【課題】 電源検出回路の誤動作を抑制すること
【解決手段】 パワーダウン検出回路１０及びパワーオン検出回路１２を初期化するための初期化信号ｎｒｓｅｔｘを生成するスタータ回路１８において、パワーオンが検出されている第１期間に電源電圧を中間ノードへ供給する切替回路を有する。第１の期間において第１電源電圧から中間ノードへ電源電圧を供給することにより、スタータ回路の出力を安定させることができる。その結果、電源検出回路の誤動作を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 機械的な切断時の樹脂の剥離や損傷を軽減もしくは回避することにより、信頼性が高く、かつ電気的特性に優れた多層配線基板の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の樹脂層と複数の配線層が積層形成され、コア基板を有しない配線基板を複数個配設した多層配線基板であって、多層配線基板を切断して各配線基板に個片化するために、各配線基板が単一の樹脂層により連続して配設される。 （もっと読む）

【課題】溝内に配線を埋め込む際に層間絶縁膜の表面に深い凹部が生じるのを防止し得る半導体装置の設計方法等を提供する。
【解決手段】単位面積当たりの配線パターンの周囲長の総和を各々の単位領域毎に算出するステップＳ６と、単位領域内における配線パターンの周囲長の総和が第１の値以上である第１の領域と第２の値以下である第２の領域とを抽出するステップＳ７，Ｓ８と、第１の領域に隣接する第３の領域内に単位面積当たりの周囲長の総和が第３の値である第１のダミーパターンを配置し、第２の領域に隣接する第４の領域内に単位面積当たりの周囲長の総和が第４の値である第２のダミーパターンを配置するステップＳ９，Ｓ１０と、第３の領域と第４の領域との間の第５の領域内に単位面積当たりの周囲長の総和が第３の値より小さく、第４の値より大きい第５の値である第３のダミーパターンを配置するステップＳ１１とを有している。 （もっと読む）

【課題】チップの搭載を短時間で確実に実施できるようにする。
【解決手段】基板１０上にＢステージ化したフィルム接着剤２１を設け、フィルム接着剤２１を介してチップ１を基板１０に仮固定する。さらに、チップ１上に封止フィルム４１を供給してから、プレスヘッド４３で押圧する。プレスヘッド４３の温度を調整して、最初に封止フィルム４１のみを軟化させてチップ１間の空間４０に封止フィルム４１の材料を充填させる。次に、プレスヘッド４３の温度を上昇させ、フィルム接着剤２１を軟化させてバンプ２と電極パッド１３Ａを接続させる。この後、プレスヘッド４３の温度をさらに上昇させてフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１をＣステージ化する。 （もっと読む）

【課題】
直交変調回路のキャリアリークを抑制する。
【解決手段】
送信回路は，第１のベースバンド信号と発振信号とのいずれか一方を選択する第１のスイッチと，第２のベースバンド信号と発振信号とのいずれか一方を選択する第２のスイッチと，第１のスイッチが選択した信号と発振信号に基づく第１のローカル周波数信号とを乗算する第１の乗算器と，第２のスイッチが選択した信号と発振信号に基づく第２のローカル周波数信号とを乗算する第２の乗算器と，第１，第２の乗算器の出力を加算する加算器と，第１，第２のスイッチが発振信号を選択した場合に，加算器の出力のレベルに応じて第１，第２のベースバンド信号をそれぞれ補正する補正部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 入出力部の電源配線の近傍にバイパスコンデンサを配置する場合、ＬＳＩの端子数が多くなると、バイパスコンデンサを配置するための領域を確保することが困難になる。
【解決手段】 半導体基板の表面に、電子回路素子が形成されている電子回路領域が画定される。半導体基板の上に、一方に基準電位が印加され、他方に電源電圧が印加される第１及び第２の配線が配置される。シールリングが、電子回路領域を取り囲むように、半導体基板の上に配置される。シールリングは、第１の配線に電気的に接続される。第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。第１の不純物拡散領域の上に誘電体膜が配置される。誘電体膜の上に、シールリングに電気的に接続され、導電材料で形成されたキャパシタ導電膜が配置される。 （もっと読む）

【課題】 半田ボール等の外部接続端子の位置精度を高めるとともに、外部接続端子と電極パッドとの間の接続信頼性を高める。
【解決手段】 半導体装置１００は、基板１１１と、基板１１１上に形成された電極パッド１１３及び絶縁層１１５と、電極パッド１１３に電気的に接続された半田ボール１４１とを含む。絶縁層１１５は、電極パッド１１３上に開口部１１５ａを有する。半導体装置１００は更に、絶縁層１１５の開口部１１５ａ内で電極パッド１１３に接合され、半田ボール１４１を受ける金属膜１６１を含む。金属膜１６１は、電極パッド１１３に接する底部１６１ａと、当該金属膜の外周部が底部１６１ａの縁部から突出した突出部１６１ｂとからなるカップ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズを増やすことなく、欠陥箇所の試験および欠陥箇所を置き換える場所の試験を行う。
【解決手段】 半導体メモリは、第１データ変換部、バッファメモリ、メインメモリおよび第２データ変換部を有している。第１データ変換部は、第１データを第２データに変換するための第１テーブルを含む。バッファメモリは、第２データを一時的に格納する。メインメモリは、バッファメモリに格納された第２データを格納する。第２データ変換部は、メインメモリから読み出される第２データを第１データに変換するための第２テーブルを含む。さらに、バッファメモリは、メインメモリの欠陥アドレスを格納し、第１データ変換部は、欠陥アドレスに対応する第１テーブルのアドレスに欠陥情報を格納する。 （もっと読む）

【課題】半導体回路に影響を与えることなく確実に電極パッドとの電気的接続を得ることのできるプローバー装置を得る。
【解決手段】１又は複数のプローブ針を有するプローブカードと、前記プローブ針を振動させるための振動子と、を有し、前記プローブ針は屈曲部を有しており、前記プローブ針には、前記屈曲部から前記先端までの先端部を振動させる固有振動数が与えられるものであることを特徴とするプローバー装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
移相器が生成するローカル周波数信号に位相ずれが生じても復調信号や変調信号に位相誤差が生じない直交変復調回路を提供する。
【解決手段】
直交復調回路は，変調信号が入力される第１〜第４の乗算器と，第１，第３の乗算器に第１のローカル周波数信号を供給し，第１のローカル周波数信号に対して所定の位相差を有する第２のローカル周波数信号を第２の乗算器に，それと逆相の第３のローカル周波数信号を第４の乗算器に供給する移相器と，第１，第２の乗算器の出力信号を加算して第１の復調信号を出力する第１の加算器と，第３，第４の乗算器の出力信号を加算して第２の復調信号を出力する第２の加算器とを有する。 （もっと読む）