説明

大陽日酸株式会社により出願された特許

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【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、中間フローライナー3内壁面に反応生成物が付着することを防止し、得られる半導体薄膜の膜厚、組成が均一となるようにする。
【解決手段】中間フローライナー3外壁面に冷却部11を設け、中間フローライナー3の下流側から上流側に向けて冷却ガスを流す。冷却部11は、冷却筒12と冷却ガス導入パイプ13とから構成され、冷却筒12が樋状の形状をなし、その一端が開放され、その他端には冷却ガス導入パイプ13が接続されたものである。 (もっと読む)


【課題】 簡単な部材を追加するだけでサセプタの加熱量を調節することができ、サセプタを介して基板を均一に加熱することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 気相原料が供給されるフローライナー11内にサセプタ12の表面に支持した基板13を配置し、サセプタの裏面に配置したヒーター15により前記サセプタを加熱し、サセプタを介して前記基板を設定温度に加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板上に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタと前記ヒーターとの間に、前記ヒーターから前記サセプタへの熱輻射を遮断するための熱量調節部材19を部分的に配置する。 (もっと読む)


【課題】TIG溶接法に用いられるタングステン電極において、溶接の進行に伴ってアークのふらつきなどの不都合が生じることがなく、長時間安定したアークが得られるタングステン電極を提供する。
【解決手段】芯部2とこの芯部2の外側に同軸的に設けられた鞘部3とからなり、芯部2が、酸化トリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウムのいずれか1種以上の酸化物を含むタングステンからなり、鞘部3がタングステンのみまたはこれら酸化物の1種以上を含むタングステンからなり、鞘部3の酸化物含有量が4.2wt%以下であり、芯部2の酸化物含有量が鞘部3の酸化物含有量よりも2wt%以上でかつ10wt%以下であり、芯部2の直径が、電極の中心から直径比で60%以下、好ましくは20%以下であるタングステン電極。 (もっと読む)


【課題】電気的性質、熱的性質、機械的性質などの性質について、従来では得られなかった優れた異方性機能を発揮することができ、簡便かつ低コストでおこなうことができるカーボンナノチューブ複合シートの製造方法を提供する。また、電気的性質、熱的性質、機械的性質などの性質について、従来では得られなかった優れた異方性機能を発揮することができるカーボンナノチューブ複合シートを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程と、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合シートの製造方法。 (もっと読む)


【課題】ハフニウムを含む高誘電体膜からなるゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位密度を低減し、ゲート絶縁膜におけるキャリアの移動度を高めることにある。
【解決手段】HfSiONまたはHfAlOなどのハフニウムを含む薄膜に対して、自然界に存在する重水素と水素との比率よりも大きな比率で重水素を含有させた高誘電率の第2絶縁膜8を電界効果トランジスタのゲート絶縁膜として使用する。第2絶縁膜8は、ALD法により成膜することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】操作性が良く、取り扱いに優れた自重計システムを提供すること。
【解決手段】車両1の積載物重量変化量計測用のセンサ11と、センサ11の出力により積載物重量変化量を計算する計算手段120a、計測開始を指示する第1の開始指示手段124a及び計測終了を指示する第1の終了指示手段124bを有する自重計12とを備える。自重計12は、センサ11と、第1の開始指示手段124aおよび第1の終了指示手段124bとが接続され、システム全体の動作を制御すると共に計算手段として働くマイクロコンピュータ120を含む。マイクロコンピュータ120は、外部機器接続用のI/OポートP1を設けており、I/OポートP1には、外部機器として、積載物重量変化量計測の開始を指示する第2の開始指示手段134a、および積載物重量変化量計測の終了を指示する第2の終了指示手段134bを有する外部操作器13が接続されている。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼配管における接合部の内面にデッドスペースが生じることがなく、しかもヒュームに基づく金属微粒子による汚染が極めて少く、供給するガスが不純物で汚染されることがなく、接合部の耐食性が極めて良好なステンレス鋼配管を得る。
【解決手段】接合すべきステンレス鋼管の端部を突合わせて、管内をバックシールドガス雰囲気下、又は真空環境下として溶接して接合する際、管の壁の外側部分のみを溶融して溶融接合部Wを形成して接合する。バックシールドガス雰囲気下、又は真空環境下での酸化性ガスの含有量が10ppm以下とし、鋼管の端部の表面粗さを30μm以下とすることが好ましい。鋼管の肉厚tが1mmを越える場合、溶融接合部の溶け込み深さtwを、t−0.7≦tw<t(mm)とし、肉厚tが1mm以下の場合、溶融接合部の溶け込み深さtwを、t>tw≧0.3t(mm)とすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 液体分配器と自己分配促進型規則充填物との組み合わせを最適化し、液負荷量の下限値を下げることによって下降液量や上昇ガス量の増減範囲を大きくすることができる気液接触装置を提供する。
【解決手段】 自己分配促進型規則充填物を充填した気液接触装置の充填層を、下部の主充填層と上部の副充填層とで形成し、副充填層を、主充填層よりも小さな比表面積の自己分配促進型規則充填物で形成するとともに、充填層上部に設ける液分配器を、主充填層を構成する自己分配促進型規則充填物に対応した液散布密度よりも小さな液散布密度を有する液分配器とする。 (もっと読む)


【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、フローライナーの上流フローライナーと中間フローライナーとの間の隙間や中間フローライナーの底面とウエハートレイとの間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量を減らし、チャンバの内壁やフローライナー外壁の反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】中間フローライナー3と下流フローライナー4との隙間の間隔を0.01〜3mmとする。そのために、中間フローライナー3と下流フローライナー4との間に詰め物11を設けて、隙間の間隔を0.01〜3mmとする。 (もっと読む)


【課題】積載物に関して従来よりも詳細な情報を印字することができる自重計システムを提供すること。
【解決手段】積載物重量変化量計測用のセンサ11と、センサ出力−重量換算式を予め記憶した記憶手段121と、センサ11の出力が供給され、センサ出力−重量換算式に基づいて積載物重量変化量を計算する計算手段120aとを備え、積載物を搬送する車両1に搭載される自重計システム10であって、積載物の複数種類を識別する種類データを含む積載物テーブルを予め記憶した前記記憶手段121と、積載物テーブルに含まれる複数種類データの中から、車両1で搬送される積載物の特定種類データを選択して設定する設定手段19と、設定手段19で設定された積載物の特定種類と、計算手段で計算された積載物重量変化量とを少なくとも含むデータを印字する印字手段123とを備えている。 (もっと読む)


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