【課題】加工対象物のレーザ光照射面に対して所望の位置に改質領域を精度良く形成する。
【解決手段】トレース記録に際して、平均差分γが所定の閾値を超えた値を有する場合、平均差分γが所定の閾値を超えたライン区間Ｓを含むパーティクル区間Ｚを決定する。これにより、切断予定ライン５上にパーティクルが存在し当該パーティクルで測定用レーザ光が乱反射していることが判断され、切断予定ライン区間においてパーティクルの存在によって制御信号に影響が及ぶ区間がパーティクル区間Ｚとして検出される。そして、パーティクル区間Ｚにおいて制御信号を補正することより、パーティクルの存在による影響で制御信号に誤差が含まれるために集光用レンズが必要以上に移動することを抑止し、表面３に対して加工用レーザ光の集光点を精度良く追従させる。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の内部に改質領域を形成するのに要する時間を短縮する。
【解決手段】装置１００は、載置台１０７と、直線偏光のレーザ光Ｌを出射する光源１０１と、レーザ光Ｌ３を出射する光源４１と、レーザ光Ｌの偏光方向を変更する波長板５１と、レーザ光Ｌを偏光方向がＸ軸方向のレーザ光Ｌ１及び偏光方向がＹ軸方向のレーザ光Ｌ２に分岐する偏光板５２と、分岐されたレーザ光Ｌ２の偏光方向をＸ軸方向とする波長板５５と、レーザ光Ｌ１，Ｌ３を集光するレンズ３１と、Ｘ軸方向に沿ってレンズ３１と並設されＸ軸方向を偏光方向とされたレーザ光Ｌ２を集光するレンズ３２と、反射光Ｌ４を検出することでレーザ光Ｌ２の集光点が表面３を基準として所定の位置に合うように素子２９を制御する制御部１０５と、Ｘ軸方向をライン５と略一致させ載置台１０７をライン５に沿って移動させる制御部１１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構成で安定した発光許可の制御が可能な許可信号生成回路を提供すること。
【解決手段】この許可信号生成回路３は、放電コンデンサ９の充電電圧と基準電圧とに基づいて第１比較信号Ｖ_Ｃ１を出力する第１のコンパレータ１４と、充電電圧と第１のコンパレータ１４より大きい基準電圧とに基づいて、放電コンデンサ９の充電のオン−オフを制御するための第２比較信号Ｖ_Ｃ２を出力する第２のコンパレータ１５と、第１比較信号Ｖ_Ｃ１に応じてオン／オフするバイポーラトランジスタ１７、及び、バイポーラトランジスタ１７に直列に接続され、第２比較信号Ｖ_Ｃ２に応じてオンし、バイポーラトランジスタ１７のオフ状態への遷移に応じてオフするサイリスタ１８を有し、バイポーラトランジスタ１７及びサイリスタ１８の双方がオン状態であることを検出して許可信号Ｓ_３として出力する検出回路１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複数の検出器で検出波長範囲全体を分担することでより該検出波長範囲全体に亘って連続するスペクトルを検出する分光分析装置を提供する。
【解決手段】 分光分析装置(200)は、分光器(230)と、複数の検出器(240a〜240c、250a〜250b)と、該複数の検出器の少なくともいずれかに対応して設けられた方向変更器(260a、260b)を備える。分光器は、入射光を複数の波長成分に分離する。複数の検出器は、分光器からそれぞれの受光面（241a〜241c、251a〜251b）の中心までの光路長が一致するよう配置されている。方向変更器は、分光器から対応する検出器に向かう波長成分の光路上に配置され、該波長成分の伝搬方向を変更するよう機能する。 （もっと読む）

【課題】加工用レーザ光の集光点を加工対象物のレーザ光照射面に精度良く追従させる方法を提供する。
【解決手段】切断予定ライン５に沿って測定用レーザ光を照射し、加工対象物１において測定用レーザ光が照射される表面３で反射する反射光に非点収差を付加し、非点収差が付加された反射光の集光像に応じた変位センサ信号を検出し、変位センサ信号が反射光の光量に応じたフィードバック基準値となるようにすることで、加工用レーザ光の集光点を表面３に対して所定の位置に合わせる。これにより、測定用レーザ光の反射率の極端に低い領域が表面３に部分的に存在し測定用レーザ光の反射光の光量が低下しても、加工用レーザ光の集光点を加工対象物１の表面３に確実且つ精度良く追従させることができる。 （もっと読む）

【課題】形成される改質領域が切断予定ラインからずれるのを抑制することができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】加工対象物１の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物１に設定された複数の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を加工対象物１の内部に形成する。ここで、加工対象物１において手前側の領域Ｚ１、奥側の領域Ｚ２、中央の領域Ｚ３、の順序で、かかる領域に延在する切断予定ラインに沿って改質領域を形成する。これにより、一般的な切断予定ラインの加工順序で加工する場合に比し、レーザ加工の際に加工対象物が移動する影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを支持する光透過部材が撓むのを抑制することができ、更には、ウェハに何らかの外圧が作用しても、ウェハが撓むのを抑制することができるウェハ支持装置及びウェハ観察装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ支持装置５延いては観察装置１では、ベース７の開口６に臨む倒立型顕微鏡２の対物レンズ３に対して、ウェハホルダ１１の開口１２に嵌められた光透過部材１４に臨むウェハＷの位置合せが行われた後、固定機構３１によってベース７に対してウェハホルダ１１が固定される。このとき、光透過部材１４の上面とウェハＷの裏面とが面接触していると共に、ベース板９の上面と光透過部材１４の下面とが面接触しており、しかも、ベース７の開口６がウェハホルダ１１の開口１２より狭くなっている。これにより、光透過部材１４の撓み、及びウェハＷの撓みを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】流路チップを保持すると共に、流路チップ内の流路に試料液をより容易に流すことが可能なチップホルダを提供する。
【解決手段】 チップホルダ１Ａは、流路４３を内部に有し、流路に試料液Ｗを導入する液導入孔４４及び流路から試料液を排出する液排出孔４５が形成された流路チップ４０Ａを保持する。チップホルダ１Ａは、流路チップが載置されるベース部材１０と、ベース部材に取り付けられ流路チップを押圧すると共に、液導入孔に供給する試料液を待機させるウェル２６を有するウェル部材２０と、ベース部材に取り付けられ流路チップを押圧すると共に、液排出孔に接続される第１のパイプ３３及びウェルに挿入される第２のパイプ３７を有するカバー部材３０とを備え、ウェル部材２０は、ウェルと液導入孔とを連結すると共に、ウェル内の試料液を液導入孔に流入せしめる連結部材２７を有する。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を防止することができ、しかも、比較的小さな外力で、切断予定ラインに沿った加工対象物の切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 切断予定ライン５に沿って、切断の起点となる６列の溶融処理領域１３_１，１３_２をシリコンウェハ１１の内部に形成するが、加工対象物１の裏面２１に最も近い溶融処理領域１３_１を形成する際に、切断予定ライン５に沿って弱化領域１８を裏面２１に形成する。このように、溶融処理領域１３_１，１３_２がシリコンウェハ１１の内部に形成されるため、溶融処理領域１３_１，１３_２からパーティクルが発生するのを防止することができる。しかも、所定の深さを有する弱化領域１８が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の裏面２１に形成されるため、比較的小さな外力で、切断予定ライン５に沿って加工対象物１を切断することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線を用いてベースガスイオンを生成し、このベースガスイオンと試料分子とのイオン分子反応により試料分子イオンを生成することによって、安全性が高く、装置の汚染、試料の分解、及びイオン化室の電界への影響などを抑制でき、試料分子を効率よくイオン化できるイオン移動度計およびイオン移動度計測方法を提供する。
【解決手段】イオン移動度計１は、試料分子をイオン化するイオン化装置２と、イオン化された試料分子の移動度を計測するドリフト室１１とを備える。イオン化装置２は、ベースガスをイオン化するとともにベースガスイオンと試料分子とのイオン分子反応を促すイオン化室２０と、イオン化室２０内へ軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線管３とを有する。軟Ｘ線管３は、軟Ｘ線の照射量を増減可能に構成されている。 （もっと読む）