【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第１のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第１のレジスト膜を除去した後、第２のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンのエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】出力電流の制限を高精度に行う。
【解決手段】ボルテージレギュレータにおける過電流保護回路であって、ボルテージレギュレータの出力電圧ＶＯと基準電圧源３８の電圧とを比較し、比較結果に応じた出力電圧を出力端から出力する誤差増幅器３１と、ボルテージレギュレータの出力電流IＯに比例した電流Ｉ４と基準電流Ｉ５との差電流Ｉ６に応じた電流Ｉ３を誤差増幅器３１の出力端にフィードバックさせてボルテージレギュレータの出力電流ＩＯを制限する電流制御回路１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する電極パッド間のショート不良を起こすことが無く、安定的にボンディングする。
【解決手段】まず、キャピラリ３００の先端部からボンディングワイヤ４００を延出させる（延出ステップ）。次いで、キャピラリ３００をボンド点（例えば半導体チップ１０）に近づけるように移動させる（移動ステップ）。次いで、ボンディングワイヤ４００の先端を、キャピラリ３００の先端面（非図示）でボンド点（例えば半導体チップ１０）に接触させて圧着する（圧着ステップ）。このとき、延出ステップにおいて、ボンディングワイヤ４００の先端にボールを形成せずに、圧着ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】精度の良い調停を行うことができる情報処理システム、及び調停方法を提供する。
【解決手段】イニシエータＩＰ１−１は、ターゲットＩＰ５に対し、一定処理を行うために必要なデータ転送に応じて複数のアクセスリクエストを順次生成して発行する。算出装置２−１は、データ転送の総データ量と、予め設定された転送許容時間と、から第１の転送レートを算出する。算出装置２−１は、所定の設定タイミング毎に、イニシエータＩＰ１−１に転送済みのデータ量と、イニシエータＩＰ１−１がデータ転送を開始してからの経過時間と、から第２の転送レートを算出する。算出装置２−１は、第１の転送レートと、第２の転送レートと、の比較結果に基づいて、イニシエータＩＰ１−１が発行前のアクセスリクエストに対応付ける重みづけを設定する。調停回路４は、アクセスリクエストに対応付けられた重みづけに基づいて、転送処理の調停を行う。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの劣化がある程度進行している状態と、要求仕様を満たさなくなるまで劣化が進行した状態とを外部で認識できるようにする。
【解決手段】半導体装置１において、メモリセルＭＣは、閾値電圧の相違を利用してデータを不揮発的に記憶する。制御回路１１は、データ消去時、メモリセルの閾値電圧が第１ベリファイ電圧以下でない場合にはメモリセルに閾値電圧を小さくするための消去電圧を印加する。制御回路は、消去電圧の印加時間が第１の判定値を超えると第１の劣化状態を表わす信号を出力し、消去電圧の印加時間が第１の判定値より大きい第２の判定値を超えると第２の劣化状態を表わす信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】大量の液化ガスを安定供給するため、複数の液化ガス容器内の液化ガスを最後まで均等に供給することができる、液化ガス供給方法を提供する。
【解決手段】複数の液化ガス容器（１）のそれぞれに設置した液化ガス量測定用の検出器（２）からの情報を処理し、該液化ガス容器のそれぞれに設置した加熱装置（３）を制御することによって該複数の液化ガス容器が並列に連結して液化ガスを供給する、液化ガス供給方法であって、
重量測定器である各該検出器（２）からの情報を総合処理して得た数値である前記各容器内の液化ガスの平均重量を基準にして、前記各容器ごとの液化ガス重量と該平均重量との差が所定値以下になるように各該加熱装置（３）を制御することを特徴とする、液化ガス供給方法。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＯＦＤＭによる通信技術においてデータ伝送のスループットを犠牲にすることなく伝播路の推定精度向上に寄与する。
【解決手段】スロット（ＳＬＴ＿ａｄｖ）を構成する複数のシンボル（ＳＭＢＬ）に、無線通信の伝播路を推定するための既知信号（ＳＩＧＤＩＶ＿ｒｅｆ）の系列を領域α、βに分割配置する。換言すれば、情報信号と既知信号を合成したシンボルを生成してスロットに配置する。これにより、１シンボルに割り当てられた既知信号の系列が各シンボルに分散配置されるから、シンボル単位で伝播路の推定を行うことが可能になる。シンボル単位で伝播路の推定を行うことによって伝送路推定の追従性が良くなる。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリに対するアクセス要求が連続して発行される場合でも、アクセス要求とリフレッシュとを効率良く実行することができるメモリアクセス制御回路を提供する。
【解決手段】リフレッシュ要求部２０は、半導体メモリ３のリフレッシュを実行するか否かを指定するリフレッシュ発行要求１３０を出力する。調停部３０は、リフレッシュ発行要求１３０と、半導体メモリ３に対するアクセス要求１０１及びアクセス対象のアドレス１０２とを受け取り、リフレッシュ発行要求１３０がリフレッシュの実行を示す場合、半導体メモリ３に対してリフレッシュ要求を出力し、リフレッシュを実行しないことを示す場合、半導体メモリ３に対してアクセス要求１０１及びアドレス１０２を出力する。リフレッシュ要求部２０は、マスク部４０と要求部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】トリックプレイ（早送り、巻き戻し、逆スロー等）を組み合わせた複雑な再生を適切に評価すること
【解決手段】復号部１２は、ストリームデータに含まれる第１データに対し、通常再生にかかる復号を行った第１復号データを生成するとともに、トリックプレイを含む評価用再生をした場合の再生時刻と再生位置を関連付けた第１シナリオデータに従った復号を行った第２復号データを生成する。特徴抽出部１３は、第１復号データから再生位置と特徴値とを関連付けた第１通常再生情報と、第２復号データから再生時刻と特徴値とを関連付けた第１評価再生情報と、を生成する。フレーム検索部１６は、特徴値同士の比較判定から、第１通常再生情報の再生位置と、第１評価再生情報の再生時刻と、を含む第１評価データを生成する。評価部１７は、第１シナリオデータ、第１評価データに基づいて前記評価用再生の評価を行う。 （もっと読む）