【課題】ウェット処理対象のうちのチャックに対向するチャック対向面にウェット処理液が付着することを低減すること。
【解決手段】チャック１は、噴出口１６から気体２４を噴出させることによりウェット処理対象７を保持する。ノズル３は、ウェット処理対象７のうちのチャック１に対向するチャック対向面２２の裏側のウェット処理対象面２３にウェット処理液８を供給する。噴出口１６は、閉曲線に沿って形成されている。その閉曲線は、その閉曲線のうちの任意の点からウェット処理対象７の外周１４、１５までの距離が一定であるように、形成されている。このようなウェット処理装置１０は、噴出口１６から噴出した気体２４がウェット処理対象７の外周１４、１５とチャック１とに挟まれた隙間からに均一に噴出されることにより、チャック１に対向するチャック対向面２２にウェット処理液８が付着することを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】周波数偏差に起因するクロックまたは時刻情報のずれを精度よく算出する通信装置、及び通信方法を提供すること
【解決手段】基準クロック生成部２０は、クロック信号を出力する。無線部１０は、クロック信号に基づいて、情報の送受信を行う。距離推定部４０は、情報を送受信した時刻を示す複数の時刻情報に基づいて対向する通信装置との推定距離を算出する。補正部５０は、推定距離と、予め設定された対向する通信装置との装置間距離と、の差分に基づいて、時計部３０の生成する時刻情報または基準クロック生成部２０の生成するクロック信号の補正処理を行う。 （もっと読む）

【課題】封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制する。
【解決手段】多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型の下型に下面ゲート側キャビティや下面エアベント側キャビティが形成されたことで、多数個取り基板１０の上面１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成され、これにより、基板の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができ、基板の両面において発生する応力のバランスを取って多数個取り基板１０の反りを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】メモリセル面積を増大させることなく、配線間のカップリングノイズを低減可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の連想メモリセルが行列状に配置されている。複数のワード線ＷＬの各々は、各行に対応して配置され、連想メモリセルに接続されている。複数のマッチ線ＭＬの各々は、各行に対応して配置され、連想メモリセルに接続されている。互いに隣合う第１の行と第２の行とにおいて第１の行のワード線ＷＬ２と第２の行のワード線ＷＬ１とが互いに隣合っており、かつ互いに隣合う第２の行と第３の行とにおいて第２の行のマッチ線ＭＬ１と第３の行のマッチ線ＭＬ０とが互いに隣合っている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の空き領域が少ない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭの各メモリセルＭＣは、磁気抵抗素子１８と２つのアクセストランジスタ１９ａ，１９ｂを含み、トランジスタ１９ａ，１９ｂのドレインを磁気抵抗素子１８を介して対応のビット線ＢＬに接続し、それらのゲートを対応のワード線ＷＬに接続し、それらのソースをそれぞれソース線ＳＬおよび補助配線ＡＬに接続する。したがって、アクセストランジスタ１９ｂのソースとＤＬドライバ１４に含まれるドライバトランジスタ２３のソースとを共通化することができ、シリコン基板３１の表面の空き領域を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるティーチング方法では、位置を調整して、プロセスチャンバーを真空状態にして、位置のずれを顕微鏡で確認して、プロセスチャンバーを大気状態に戻して、また位置を調整する、という繰り返しを行うので、長い時間を必要とする上、気圧の変化を伴う作業は効率が悪い。さらに、顕微鏡を用いた作業者の目視による検査は、誤差が比較的大きい。
【解決手段】顕微鏡の代わりにＣＣＤカメラ３１を用い、ヒーターの基準位置に相当する第１の画像マーカーＡを用い、シャドウリング１８の中心位置の代わりに相当するアダプターリング調整治具１７に設けられた第２の画像マーカーＢを用いる。これら２つの画像マーカーＡおよびＢをＣＣＤカメラ３１にて測定し、アダプターリング調整治具１７の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】アプリケーション実行効率をよりよくすることができる半導体集積回路及びその制御方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、スキャンチェーンを有するプロセッサと、プロセッサにアプリケーションを実行させるプロセッサ制御部と、プロセッサのスキャンテストを制御するスキャンテスト制御部と、を有する。そして、スキャンテスト制御部がスキャンテストを実行している際に、プロセッサ制御部からのスキャンテスト中断要求があった場合、スキャンテストを中断し、アプリケーションの実行後に、スキャンテストを再開させるものである。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ（部材）２とキャビティ部（空間形成部）５ｄを備えるキャップ（部材）５を重ね合わせて接合することで、密封された空間８が形成され、空間８内にセンサチップ（半導体チップ）１および複数のワイヤ４を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ２とキャップ５の接合部を封止する封止工程において、キャップ５の上面５ａ全体と、キャップ２の下面２ｂ全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体９を形成する。これにより、封止工程において、キャップ５を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおけるボイドの発生を抑制する。
【解決手段】一対の第１辺３ａａ，３ａｂ及び一対の第２辺３ａｃ，３ａｄを有する四角形からなるダイパッド３ａにＭＣＵチップ１とＡＦＥチップ２を搭載し、ＭＣＵチップ１及びＡＦＥチップ２にワイヤボンディングを行った後、２つの第２辺３ａｃ，３ａｄのうちの一方の第２辺３ａｃ側から他方の第２辺３ａｄ側に向かって樹脂を供給し、前記樹脂をＭＣＵチップ１上の第１パッド群１ｃｃと第２パッド群１ｃｄとの間の開口に通してチップ間を充填することで、チップ間の領域におけるボイドの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】トリックプレイ（早送り、巻き戻し、逆スロー等）を組み合わせた複雑な再生を適切に評価すること
【解決手段】復号部１２は、ストリームデータに含まれる第１データに対し、通常再生にかかる復号を行った第１復号データを生成するとともに、トリックプレイを含む評価用再生をした場合の再生時刻と再生位置を関連付けた第１シナリオデータに従った復号を行った第２復号データを生成する。特徴抽出部１３は、第１復号データから再生位置と特徴値とを関連付けた第１通常再生情報と、第２復号データから再生時刻と特徴値とを関連付けた第１評価再生情報と、を生成する。フレーム検索部１６は、特徴値同士の比較判定から、第１通常再生情報の再生位置と、第１評価再生情報の再生時刻と、を含む第１評価データを生成する。評価部１７は、第１シナリオデータ、第１評価データに基づいて前記評価用再生の評価を行う。 （もっと読む）