【課題】 ガス導入部から反応室内に導入する原料ガス等の流れを最適化することができるとともに、ガス導入部の温度上昇を抑えて原料ガスを熱分解させずに基板上に供給することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 円盤状の基板保持台１１と、該基板保持台に対向配置されて基板保持台との間に偏平円筒状の反応室１３を形成する隔壁１２と、該隔壁の中央部に設けられたガス導入部１５と、前記反応室の外周に設けられたガス導出部１６と、前記基板保持台の同一円周上に配設された複数の基板保持部１９と、該基板保持部に保持した基板１８を加熱するヒーター２１とを備えた気相成長装置において、前記基板保持台の中央部に前記基板保持部の反応室内面よりも反応室外側方向に窪ませた凹部２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 パーフルオロコンパウンドなどの有害成分含有ガスの処理装置の保守整備時期を正確かつ簡便に判定することができる保守整備時期判定方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ容器３０と、このプラズマ容器内にプラズマ１００を発生させるプラズマ発生機構２０とを備える有害成分含有ガスの処理装置の保守整備時期判定方法において、前記プラズマ発生機構２０から前記プラズマ容器３０に入射するマイクロ波の入射電力と、前記プラズマ容器３０から前記プラズマ発生機構２０に反射するマイクロ波の反射電力との差である実効電力を計測する。 （もっと読む）

流体装置は、第１の分岐路及び第２の分岐路を有するマニホールドと、該マニホールドの前記第１の分岐路に結合された第１のチェックバルブと、第１の端部及び第２の端部を有する精製ユニットとを備え、前記第１の端部が、前記マニホールドの前記第２の分岐路に結合されている。また、流体精製装置は、精製材料を収容する第１の内部区画室と、不純物を含む流体を収容する第２の内部区画室とを有する容器を備え、前記第１の内部区画室は、流体透過性支持体及び破裂可能なシールによって前記第２の内部区画室から分離されている。 （もっと読む）

【課題】 水分含有量が６０×１０^−９体積比以下のＣ₅Ｆ₈ガスを用いて、フッ素添加カーボン膜を成膜することにより、熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】 Ｃ₅Ｆ₈ガスの供給源１と、ウエハＷに対してＣ₅Ｆ₈ガスをプラズマ化させてフッ素添加カーボン膜を成膜する成膜処理部３との間に、親水性又は還元作用のある表層を備えた物質を充填した精製器２を設け、Ｃ₅Ｆ₈ガスを精製器２に通気させることにより、Ｃ₅Ｆ₈ガスの水分を除去し、例えば水分含有量が２０×１０^−９体積比程度のＣ₅Ｆ₈ガスを成膜処理部３に導入し、フッ素添加カーボン膜を成膜する。このようすると、成膜されたフッ素添加カーボン膜に取り込まれる水分量が極めて少なくなり、後の加熱工程にて膜中の水分に起因するフッ素の脱離が発生しにくくなり、膜の熱的安定性が高められる。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、長寿命の窒化物半導体の発光素子を歩留まりよく製造できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】原料ガス供給口１７から原料ガス排気口１８に向かって原料ガスを基板１３と平行に流すフローチャネル１２と、このフローチャネルの開口部１６に面するように基板１３を戴置する基板ホルダー１４と、基板ホルダー１４の下部に設けられ基板を加熱するヒータ１５とを有する気相成長装置であって、フローチャネルの開口部と基板ホルダーとの間からの原料ガスの漏れを少なくする手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 消化ガスからシロキサン化合物の除去とメタン濃縮とを、長期間安定して行うことができる消化ガスの精製装置と方法と提供する。
【解決手段】 シロキサン化合物を含有する消化ガスの精製装置であって、該装置が、シロキサン化合物除去部５と、その下流側にメタン濃縮部７とを有する消化ガスの精製装置としたものであり、前記メタン濃縮部７が、二酸化炭素吸着剤を充填した複数の充填層８を有し、該充填層を交互に再生するための再生手段１０，１１，１２を有する圧力スウィング吸着装置を備え、前記シロキサン化合物除去部５が、シロキサン化合物吸着剤を充填した充填層６、又は、該充填層を複数備え、交互に再生するための再生手段を有する圧力スウィング又は熱スウィング吸着装置を備えることができ、前記メタン濃縮部の再生処理により発生するガスを、シロキサン吸着剤の再生の際のパージガスとして使用できる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な部材を追加するだけでサセプタの加熱量を調節することができ、サセプタを介して基板を均一に加熱することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 気相原料が供給されるフローライナー１１内にサセプタ１２の表面に支持した基板１３を配置し、サセプタの裏面に配置したヒーター１５により前記サセプタを加熱し、サセプタを介して前記基板を設定温度に加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板上に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタと前記ヒーターとの間に、前記ヒーターから前記サセプタへの熱輻射を遮断するための熱量調節部材１９を部分的に配置する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体素子の特性を面内で均一にすることができる窒化物半導体の製造装置およびそれを用いて製造された窒化物半導体を用いた窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体の製造装置は、基板と平行に原料ガスを含むガスを流すフローチャネルを備え、基板の上流側からフローチャネル内に原料ガスを導入して窒化物半導体を結晶成長させる気相成長装置であって、前記フローチャネルの内壁には、複数の凸状の突起部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、中間フローライナー３内壁面に反応生成物が付着することを防止し、得られる半導体薄膜の膜厚、組成が均一となるようにする。
【解決手段】中間フローライナー３上壁面の上方に冷却手段としての冷却ブロック１１を設け、中間フローライナー３の下流側部分に冷却ガスを吹き付け、中間フローライナー４内での温度分布を均一とする。冷却ブロック１１は、冷却ガスを吹き出す多数の吹出口１３、１３・・・が形成され、このブロック１２に接続された冷却ガス導入パイプ１４から冷却ガスを送り込み、吹き出し口１３、１３・・・から中間フローライナー３の下流側部分に向けて吹き出す。 （もっと読む）

【課題】 カーボンやタール等の発生を抑制し、最適な炉内雰囲気を形成して効率よく金属多孔質焼結体を製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｏ，Ｆｅの金属単体又は合金からなる金属粉と有機質バインダーとのスラリーを発泡性樹脂に含浸させて加熱炉内で加熱して金属多孔質焼結体を製造するにあたり、加熱炉での第１加熱工程における炉内雰囲気を、金属還元域、炭素還元域及び金属粉の焼結温度未満の領域に設定し、第２加熱工程における炉内雰囲気を、金属還元域、炭素酸化域及び金属粉の焼結温度以上の領域に設定する。前記各工程の炉内雰囲気は、炉内ガス成分のＣＯ_２／ＣＯ比、Ｈ_２Ｏ／Ｈ_２比及び酸素分圧のいずれかの一つと、炉内温度とを調節し維持する。特に、加熱炉から導出した炉内ガスに酸素含有ガス及び炭化水素系ガスを添加して燃焼させた後、前記加熱炉内に循環導入する。 （もっと読む）