【課題】 超電導モータにおける超電導コイルを断熱するための真空断熱層の外側の壁（外ケースの壁）を薄くしても大気圧による内側への変形が生じることを防止し、外ケースの壁の薄質化による磁極間距離の縮小を図り、モータ出力増大を図る。
【解決手段】 ロータとステータとのうち、少なくとも一方に超電導コイルを用い、その超電導コイルを、内外２重壁構造のケースにおける内ケースの内側に収納しかつ内ケース内に冷却媒体を充填し、内外ケース間を真空断熱層とした超電導モータにおいて、外ケース内に、ステータとロータとの対向方向に伸長しかつ内ケースおよび超電導コイルの内周側を貫通する柱状体を配設し、柱状体の両端が外ケースの平行な２面に接して、外ケースの内側への変形を防止するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 ニッケル元素を含有する粉体から、金属浴を生成することなく、高純度の金属ニッケルを粉体状で回収することのできるニッケル元素を含有する粉体からの金属ニッケルの濃縮回収方法を提供。
【解決手段】 ニッケル元素を含有する粉体を、５００℃以上の高温還元気流中に供給し、該高温還元気流中で還元反応を生じさせ、前記粉体中において局所的に金属ニッケルを濃化させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体処理装置のチャンバー内に生成した高誘電率酸化物からなる堆積物・付着物を高速で除去でき、かつ他の化合物による堆積物の生成を防止した半導体処理装置のクリーニング方法を提供；シリコン基板上に成膜した高誘電率酸化物を、選択比が１を超える高い選択性をもってエッチング可能なシリコン基板のエッチング方法を提供。
【解決手段】 半導体処理装置のチャンバー内に生成した高誘電率酸化物からなる堆積物・付着物を除去する半導体処理装置のクリーニング方法であって、酸素原子供与性ガスまたは酸化性ガスのいずれかと、ハロゲン系ガスとを混合させたガスを、プラズマ処理または加熱処理により活性化し、前記堆積物・付着物を除去することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法である。 （もっと読む）

原料ガス流量の初期揺らぎ時間や立上り時間を無くして、カーボンナノ構造物の初期成長を促進できる高効率合成方法及び装置を開発する。
本発明に係るカーボンナノ構造物の高効率合成方法は、原料ガスと触媒を反応条件下で接触させてカーボンナノ構造物を製造する方法において、原料ガスと触媒の接触の開始を瞬時に行うカーボンナノ構造物の高効率合成方法である。温度や原料ガス濃度などの反応条件を触媒成長条件に設定して、この反応条件下で原料ガスＧと触媒６の接触の開始を瞬時に行うから、カーボンナノ構造物の初期成長を積極的に行わせ、の高さ成長や太さ成長を高効率にでき、高密度成長、短時間の高速度成長をも可能にする。前記触媒は触媒基板、触媒構造体、触媒粉体、触媒ペレットなどの任意形状の触媒を包含している。特に、原料ガスＧの供給・遮断を電磁三方弁２４により断続制御する方式が好適である。
（もっと読む）

【課題】 原料ガスの分解や反応を防止するとともに、低温の原料ガスが基板やサセプタを冷却することも防止し、原料ガスを最適な温度条件で基板面に供給することにより、パーティクルによる膜質の劣化や、基板の温度低下による膜厚分布の発生を抑え、高品質な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ１１より原料ガス流れ方向上流側のフローチャンネル１５に、原料ガス供給部１４からフローチャンネル内に導入される原料ガスの温度を、その熱分解温度以下に制御する第１温度制御領域２１を設けるとともに、第１温度制御領域とサセプタとの間に、前記第１温度制御領域によって制御される温度より高く、かつ、基板の加熱温度よりも低い温度に制御する第２温度制御領域２２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 小型軽量化、伝熱面積や熱容量の削減を図り、タンクローリーへの搭載にも適した断熱構造を有するサブマージドポンプを提供する。
【解決手段】 ポンプ本体１１を収納した内槽１２及び外槽１３からなるケーシング本体１４と、ケーシング本体の上部開口を閉塞する蓋部材１５と、ポンプ本体の吐出口から蓋部材を貫通して外部に延出した吐出配管２１と、外槽を貫通して内槽内に連通した吸入配管１９とを備え、内槽と外槽との間に真空断熱層１６を形成したサブマージドポンプにおいて、内槽の上端部外周に設けたフランジ２５の下面外周部に外槽の上端縁を固着するとともに、外槽固着部よりも内周側のフランジ上面に蓋部材固定用の植え込みボルト２６を植設し、植え込みボルトを蓋部材外周のフランジ部１５ａに設けたボルト孔１５ｂに挿通してナット２９を螺着することにより蓋部材を内槽の上部に着脱可能に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】 振動、揺動が加わったり、傾斜、横転、反転させた場合でも正常な運転状態を維持でき、また超電導コイルの取付け直し等の手間を要することなく装置の姿勢を変えるだけで任意に外部磁界の方向を変え得るようにした超電導コイル冷却保持装置を提供する。
【解決手段】 超電導コイルを収容した容器の全体を、内槽および外槽からなる内外２重壁構造とし、かつ内槽と外槽との間に真空断熱層を形成して、内槽の壁面の全ての面が真空断熱層によって取囲まれる構成とし、前記内槽の内側の中空部分に、その上部に空間を実質的に残すことなく、大気圧下での過冷却温度の液体窒素を充満させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 除害筒内に充填した除害剤の破過を確実に判定することができる除害装置及びその管理方法を提供する。
【解決手段】 有害成分を含むガスを除害剤を充填した除害筒内に導入して前記有害成分の除去処理を行う除害装置において、前記除害剤として、前記有害成分との反応形態が異なる主除害剤１４と副除害剤１５とを使用し、除害筒１３内に副除害剤を主除害剤よりもガス流れ方向下流側に配置するとともに、前記有害成分の除去処理を行った後のガスを導出する処理ガス導出部１２に、前記主除害剤又は副除害剤と前記有害成分との反応により生成するガス成分を測定するガス成分測定手段（分析計１６）を設けた。 （もっと読む）

【課題】熱電対が昇温により膨張しても、降温により収縮しても、常にその測温接合部が保護管の先端部内面に接触した状態を維持でき、正確な測温ができる測温体ならびにこの測温体を用いた気相成長装置を得る。
【解決手段】測温体２１は、保護管２２と、この保護管２２内に収容された熱電対２３と、この熱電対２３を付勢するコイルバネ３０を備え、保護管２２は、その先端部が閉じられ、基端部が開かれており、コイルバネ３０は、熱電対２３の測温接合部２８が保護管２２の先端部の内面に常時接するように付勢するようにしたものである。また、気相成長装置は、サセプタの温度を測定する測温体として、上記測温体を用いたものである。 （もっと読む）

【課題】断熱容器内の液化ガスの圧力が変化しても、その圧力に応じた正確な液量を知り、かつ液化ガスの種類、内容器の形状、寸法に応じた換算表が不要で、断熱容器内の液化ガスの正確な液量を知る。
【解決手段】断熱容器本体１の内容器１ａ内の液化ガスの気相の圧力Ｐ１を測定する圧力計５と、この圧力Ｐ１と液相底部の圧力との差圧Ｐ３を求める差圧計７と、液化ガスの種類毎の差圧と液高と内容器の形状、寸法で定まる貯蔵容量との関係を記憶する第１のメモリー１１と、液化ガスの種類毎の飽和液密度と圧力Ｐ１との関係を記憶する第２のメモリー１２と、圧力Ｐ１から第２のメモリーでの関係を参照して飽和液密度を求め、差圧Ｐ３から第１のメモリーでの関係を参照して貯蔵容量を求め、さらに飽和液密度に貯蔵容量を乗じて貯蔵重量を求める演算部１０と、この貯蔵重量を表示する表示部１３を備えた断熱容器。 （もっと読む）