【課題】ＰＤＰ製造工程において廃棄される使用済み放電ガスを回収して分離精製したキセノンを原料とするＰＤＰ用放電ガスであって、従来の空気分離装置から製造したキセノンを原料とした放電ガスと同等の性能を有するＰＤＰ用放電ガスを提供する。
【解決手段】プラズマディスプレイパネルを製造する装置から排出される少なくとも使用済み放電ガスを回収したのち、回収した前記放電ガスから当該放電ガスに含まれるキセノンを分離精製し、分離精製した前記キセノンを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用放電ガスである。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂製の実験器具などに付着している金属不純物を短時間で効率良く除去することができる金属不純物の除去方法を提供する。
【解決手段】フッ素樹脂製被洗浄物を浸漬した酸溶液を加温状態で超音波洗浄する。さらに、フッ素樹脂製被洗浄物を第一の酸溶液に浸漬して加温状態で超音波洗浄する第１洗浄工程と、該第１洗浄工程を終えた前記フッ素樹脂製被洗浄物を第二の酸溶液に浸漬して加温状態で超音波洗浄する第２洗浄工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】排ガスに含まれるＮＯ_Ｘ量を低減することができるガラス溶解炉を提供する。
【解決手段】原料投入側排出口３と清澄室側排出口４を備えたガラス溶解炉１であって、該溶解炉１には、酸素比が１以下の低酸素比でガラス原料を燃焼させる原料投入側酸素燃焼バーナ５と、酸素比が１以上の高酸素比でガラス原料を燃焼させる清澄室側酸素燃焼バーナ６が設けられ、前記原料投入側排出口３には、原料投入側排ガスポート７が、前記清澄室側排出口４には、清澄室側排ガスポート８が連通しており、前記原料投入側排ガスポート７と前記清澄室側排ガスポート８は、ともに煙道９に連通しており、前記煙道９には、混合位置より下流に、リバーニングガスを供給する設備が設けられ、更に下流に、空気を供給する設備が設けられていることを特徴とするガラス溶解炉１を採用する。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒素及び酸素の製造方法において、比較的段数が少ない、または充填高さの短い精留塔を用いた酸素の製造方法を提供する。
【解決手段】原料空気を第１窒素ガス流体と第１酸素富化液化流体とに分離する第１分離工程と、前記第１窒素ガス流体と減圧後の前記第１酸素富化液化流体とを間接熱交換する第１間接熱交換工程と、前記第１酸素富化ガス流体の一部を第２窒素ガス流体と第２酸素富化液化流体とに分離する第２分離工程と、前記第２酸素富化液化流体を第２酸素富化ガス流体と高純酸素液化流体とに精留分離する第３分離工程と、前記第２窒素ガス流体と前記高純酸素液化流体の一部を間接熱交換する第２間接熱交換工程と、前記高純酸素液化流体を加圧する液酸圧縮工程と、を含むことを特徴とする窒素及び酸素の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】炭素鋼板、亜鉛めっき鋼板あるいはステンレス鋼板に対して低入熱溶接電源を用いたアークブレージング溶接する際に、アークのふらつきを抑制し、溶滴をスムーズに離脱させ、陰極点を安定化させる。
【解決手段】被接合材が、亜鉛めっき鋼板間、亜鉛めっき鋼板と炭素鋼板間、亜鉛めっき鋼板とステンレス鋼板間、炭素鋼板間では、炭酸ガス６〜２２容量％と残部がアルゴン、あるいは炭酸ガス５〜２２容量％と残部がヘリウム、またはアルゴンとヘリウムとの混合ガスを用い、また炭素鋼板とステンレス鋼板間では、炭酸ガス５〜２２容量％と残部がアルゴン、ヘリウム、またはアルゴンとヘリウムとの混合ガスを用い、ステンレス鋼板間では、炭酸ガス０．５〜５容量％と残部がアルゴン、ヘリウム、またはアルゴンとヘリウムとの混合ガス、あるいは酸素０．５〜２容量％と残部がアルゴン、ヘリウム、またはアルゴンとヘリウムとの混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】常温分離法により製造される窒素ガスを原料として安定した組成の窒素と水素と水との混合ガスを安価に製造することができる熱処理雰囲気ガス発生方法を提供する。
【解決手段】圧力変動吸着分離式窒素発生手段又は分離膜式窒素発生手段で発生させた原料窒素ガスに酸素含有ガスを混合して所定酸素濃度の酸素混合窒素ガスを発生させる工程と、該酸素混合窒素ガスに所定量の水素ガスを添加して原料混合ガスとする工程と、該原料混合ガス中の酸素と水素とを触媒反応させて水を生成させ、熱処理炉に導入する熱処理雰囲気ガスとする工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】低温液化ガスポンプにおけるポンプ主軸、転がり軸受などの各軸線を確実かつ容易に同一直線上に配置することができる低温液化ガスポンプを提供する。
【解決手段】ポンプケーシング１１の内部に一対の転がり軸受１２を介してインデューサ１６及びインペラ１７，１８を備えたポンプ主軸１３を回転可能に支持した低温液化ガスポンプにおいて、駆動源の回転をポンプ主軸に伝達するマグネットカップリング１４と、転がり軸受を保持する軸受ホルダ２３，２４とを備えるとともに、ポンプケーシングには、軸受ホルダを装着するホルダ装着部２５，２６が設けられ、ホルダ装着部と軸受ホルダとは、ポンプ主軸とポンプケーシングとが同軸となる位置に位置決めされた状態で調芯ピン２９を挿入するためのピン孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板を載置したサセプタを低速で回転させながら高品質で再現性も良好な堆積膜を得ることができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタの回転に伴って基板保持部材を自公転させるとともに、原料ガス導入部からサセプタ表面側に原料ガスを導入して加熱手段により加熱された基板面に薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置を用いた気相成長方法において、サセプタの回転数を毎分６０回転以下に設定するとともに、基板の回転方向を、正方向に回転している時間に比べて短い時間だけ負方向に回転させる。 （もっと読む）