【課題】 半田ボール等の外部接続端子の位置精度を高めるとともに、外部接続端子と電極パッドとの間の接続信頼性を高める。
【解決手段】 半導体装置１００は、基板１１１と、基板１１１上に形成された電極パッド１１３及び絶縁層１１５と、電極パッド１１３に電気的に接続された半田ボール１４１とを含む。絶縁層１１５は、電極パッド１１３上に開口部１１５ａを有する。半導体装置１００は更に、絶縁層１１５の開口部１１５ａ内で電極パッド１１３に接合され、半田ボール１４１を受ける金属膜１６１を含む。金属膜１６１は、電極パッド１１３に接する底部１６１ａと、当該金属膜の外周部が底部１６１ａの縁部から突出した突出部１６１ｂとからなるカップ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズを増やすことなく、欠陥箇所の試験および欠陥箇所を置き換える場所の試験を行う。
【解決手段】 半導体メモリは、第１データ変換部、バッファメモリ、メインメモリおよび第２データ変換部を有している。第１データ変換部は、第１データを第２データに変換するための第１テーブルを含む。バッファメモリは、第２データを一時的に格納する。メインメモリは、バッファメモリに格納された第２データを格納する。第２データ変換部は、メインメモリから読み出される第２データを第１データに変換するための第２テーブルを含む。さらに、バッファメモリは、メインメモリの欠陥アドレスを格納し、第１データ変換部は、欠陥アドレスに対応する第１テーブルのアドレスに欠陥情報を格納する。 （もっと読む）

【課題】半導体回路に影響を与えることなく確実に電極パッドとの電気的接続を得ることのできるプローバー装置を得る。
【解決手段】１又は複数のプローブ針を有するプローブカードと、前記プローブ針を振動させるための振動子と、を有し、前記プローブ針は屈曲部を有しており、前記プローブ針には、前記屈曲部から前記先端までの先端部を振動させる固有振動数が与えられるものであることを特徴とするプローバー装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
移相器が生成するローカル周波数信号に位相ずれが生じても復調信号や変調信号に位相誤差が生じない直交変復調回路を提供する。
【解決手段】
直交復調回路は，変調信号が入力される第１〜第４の乗算器と，第１，第３の乗算器に第１のローカル周波数信号を供給し，第１のローカル周波数信号に対して所定の位相差を有する第２のローカル周波数信号を第２の乗算器に，それと逆相の第３のローカル周波数信号を第４の乗算器に供給する移相器と，第１，第２の乗算器の出力信号を加算して第１の復調信号を出力する第１の加算器と，第３，第４の乗算器の出力信号を加算して第２の復調信号を出力する第２の加算器とを有する。 （もっと読む）

【課題】出力部と同じ入出力端子に接続された入力部の故障を、出力部とは独立して検出可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】入力部１１と入出力端子Ｐ１との間にスイッチＳＷ１を設け、入力部１１と出力部１２との間にスイッチＳＷ２を設け、入力部１１の検査時に、スイッチＳＷ１は入力部１１と入出力端子Ｐ１とを電気的に切り離し、スイッチＳＷ２は入力部１１と出力部１２とを電気的に切り離し、入力値生成部１３は、入力値を入力部１１に入力し、故障判定部１４は、入力値と、入力部１１からの出力値とを比較し、入力部１１の故障の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】ローカルクロック信号に同期し、入力クロック信号に基づく周波数の出力クロック信号を出力することができる位相ロックループ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ローカルクロック信号及び第１のクロック信号の位相を比較する第１の位相比較器（１０７）と、第１の位相比較器により出力される信号の電圧に応じた周波数の出力クロック信号を出力する電圧制御発振器（１０９）と、電圧制御発振器により出力される出力クロック信号を分周し、その分周した出力クロック信号を第１のクロック信号として第１の位相比較器に出力する第１の分周器（１１０）と、入力クロック信号及び電圧制御発振器により出力される出力クロック信号の位相を比較する第２の位相比較器（１１１）と、第２の位相比較器により出力される信号に応じて第１の分周器の分周比を制御する制御部（１１２，１１３）とを有する位相ロックループ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】
電源起動時の消費電力を抑制したバンドギャップレファレンス回路を提供する。
【解決手段】
バンドギャップレファレンス回路は，第１，第２の特性で変化する第１，第２の電圧を生成する第１，第２のＰＮ接合素子回路と，第１及び第２の電圧を入力端子対に入力し第１及び第２の電圧との差電圧に応じて高電位電源から出力端子に供給される出力電流を増減するアンプとを有し，出力電圧が第１及び第２のＰＮ接合素子回路に供給される。さらに，出力電圧が閾値電圧より小さいに，アンプに差電圧にかかわらず出力電流を出力端子に供給させる出力電流調整部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開発時間を短縮することができる半導体装置及び半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】クロック信号制御回路１１ａは、第１開始信号Ｓｓ１及び第１休止信号Ｓｈ１に基づいて、試験装置からのクロック信号ＣＫを第１内部クロック信号ＩＣＫ１として内部回路１２ａ、ＢＩＳＴ回路１３ａ、遅延制御回路１４ａに出力する。遅延制御回路１４ａの試験開始制御回路２８ａは、カウンタ回路２５ａの第１カウント値Ｄｃ１と試験開始値Ｄｓとが等しくなると、Ｈレベルの第２開始信号Ｓｓ２を第２チップＣ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリと、精度が低くても高耐圧性が要求されるキャパシタと、耐圧性が低くても高精度が要求されるキャパシタとを備えた半導体装置を比較的少ない工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたシリコン膜１３により、フラッシュメモリのフローティングゲートと高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂとを形成する。この場合、シリコン膜１３中の不純物濃度を、フラッシュメモリに適した濃度とする。その後、半導体基板１０に不純物をイオン注入して高精度キャパシタの下部電極となる高濃度不純物領域１５を形成する際に、高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂに不純物を追加注入し、下部電極１３ｂの不純物濃度を向上させる。次いで、高精度キャパシタの誘電体膜１２を、増速酸化により形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、半導体集積回路の論理回路をシミュレーションするする装置に関し、特に、ハードウェアとソフトウェアとの協調動作によって論理回路を検証することを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、評価回路の論理回路部を表すハードウェアと、前記評価回路の動作モデルとして機能する動作モデル部とを用いてシミュレーションする協調シミュレーション装置であって、前記ハードウェアは、該ハードウェア内部で検出した信号の変化毎に生成した第1番号を、該信号の変化を前記ソフトウェアに通知するデータに付加する第１番号付加手段を有し、前記動作モデル部は、受信した前記データの前記第1番号と、第１期待値とを比較する比較手段として機能することにより達成される。 （もっと読む）