説明

アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社により出願された特許

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【目的】検査処理時間を短縮させる基板検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の基板検査装置100は、基板101を検査する基板検査装置100において、水平方向に移動するXYステージ121と、前記XYステージ121上に配置され、上下方向と回転方向に移動するZ・θステージ122と、基板101の検査面の高さ位置が、Z・θステージ122の重心高さ位置に配置されるように基板101を保持する保持具102と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 適正な精度で試料検査を行う装置、方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【構成】 パターン形成された同一被検査試料の、複数の部分光学画像データ同士を比較する試料検査装置において、前記被検査試料の、光学画像データを取得する光学画像データ取得部150と、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう比較回路108とを備え、比較回路108において、所定の領域を示す領域パターンの情報に基づいて生成される領域画像データを入力し、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう場合に、前記領域画像データを参照して判定条件を変更し、試料上の欠陥の有無を判定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光学部品の劣化が少なく、照明光の減衰が少ない照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置は、基本波を発生する光源と、基本波を所定の形状に波形整形する波形整形部と、波形整形された基本波が照射され、基本波をより波長の短い照明光に変換し、所定の形状の照明光を発生するパターン発生部と、パターン発生部で発生した照明光を被照射物に照射するイメージリレー部と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】紫外線検査光に対するコントラストを向上させ、マスクの検査性能を向上させるEUV露光用マスクおよびこれを製作するためのEUV露光用マスクブランクを提供する。
【構成】基板12と、基板12上に設けられ、EUV光を反射する反射層14と、反射層14上に設けられ、EUV光を吸収する吸収層16を備え、波長150nm以上300nm以下の光の反射率が、吸収層16において反射層14よりも高いことを特徴とするEUV露光用マスクブランク10およびこれを加工して製作されるEUV露光用マスク20。 (もっと読む)


【課題】 ノイズの影響を簡便に低減させ、高画質で高品質の画像データを取得する多重スキャンによる画像取得方法、画像取得装置および試料検査装置を提供する。
【解決手段】 マスク11が載置されたステージに対して、1次元画像センサのライン方向と交差するX方向の走行移動と、ライン方向であるY方向のステップ移動と、を繰り返して第1スキャン・・・第9スキャン・・・第nスキャンの多重スキャンを行い、1次元画像センサによりマスク11の2次元画像データを取得する画像取得方法において、ステップ移動量を、1次元画像センサのライン方向の画素数からなるセンサ幅Wより小さくして、マスク11の同一領域の画像を1次元画像センサのライン上の異なる画素で複数回撮像し、これ等の異なる画素で撮像して得た画像データを画素間演算し平均化処理あるいは比較処理する。 (もっと読む)


【課題】 蓄積型(TDI)センサを用いたパターンの画像入力においてパターン光学像のTDI方向における解像性能を向上させる。
【解決手段】 画像入力装置30は、その特徴的な要部として、支持基板31上に固定して載置されたTDIセンサ10、支持基板31に対して周期的な位置移動を与えるTDIセンサ移動機構32、および該センサ移動駆動部32を制御するTDIセンサ移動制御回路33を有している。そして、TDI同期制御回路18、センサ駆動回路19、センサ出力I/F21、A/D変換回路22が備えられる。ここで、TDIセンサ10のTDI方向に転送される蓄積電荷の相対位置の偏差を相殺するように、TDIセンサ10はTDI方向に周期的に位置移動する。 (もっと読む)


【課題】 蓄積型(TDI)センサを用いたパターンの画像入力においてパターン光学像のTDI方向における解像性能を向上させる。
【解決手段】 縦横方向に配列した複数の画素で光電変換された各電荷をそれぞれ縦方向に積算し転送する垂直転送レジスタ、積算の最終段となる横方向の各画素からの積算された電荷を横方向に並行に転送する水平転送レジスタ、該水平転送レジスタにより転送された電荷を読み出しディジタル信号に出力するセンサ出力部、を有する蓄積型センサにおいて、垂直転送レジスタにおける垂直転送クロックを前半のVclk1、Vclk2と後半のVclk3、Vclk4の2つの部分に分け、水平転送クロックHclkにより、前半の電荷転送後に横方向の半分の各画素からの電荷を読み出し、後半の電荷転送後に残りの半分の各画素からの電荷を読み出す (もっと読む)


【目的】波長変換装置の非線形結晶交換を短時間かつ容易に行うことのできる波長変換装置システム、結晶保管装置、および波長変換装置の結晶交換方法を提供する。
【構成】光を非線形結晶114に通して波長変換する波長変換装置100と、この波長変換装置100で用いる交換用非線形結晶214を保管する結晶保管装置200とを備え、波長変換装置100が、非線形結晶114を固定する第1の結晶ホルダー110と、非線形結晶114を加熱する第1の加熱手段116とを有し、結晶保管装置200が、容器250と、容器250内の交換用非線形結晶214を固定する、第1の結晶ホルダー110と交換可能な第2の結晶ホルダー210と、交換用非線形結晶214を加熱する第2の加熱手段216とを有することを特徴とする波長変換装置システム。 (もっと読む)


【課題】レチクルを静止させた状態での検査の際の、検査光照射によるレチクルの損傷を抑制するレチクル欠陥検査装置およびレチクル検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたレチクル101に光を照射して得られるパターン画像を用いてレチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置であって、光のレチクルへの照射量を測定する照射量モニタ手段72と、この照射量モニタ手段で測定された照射量から積算照射量を算出し、予め定められた閾値と比較する手段74と、比較の結果、積算照射量が前記閾値を超えた場合に、光のレチクルへの照射を停止する手段76とを有することを特徴とするレチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法。 (もっと読む)


【目的】インテグレータによって生ずる輝点に起因する光学部品の劣化を抑制し、高精度の欠陥検査を長期間持続可能なレチクル欠陥検査装置およびこれを用いた検査方法を提供する。
【構成】パターンが形成されたレチクルに光を照射して得られるパターン画像を用いてレチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置であって、このレチクルに検査光を照射する照明光学系と、検査光が照射されたレチクルのパターン画像を検出する検出光学系を備え、照明光学系が、検査光の照度分布を均一化するためのインテグレータと、このインテグレータを、インテグレータの光軸に対して垂直方向に微動可能とする移動機構とを有することを特徴とするレチクル欠陥検査装置およびこれを用いた検査方法。 (もっと読む)


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