【課題】導電ペースト用フィラーに適した高品質の銀被覆銅粉およびそれを用いた導電ペーストを提供する。
【解決手段】機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、ＪＩＳ Ｚ８７２９に規定される明度Ｌ^*が５０以上である銀被覆銅粉。機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、銀被覆層の平均厚さｔ（ｎｍ）と銀被覆銅粉の明度Ｌ^*が下記(1)式の関係を満たす銀被覆銅粉。３９＋０.７６ｔ−３.５×１０^-3ｔ²≦Ｌ^* …(1)。銀の被覆量は例えば３０質量％以下である。酸素含有量は例えば１質量％以下、炭素含有量は例えば２質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】無動力で効率的に、鉄を含む酸性水である処理対象水の鉄濃度を低減し弱酸性化する浄化方法および浄化装置を提供する。
【解決手段】５〜１００ｍｇ／Ｌの鉄分を含む処理対象水を浄化する浄化方法であって、前記処理対象水を枝葉へ散水する鉄除去処理工程と、前記鉄除去処理工程後の処理対象水を炭酸カルシウムに流通させる中和処理工程と、を備える浄化方法が提供される。さらに、５〜１００ｍｇ／Ｌの鉄分を含む処理対象水を浄化する浄化装置であって、枝葉への散水により鉄除去処理を行う枝葉散水処理部と、炭酸カルシウムによる中和処理を行う炭酸カルシウム処理部と、を備える浄化装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】試料溶液中に微量に存在するホルムアルデヒドを効率よく連続分析可能なホルムアルデヒドの測定方法及びホルムアルデヒドの測定装置の提供。
【解決手段】試料溶液をバブリングにより気化して試料ガスを生成する気化工程と、前記試料ガスをマイクロガス捕集装置で捕集し、濃縮する捕集工程と、アセチルアセトン法により試料中のホルムアルデヒドを蛍光分析する蛍光分析工程とを含むホルムアルヒドの測定方法である。該試料溶液を予め次亜塩素酸処理する態様、ホルムアルデヒドの検出範囲が、０．１ｍｇ／Ｌ〜１０ｍｇ／Ｌである態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低コストで耐熱衝撃性などに優れた信頼性の高いセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１２の一方および他方の表面に金属回路板１４および金属板１６がそれぞれ接合されたセラミックス回路基板１０において、セラミックス回路基板１０が金属回路板１４側に凹状に反っているときのセラミックス回路基板１０の反り量を正（＋）の反り量とすると、セラミックス回路基板の初期の反り量が＋０．０７８〜＋０．２２５ｍｍ、セラミックス回路基板１０の３５０℃に加熱したときの反り量が＋０．０１５〜＋０．０４８ｍｍであり、その後に室温に戻したときの反り量が＋０．１７６〜＋０．４０５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】従来のパワーモジュール用放熱板として、セラミックスよりなる多孔質プリフォームに金属を含浸せしめた金属−セラミックス複合体があるが、含浸時に加圧するため製造装置が大規模になるという欠点があった。今回、安価な方法で、セラミックス絶縁基板に直接、金属−セラミックス複合体を接合した放熱板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】放熱板及びその製造方法においては、炭化珪素粉と銀粉とを混合、加圧してプリフォーム１０を成形し、上記プリフォームにアルミニウム１１を接触せしめ、上記プリフォームと上記アルミニウムとを加熱し、上記プリフォームに上記アルミニウムを含浸せしめると共に、上記セラミックス絶縁基板に上記含浸したアルミニウムを接合せしめる。上記金属はマグネシウム、亜鉛、ガリウム、鉛又は錫である。上記プリフォームに対する上記金属の含有率は２重量％以上１０重量％以下とする。 （もっと読む）

【課題】次世代の高記録密度媒体として要求される平均長軸長８０ｎｍ以下の超微粒子からなる強磁性鉄合金粉末において，耐酸化性と保磁力を同時に向上させる。
【解決手段】鉄を主成分とし且つ平均長軸長（Ｘ）が２０ｎｍ以上で８０ｎｍ以下の針状の粒子からなる磁気記録媒体用の強磁性鉄合金粉末であって，酸素含有量が１７wt％以上で，保磁力（Ｈｃ）が０.００３６Ｘ³−１.１Ｘ²＋１１０Ｘ−１３９０（Ｏｅ）以上（Ｘは平均長軸長：単位ｎｍを表す）である磁気記録媒体用の強磁性鉄合金粉末である。この強磁性鉄合金粉末は，鉄を主成分とし且つ平均長軸長が２０ｎｍ以上で８０ｎｍ以下の針状の粒子からなるメタル粉を実質上酸素が存在しない条件下純水と反応させて粒子表面に金属酸化膜を形成し，必要に応じて弱酸化性ガスと湿式または乾式で反応させることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたSc(スカンジウム)を窒化処理したスカンジウム窒化物膜を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、下地基板の上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口と前記金属層を露出しない非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、前記金属層において前記複数の開口により露出された複数の領域を窒化することにより、金属窒化物の複数の第１バッファー層を形成する窒化工程と、前記複数の第１バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる成長工程とを備え、前記複数の開口のそれぞれは、六角形に沿った形状を有しており、前記マスク形成工程では、前記複数の開口における各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下となり隣接する前記開口の間における前記非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口グループと前記金属層を露出しない第１の非開口部と前記金属層をそれぞれ露出しない複数の第２の非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、窒化工程と、第２バッファー層形成工程と、成長工程とを備え、前記開口グループは、六角形に沿った形状をそれぞれ有した複数の開口を含み、前記第１の非開口部は、前記複数の開口グループの間に配され、前記第２の非開口部は、前記開口グループ内の前記複数の開口の間に配され、前記マスク形成工程では、各開口グループ内の各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下になり、各開口グループ内の隣接する前記開口の間における前記第２の非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になり、隣接する前記開口グループの間における前記第１の非開口部の幅が１０μｍ以上になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）