説明

DOWAホールディングス株式会社により出願された特許

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【課題】有機ハロゲン化合物を効率よく分解できる分解剤を得て,有機ハロゲン化合物で汚染された土壌や地下水の浄化に貢献する。
【解決手段】粒内に貫通孔をもつポーラスな鉄を主成分とする粒子の表層部に銅が部分的に分布し,鉄と銅の両者が表面に顕れている粒子からなる粉状の有機ハロゲン化合物分解剤を提供する。また、50重量%が150μmのふるいを通過する粒度を有し且つ比表面積が500cm2/g以上である鉄粉と銅塩水溶液とを流動下で接触させることにより該鉄粉の表面に金属銅を部分的に析出させ,鉄と銅の両者が表面に顕れている粒子を液から分離することからなる有機ハロゲン化合物分解剤の製造法を提供する。 (もっと読む)


【課題】河川、湖沼等における緑化を推進しうる水生植物の植栽が容易であり、水質浄化に優れ、かつ環境的にも優れた水生植物植栽用基盤、並びに緑化並びに水質浄化に有用であり、かつ環境的にも優れ、その施工も容易な水中固定用水生植物基盤を提供すること。
【解決手段】本発明の水生植物植栽用基盤は、木材破砕物と、鉄含有セラミックス多孔体と、接着剤とを含むマット状のものであって、鉄含有セラミックス多孔体の含有割合が、前記基盤が水中に沈降しうる特定の比重となる割合であることを特徴とし、本発明の水中固定用水性植物基盤は、上記水生植物植栽用基盤に、水生植物又はその苗木を植栽したものであって、河川、湖沼の底に載置して使用できる。 (もっと読む)


【課題】金属−絶縁体複合部材による回路基板を得るにあたり、エッチング加工負荷およびレジスト工程負荷の軽減を図り、寸法精度の向上や回路間隔の細小化を図ると共に汎用性のある回路形成方法とその製品を提供する。
【解決手段】セラミックス絶縁板3とアルミニウム板等の金属層4A、4Bからなる複合部材2の一方の金属層4Aの不要部分(回路間隙構成部分)を主としてミリング加工によって除去する。その際、基板の反りによるクラックの発生を抑制するため、底部に金属残層4Aaを残し、この分をエッチング加工により除去するのが好ましい。前記ミリング加工は金属層表面にエッチングレジスト薄膜層5を施した後に行なう。2段階にミリング加工を行なうことにより、回路側面部の底部に段差をつけて縁部に構成し、外部応力の軽減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 石綿(アスベスト類)やロックウールを用いて製作された各種の建材や構造物を使用中の現位置で、或いはそれらの廃材を、作業性よく且つ安全に無害化する処理液を得る。
【解決手段】 水と、フッ化アルミニウムと、無機酸とを含んだ、石綿またはロックウール含有物質の無害化処理液であって、フッ化アルミニウムがAlF3 換算で5質量%を超えない量で液中に溶けており、無機酸の濃度が6 mol/L以下である該無害化処理液である。 (もっと読む)


【課題】酸化処理によってカーボンナノチューブ中の不純物やカーボンナノチューブのエンドキャップを除去することができるとともに、酸化処理によって生じたカーボンナノチューブの欠陥を修復することができる、カーボンナノチューブおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アーク放電により生成したカーボンナノチューブを含む煤を大気中において加熱する第1の酸化処理を行った後、酸に浸して処理する第1の酸処理を行い、大気中において第1の酸化処理の温度以上の温度で加熱する第2の酸化処理を行った後、酸に浸して処理する第2の酸処理を行うことにより、単層カーボンナノチューブ中の不純物や単層カーボンナノチューブの両端のエンドキャップを除去し、その後、真空中において加熱する真空加熱処理を行うことにより、酸化処理で生じた単層カーボンナノチューブの欠陥を修復する。 (もっと読む)


【課題】 少ない工程で金属回路の周縁部に所望のフィレットを形成して低コストで高信頼性の金属−セラミックス接合基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板10に活性金属含有ろう材12を塗布して金属部材14を接合した後に、金属部材14の表面の所定の部分にレジスト16を塗布して不要部分をエッチングし、レジスト16を除去した後、活性金属含有ろう材12の活性金属以外の金属により形成された金属層12bの不要部分を薬剤によりエッチングして除去し、金属部材14のエッチングと金属層12bのエッチングを抑制し且つ活性金属含有ろう材12の活性金属およびその化合物により形成された活性金属層12aを選択的にエッチングする薬剤により、不要な活性金属層12aを選択的にエッチングして除去してセラミックス基板10上に金属回路を形成し、この金属回路を化学研磨して金属回路の周縁部にフィレットを形成する。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブの特性を損なわずに、カーボンナノチューブの欠陥を簡単且つ確実に評価することができる、カーボンナノチューブの評価方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブをエタノールなどの溶媒に入れて超音波で分散させ、このカーボンナノチューブを含む溶媒を金属基板にエアブラシなどで吹き付けた後に乾燥させることによって、金属基板に固定されたカーボンナノチューブに、HやDなどの気体を吸着させた後、昇温させて昇温脱離スペクトルを測定し、得られた昇温脱離スペクトルのピーク温度やピーク形状に基づいて、カーボンナノチューブの欠陥を判断する。 (もっと読む)


【課題】高強度を維持しながら、通常の曲げ加工性だけでなくノッチング後の曲げ加工性にも優れ、且つ耐応力緩和特性に優れた安価な銅合金板材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅合金板材は、15〜37質量%のZnを含み、残部がCuおよび不可避不純物である組成を有し、銅合金板材の板面における{420}結晶面のX線回折強度をI{420}とし、純銅標準粉末の{420}結晶面のX線回折強度をI{420}とすると、I{420}/I{420}>0.8を満たし、銅合金板材の板面における{220}結晶面のX線回折強度をI{220}とし、純銅標準粉末の{220}結晶面のX線回折強度をI{220}とすると、1.0≦I{220}/I{220}≦3.5を満たす結晶配向を有する。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板10の上に第1バッファー層30を形成する第1バッファー層形成工程と、前記第1バッファー層30の上に、複数の開口を有するマスク40を形成するマスク形成工程と、前記第1バッファー層30の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、III族窒化物半導体の複数の第2バッファー層60a、60bを形成する第2バッファー層形成工程と、前記複数の第2バッファー層60a、60bの上に、III族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】セレン酸イオン、テルル酸イオン、亜セレン酸イオン、亜テルル酸イオンの全て、ないしいずれかを0.1〜1.0mg/Lの濃度で含む廃水を、全セレン濃度、全テルル濃度が0.1mg/L以下になるまで確実に処理し、洗浄等によって性能が劣化しない継続性を有する電解処理用カソードおよび電解槽を提供する。
【解決手段】水中に含まれるセレン酸イオン、亜セレン酸イオン、テルル酸イオン、亜テルル酸イオンのうち少なくともいずれか1種以上を、金属酸化物半導体をカソードとして用いる電気分解により0価の固体元素の形態に還元して析出させ、水中からセレン及び/またはテルルを分離回収する水の電解処理にカソード2またはアノードとして用いられる電極であって、表面積/体積の比が、40 cm2/cm3以上である。 (もっと読む)


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