説明

レジスト組成物、レジストパターン形成方法

【課題】パターン倒れを抑制でき、且つ、パターン形状やLWR、ELマージン等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、下記一般式(c1)で表される化合物(C1)を含む含窒素有機化合物成分(C)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(ただし、前記化合物(C1)を除く)を含有することを特徴とするレジスト組成物[Rは置換基を有していてもよい炭素数5以上の脂環式基であり、Xは2価の連結基であり、Yは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Mは有機カチオンである。]。
[化1]


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、
下記一般式(c1)で表される化合物(C1)を含む含窒素有機化合物成分(C)、及び
露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(ただし、前記化合物(C1)を除く)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[Rは置換基を有していてもよい炭素数5以上の脂環式基であり、Xは2価の連結基であり、Yは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Mは有機カチオンである。]
【請求項2】
前記基材成分(A)が、酸の作用により極性が増大する基材成分(A0)である請求項1に記載のレジスト組成物。
【請求項3】
前記基材成分(A0)が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を含有する請求項2に記載のレジスト組成物。
【請求項4】
前記酸発生剤成分(B)が、下記式(BI)で表されるアニオン部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【化2】

[式(BI)中、R”は、置換基として下記式(BI−I)を有するアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基である]
【化3】

[式(BI−I)中、Qは酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していても良い炭素数3〜30の炭化水素基である。]
【請求項5】
前記含窒素有機化合物成分(C)が、さらに、前記化合物(C1)に該当しない含窒素有機化合物成分(C2)を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開2012−123208(P2012−123208A)
【公開日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−274073(P2010−274073)
【出願日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】