【課題】耐圧の低下を抑制しつつ電流駆動能力の向上と小型化とを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＳＯＩ基板の半導体層の上面に沿って形成されたゲート電極３１と、ソース拡散領域１８_１〜１８_Ｎと、電荷収集領域１９_１〜１９_Ｎ＋１と、ドレイン拡散領域１６と、電界緩和領域１７とを備える。ソース拡散領域１８_１〜１８_Ｎと電荷収集領域１９_１〜１９_Ｎ＋１とは、Ｙ軸方向に沿って交互に配列されている。ソース拡散領域１８_１〜１８_Ｎの各々の幅をＷ_ｅｆｆとし、ゲート電極３１の長さをＬ_ｇとし、ゲート電極３１とドレイン拡散領域１６との互いに対向する端部間の距離をＬ_{ｄｒｉｆｔ}とするとき、Ｗ_ｅｆｆ／２≦Ｌ_ｇ＋Ｌ_{ｄｒｉｆｔ}／２、との関係式が成立する。 （もっと読む）

【課題】画像表示パネルに供給されるべき輝度電位の精度悪化を軽減でき且つサイズを小さくすることができる画像表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】複数の階調電位を生成する階調電位生成部と、順次供給される画像データに基づいて当該複数の階調電位を順次選択するデコーダと、当該選択された階調電位に基づいて輝度電位を生成してこれを画像表示パネルに供給する駆動部と、当該画像データを構成する複数桁のビットのうちの少なくとも１つの桁のビットを制御ビットとして抽出する抽出部と、を含み、当該駆動部は当該輝度電位の高さを当該制御ビットに応じて調整する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の確保、素子サイズの増加の回避、及び製造プロセスの簡素化を実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１１１の主面に、ＬＯＣＯＳ酸化膜１１２ｂを含む酸化膜１１２を形成する工程と、Ｓｉ基板１１１の主面の側に、ソース・ゲート形成領域１１３ａとドレイン形成領域１１３ｂとを形成する工程と、レジスト１１６をマスクとして、Ｓｉ基板１１１の主面の側のＬＯＣＯＳ酸化膜１１２ｂで覆われていないトレンチ１１４を通してイオン１１７注入を行い、イオン注入層１１８を形成する工程と、ＬＯＣＯＳ酸化膜１１２ｂ上及びソース・ゲート形成領域１１３ａ上を部分的に覆うようにゲート電極１１９を形成する工程とを有し、イオン注入層１１８のゲート電極１１９側の端部とゲート電極１１９のイオン注入層１１８側の端部との間に間隔１２１が存在するように、各工程を行う。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件の見直しを最小限に抑制しつつ電気的特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体構造１１の上面領域に形成された島状の絶縁膜２０と、絶縁膜２０の上面領域に配列された複数の凸状絶縁部２３と、これら凸状絶縁部２３と絶縁膜２０とを被覆する層間絶縁膜２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】トレンチ分離構造の上面の周縁部にディボットが形成されても、このディボットに起因するゲート絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、トレンチ分離構造２０Ｂと、トレンチ分離構造２０Ｂで区画される活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０の上面からトレンチ分離構造２０Ｂの上面まで延在するゲート電極層３１と、ゲート電極層３１の両側に形成された第１及び第２の不純物拡散領域１３Ｄ，１３Ｓとを備える。ゲート電極層３１は、ゲート絶縁膜３０と第１の不純物拡散領域１３Ｄとの間の領域に貫通孔３１ｈを有し、貫通孔３１ｈは、トレンチ分離構造２０Ｂの上面の周縁部の直上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 従来のCIFSプロトコルやFTPプロトコルを用いる方法では、ネットワークの管理ポリシーの観点から、同一ユーザに対するファイルアクセスにおいて、特定のネットワークからはRead/Writeを許可するが、別のネットワークからはReadのみでWriteは許可しない場合、それを実現することが出来なかった。
【解決手段】 第１のＬＡＮ環境に接続されている端末ＰＣ群から第２のＬＡＮ内のファイルにアクセスする場合に、前記端末ＰＣ群から発行されたＵＲＬに対応する前記ファイルサーバ上のデータ領域を前記Ｗｅｂサーバ上の前記仮想ディレクトリにマウントし、該マウントしたデータ領域を前記端末ＰＣ群から読み取ることにより第２のＬＡＮ環境から第１のＬＡＮ環境にのみファイルを転送可能とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の技術においては、ROM3個分のテスト時間を2個分のテスト時間までしか短縮できないという問題、或いは、加算或いは減算をおこなうため、データビット数の変動の虞があると共に、信頼性が低下する虞があった。
【解決手段】 複数個のROMに書き込まれたデータをテストする場合のROMテスト時間の短縮方法に於いて、複数個のROMの二つずつのROMの出力データのビット毎の比較を行う比較手段を備え、該比較手段の出力を複数個のROMに対応してそれぞれ記憶させ、該複数の記憶手段の出力データに対して、演算の順序が異なる少なくとも二つの異なる内容の演算を行い、該演算結果を期待値と比較することでROMデータを検査する。 （もっと読む）

【課題】チャタリング抑制の特性を維持したまま、電源電圧や温度の影響による出力周波数の変化を抑制する。
【解決手段】スイッチＳＷＨ及びＳＷＬがオフ状態で、入力信号がＶｔｈＬより大きくＶ_ＤＤ／２未満の場合、第１インバータ１２の閾値電圧はＶ_ＤＤ／２となり、出力信号ＯＵＴはハイレベルとなる。入力信号がＶ_ＤＤ／２〜ＶｔｈＨとなると、出力信号ＯＵＴが立ち下がり、制御信号ＣＳＬが立ち上がって、スイッチＳＷＬがオンされ、閾値電圧は低電位側に変化する。入力信号がＶｔｈＨを超えると、信号ＳＬＨが立ち下り、入力信号が再びＶｔｈＨ未満となると、信号ＳＬＨが立ち上がり、制御信号ＣＳＬが立ち下がって、スイッチＳＷＬがオフされ、閾値電圧は再びＶ_ＤＤ／２に変化する。入力信号がＶ_ＤＤ／２〜ＶｔｈＬとなると、出力信号ＯＵＴが立ち上がり、制御信号ＣＳＨが立ち上がって、スイッチＳＷＨがオンされ、閾値電圧は高電位側に変化する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、プログラムメモリ空間にハンドラが存在しなければならず、プログラムメモリ空間の制約が厳しい組み込み系では、適用できない場合があり、また、割り込み移行時間およびハンドラでの測定用プログラムコードの処理時間が発生するため、精度が要求される実行時間の測定には不向きであった。
【解決手段】アドレス監視手段２とプログラムカウンタ４と信号発生手段３とを少なくとも備えた組み込みシステムに於けるプログラム性能の測定方法に於いて、アドレス監視手段２がプログラムカウンタ４を監視し、所定のアドレスのプログラムコードが実行された場合に、アドレス監視手段２が信号発生部４に対して、所定の表示信号パタンの出力を指示する。 （もっと読む）

【課題】複数ＰＷＭ信号を自由に設定可能なＰＷＭ信号出力回路で各ＰＷＭ信号の相補の使用を適正に行う。
【解決手段】クロック計数用のカウンタとデッドタイム値記憶用レジスタと、開始設定値と停止設定値が設定され且つ生成した自開始信号で立上り自停止信号で立下るＰＷＭ信号を各々出力する複数のＰＷＭ信号出力手段とを備え、各々先の立下げＰＷＭ信号を出力する前段側と次の立下げＰＷＭ信号を出力する後段側とし、後段側は自開始設定値と前段側の停止設定値との差がデッドタイム値より小さく当該停止設定値とデッドタイム値の和がカウンタ値と一致した場合に、また差がデッドタイム値以上で自開始設定値とカウンタ値とが一致した場合に開始信号を生成し、前段側は自開始設定値がデッドタイム値より小さくデッドタイム値とカウンタ値が一致すると、また自開始設定値がデッドタイム値以上で自開始設定値とカウンタ値が一致すると開始信号を生成する。 （もっと読む）