かつ簡便に制御することにより、高分子ナノ構造体を備える基板を製造し得る方法の提供。
【解決手段】複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーとカーボンナノチューブとを混合することを特徴とする、ブロックコポリマーの相分離構造の形成方法、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーの溶液にカーボンナノチューブを混合し、混合溶液を調製する工程と、調製された混合溶液を、基板表面に塗布することにより、ブロックコポリマーの相分離構造を有する層を形成する工程と、前記層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程と、を有することを特徴とする、高分子ナノ構造体を表面に備える基板の製造方法、並びに当該製造方法により製造された高分子ナノ構造体を表面に備える基板。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を防ぎつつ、安定的に基板を洗浄することができる洗浄装置および基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持膜が接着されている基板を洗浄する洗浄装置１００であって、上記支持膜の上記基板が接着されている側の面における、基板が接着されていない露出面に、当該露出面側から紫外線を照射する紫外線照射ユニット１０と、上記紫外線が照射された支持膜に接着されている上記基板を洗浄する洗浄ユニット２０とを備える。 （もっと読む）