【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。そして、第二の銅合金配線のＡｌの濃度は、第一の銅合金配線の前記Ａｌの濃度未満である。 （もっと読む）

【課題】複数の下位階層ブロックに跨るセル同士を各下位階層ブロックに設けた端子を経由して相互に接続する場合に、セル間を結ぶ経路が迂回経路となること。
【解決手段】階層レイアウト設計装置は、第１の下位階層ブロックに含まれるセルから出力された信号を受信する出力端子を該セルの近傍に配置する出力端子配置部と、第２の下位階層ブロックに含まれる複数のセルへ前記出力端子から出力された信号を供給する入力端子を、該複数のセルを囲む最小の矩形領域の境界上であって、前記出力端子が配置された箇所からの距離が最短の箇所に配置する入力端子配置部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】塗布法を用いて形成される酸化膜を溝の内部に充填した溝型の素子分離部を有する半導体装置において、溝の内部におけるボイドの発生を抑制して、埋め込み不良を低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】０．２μｍ以下の溝幅を有する溝４Ｓの内部に埋まるポリシラザン膜の上面がパッド絶縁膜３の上面よりも高く、かつ１．０μｍ以上の溝幅を有する溝４Ｌの内部に埋まるポリシラザン膜の上面がパッド絶縁膜３の上面よりも低くなるように、半導体基板１の主面上にポリシラザン膜を形成し、続いて、３００℃以上の熱処理を行うことにより、ポリシラザン膜を酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる第１埋め込み膜８へ転化すると同時に、溝４Ｓの上部に局所的に生じたボイドを消滅させる。 （もっと読む）

【課題】電位ドロップに起因するセルの動作不良を防止すること。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、チップ１上に配置された電源パッド２ａと、電源配線構造１０を介して電源パッド２ａに接続された回路群２１，２２とを備える。その電源配線構造１０は、異なる配線層に形成され複数の交差点ＩＳ１，ＩＳ２においてオーバーラップする複数の第１電源配線１１及び複数の第２電源配線１２と、それら複数の第１電源配線１１と複数の第２電源配線１２を接続するビア１３とを有する。上記回路群は、第１領域Ｒ１に配置された機能ブロック２１を含む。ビア１３は、第１領域Ｒ１と電源パッド２ａの間の第２領域Ｒ２における複数の交差点ＩＳ２の一部に配置されていない。 （もっと読む）

【課題】ガンマ補正が可能で、かつ表示階調数の増加に伴う回路規模の増大を抑制することができる表示装置駆動回路及び表示装置の駆動方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる表示装置駆動回路は、入力される基準クロックから、階調値に応じた異なる周期のクロック信号を生成し、出力するクロック周期制御回路５１と、前記クロック信号をカウントする第１カウンタ回路２と、第１カウンタ回路２の出力信号と画像データとに基づき、ソース電圧を出力するソース出力回路６を備える。 （もっと読む）

【課題】高ダイナミックレンジかつ高精度かつ低雑音であり、さらに高線形性を有する可変利得増幅器を提供する。
【解決手段】可変利得増幅回路３５は、出力ノードＯＵＴｐ，ＯＵＴｎと、複数の増幅器Ａｍｐ１〜Ａｍｐ１８と、検出回路４０とを備える。複数の増幅器は、出力ノードと基準ノードＶＳＳとの間に互いに並列に接続され、制御信号ＧＣＳ２に応じて選択的に動作状態になる。検出回路は、入力信号Ｖｉｎの大きさに応じた検出信号Ｉｄｅｔを各増幅器に出力する。各増幅器は、第１のトランジスタＭ１と、第２のトランジスタＭ３と、バイアス回路５３とを含む。第１のトランジスタは、入力信号または入力信号に比例した信号を制御電極に受ける。第２のトランジスタは、第１の基準ノードと出力ノードとの間に第１のトランジスタと直列に接続される。バイアス回路は、検出信号に応じた大きさの直流電圧を第２のトランジスタの制御電極に印加する。 （もっと読む）

【課題】各バスマスタからバススレーブへ複数のバスを経由してアクセスする場合であってもバスの使用効率の低下を抑制することができるバスシステムを提供することである。
【解決手段】本発明にかかるバスシステムは、複数のバスマスタ１_１〜１_４から少なくとも一つのバススレーブ５への、複数のバス２_１〜２_３を経由したアクセスを制御するバスシステムである。バス２_１〜２_３は各々、前段から入力される複数のアクセス要求１６、１７を調停し、当該調停により選択されたアクセス要求を次段へ出力する調停部８を備える。調停部８は、アクセス要求１６、１７がバスで待機した時間を差し引くことで次段へ出力されるアクセス要求２９に含まれる許容待ち時間情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】低電圧領域として使用されるＳＯＩ型ＭＩＳＦＥＴと、高電圧領域として使用されるバルク型ＭＩＳＦＥＴとが共存する半導体装置であっても半導体装置全体を縮小でき、更にプロセスが複雑化することなく作製できる半導体装置と製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板1、単結晶半導体基板から薄い埋め込み絶縁膜4で分離された薄い単結晶半導体薄膜（ＳＯＩ層）3を持つＳＯＩ基板を用い、ＳＯＩ型ＭＩＳＦＥＴ100およびバルク型ＭＩＳＦＥＴ200のウエル拡散層領域6と、ドレイン領域9、11、14、16と、ゲート絶縁膜5と、ゲート電極20とを同一工程にて形成する。バルク型ＭＩＳＦＥＴとＳＯＩ型ＭＩＳＦＥＴとを同一基板上に形成できるので、基板の占有面積を縮小できる。ＳＯＩ型ＭＩＳＦＥＴとバルク型ＭＩＳＦＥＴとの作製工程の共通化により簡易プロセスを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第１の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第１の表面積Ｓ_１と各複数の凹部の側壁の面積を含まない第２の表面積Ｓ_２との表面積比Ｓｒ＝Ｓ_１／Ｓ_２に基づき補正した第１の電流密度でめっき処理を行う工程（Ｓ１０４）を含む。 （もっと読む）