【課題】透明性、ハードコート性、帯電防止性に優れ、かつ高温高湿下における帯電防止性が良好である光学フィルムを提供すること。
【解決手段】平均エステル置換度が６０％〜９４％である、エステル置換度が異なる複数の糖エステル化合物、及びセルロースアシレートを含むセルロースアシレートフィルム基材上に、少なくとも有機系帯電防止剤、及び分子中に（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物を含む塗布組成物から形成された帯電防止性ハードコート層を有する光学フィルム。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、（Ｄ）下記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表される群より選択される少なくとも１種の溶剤を全溶剤中３〜２０質量％含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】 従来と同じ程度の時間で、２つの撮影部各々の合焦位置を正確に決定することができる撮影装置、およびその撮影装置における合焦位置決定方法を提供する。
【解決手段】 サーチ範囲設定部１２１でＡＦ検出部１２０が検出した第１のフォーカスレンズＦＬＡの合焦位置Ｐ１とフラッシュＲＯＭ１０２に記憶されている近傍側の探索領域の境界値Ｎと遠方側の探索領域の境界値Ｆとに基づいて、第２のサーチ領域となる一方の境界値Ｐｎ´をＰｎ´＝Ｐｎ＋Ｎという式から算出し、他方の境界値Ｐｆ´をＰｆ´＝Ｐ１−Ｆという式から算出する。メインＣＰＵ１００はこの算出結果を受け取って第２のＦレンズ駆動部１０４Ｂに指示して、第２のフォーカスレンズＦＬＢを第１のサーチ領域よりも狭い第２のサーチ領域（Ｐｎ´からＰｆ´）で移動させながら合焦位置Ｐ２をＡＦ検出部１２０に探索させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工により形成される穴の形状精度が優れると共に、積層される金属層の密着性が優れる穴付き積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる穴付き積層体を提供する。
【解決手段】基板上に第１の金属層１４と、樹脂および金属酸化物粒子を含む下地層１６と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を有する被めっき層１８とをこの順に備える加工前積層体１０に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体１０の被めっき層１８側の表面から第１の金属層１４表面に到達する穴２２を形成する穴形成工程を備え、下地層１６のヤング率が２．００〜４．００ＧＰａであり、金属酸化物粒子の平均一次粒子径が１００ｎｍ以下であり、下地層１６中における金属酸化物粒子の含有量が、樹脂１００質量部に対して、５〜３０質量部である、穴付き積層体２０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜の積層工程と、スクライブ工程が分離された集積化太陽電池の製造方法において、溝壁面の絶縁性を良好なものとして効率の高い集積化太陽電池を得る。
【解決手段】少なくとも表面が絶縁性である基板10上に、下部電極層12、光電変換層13および透光性導電層16を順に積層し、メカニカルスクライブおよびレーザスクライブにセル分離を行う第１および第２の溝21、22を形成し、溝21の一方の側壁21aを覆い、かつ他方の側壁21bから離間したライン状の絶縁部を形成し、セル間を電気的に接続する接続部を絶縁部上に形成する。インクジェット法により細幅ライン絶縁部を形成する工程を複数回繰り返して絶縁部を形成する。複数回形成される細幅ライン絶縁部のうち最も一方の側壁21a側の細幅ライン絶縁部３３を、他方の側壁21b側の細幅ライン絶縁部３２を形成した後に形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた熱電変換性能を備えた熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの多孔質陽極酸化皮膜３を有する基板２上に、無機酸化物半導体を主成分として含有し且つ空隙構造を有する熱電変換層４を積層する。熱電変換層内に空隙構造が形成されると熱伝導率が低下すると共に導電率やゼーベック係数においても非常に優れたものとなる。前記無機酸化物半導体は、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ３、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、フッ素ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、及びガリウムドープＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯからなる群より選ばれる。 （もっと読む）

【課題】優れた熱電変換性能を備えた熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの多孔質陽極酸化皮膜を有する基板上に、融点３００℃以上の元素を主成分として含有し且つ空隙構造を有する熱電変換層を積層してなる熱電変換素子、及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】給電先探索動作を行いながら医療機器に対して非接触給電を行っても、生体情報を正確に取得することができる医療機器の非接触給電システムを提供する。
【解決手段】各医療機器の動作状態が監視され（Ｓ１）、いずれかの医療機器において電磁波干渉の影響を受けやすい処理を行っているか否かが判定され（Ｓ２）、いずれの医療機器においても電磁波干渉の影響を受けやすい処理を行っていない場合は、非接触給電器による給電先探索動作が開始され（Ｓ３）、給電先の存在が確認され且つその給電先に給電が必要である場合に（Ｓ４）、非接触給電が実行される（Ｓ５）。いずれかの医療機器で電磁波干渉の影響を受けやすい処理を実行中であると判定された場合は、非接触給電器による給電先探索動作が停止される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】通信故障等のために本来の通信能力を発揮することができない場合や内視鏡スコープ及びプロセッサー装置の画像処理能力が異なる場合であっても、内視鏡スコープからプロセッサー装置に撮影画像データを適切に供給することができる内視鏡装置を提供する。
【解決手段】内視鏡装置１０は、内視鏡スコープ２０と、内視鏡スコープ２０から入力される画像信号Ｓ２に処理を施して映像信号Ｓ３を作成するプロセッサー装置３０とを備える。プロセッサー装置３０における通信能力状態及び画像処理能力に基づく最大処理能力の情報は、プロセッサー側通信デバイス３３介して出力される。スコープ側制御部２４は、内視鏡スコープ２０及びプロセッサー装置３０の通信能力状態及び画像処理能力に基づく最大処理能力を超えない範囲で画像信号Ｓ_２がスコープ側通信デバイス２５から出力されるように、撮像部２１（撮像ドライバー２３）及びスコープ側画像処理部２２を制御する。 （もっと読む）