【課題】半導体ウエハを加熱する加熱板の上方に設けられる天板に気化されたレジストが付着し固化してそのまま残留してしまうのを抑制するようにした熱処理装置の排気構造を提供する。
【解決手段】レジストが塗布された半導体ウエハ１を載置して半導体ウエハ１を加熱する加熱板１２の上方に設けられると共に、加熱板１２による加熱によって気化されたレジストが付着することで液化し、液化したレジストが周縁部２６に向かって流れるように頂部２４を有する天板１４と、周縁部２６まで流れたレジストが加熱板１２による加熱によって再度気化され、再度気化されたレジストが排気されるように天板の周縁部２６の近傍に設けられる排気口３８と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】センサ素子領域が形成されない領域を抑制し、センサ素子領域を広く確保したチップを形成することができる、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０では、センサ素子領域２２の短辺側のみにガードリングパターン２４ａが設けられた第１エリア２０と、センサ素子領域２２の長辺に沿うような形状、かつガードリングパターン２４ａと接続されるように両端部が鉤状に曲折したガードリングパターン２４ｂを線対称に一対形成された第２エリア４０と、が形成されている。当該フォトマスク１０を用いてウエハ基板５０上に露光装置のブラインド機能を用いて各領域を露光する際は、ガードリングパターン２４ａの端部及びガードリングパターン２４ｂの端部が接続されるように繰り返し露光すると共に、ガードリングパターン２４ａの端部同士が接続されるように繰り返し露光する。 （もっと読む）

【目的】受信強度に拘わらず高精度な復調を行うことが可能な受信装置及び多重フィルタの制御方法を提供することを目的とする。
【構成】送信信号を受信して得られた周波数信号に対して、夫々が異なる周波数特性を有する複数のフィルタが直列に接続されてなる多重フィルタによって周波数選択処理を施すにあたり、受信強度が所定の閾値受信強度よりも高い場合には、複数のフィルタの内の少なくとも１つのフィルタの中心周波数を偏倚させる。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの表面の突出部に起因する不具合が発生し難い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、表面の突出部に突出部、例えば、プロービング痕２１が存在する電極パッド２を備える基板１上に、電極パッド２の少なくとも一部を覆う第１の絶縁膜４を形成する第１の絶縁膜形成工程と、第１の絶縁膜４の表面から突起した部分２２を除去することができる処理を行う除去処理工程と、除去処理工程後に、第１の絶縁膜４上及び電極パッド２上に第２の絶縁膜５を形成する第２の絶縁膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】保護回路に設けられた端子数を増加させることなく、保護回路の外部に設けられた第２スイッチング素子により電池の放電を行うことができる、電池監視システム及び放電方法を提供する。
【解決手段】セルバランス回路１４の保護回路２０の内蔵セルバランス用ＦＥＴ２２におけるＮＭＯＳトランジスタＮをオン状態にすることにより、ダイオードＤの順方向電圧及び外付けセルバランス用ＦＥＴ１２のＮＭＯＳトランジスタＮのゲート−ソース間の信号線Ｌに設けられた抵抗Ｒによる電圧降下を利用して、ＮＭＯＳトランジスタＮのゲート−ソース間電圧を大きくしてＮＭＯＳトランジスタＮをオン状態にして、電池セルの正極（高電位）側・負極（低電位）側を短絡させて放電させる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成であり且つトランジスタ毎にしきい値電圧が異なる半導体集積回路のトランジスタ素子の提供。
【解決手段】ソース領域１６Ａ，１６Ｄ、ドレイン領域１６Ｂ，１６Ｃおよびチャネル領域を備えた支持基板（Ｓｉ基板２）上に、ゲート電極１０とゲート電極１０を覆う中間膜１８とを備える第１および第２のトランジスタ構造を、少なくとも有し、前記第１のトランジスタ構造におけるゲート電極１０とチャネル領域とが重なる領域には、中間膜１８上に、第１のトランジスタ構造のしきい値電圧に変動を及ぼす範囲でゲート電極１０とチャネル領域とが重なる領域の大部分を覆うよう支持基板（Ｓｉ基板２）に応力を印加する応力膜２２を有し、前記第２のトランジスタ構造におけるゲート電極１０とチャネル領域とが重なる領域には、中間膜１８上に、支持基板（Ｓｉ基板２）に応力を印加する応力膜２２を有さない半導体集積回路のトランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】定電圧を出力する回路を構成するトランジスタのドライブ能力を向上させた場合でも、そのトランジスタのオフリーク電流が、前記定電圧を電源とする出力負荷のオフリーク電流を超過するのを防ぐ。
【解決手段】レギュレータ１０は、非反転入力端子に基準電圧が入力されると共に、反転入力端子に出力負荷が接続されたオペアンプＯＰと、ゲートがオペアンプＯＰの出力端Ｏ／に接続されると共にドレインがオペアンプＯＰの反転入力端子に接続され、動作状態でオンし非動作状態でオフするＰＭＯＳトランジスタｐ１１と、電源ｖｄｄとＰＭＯＳトランジスタｐ１１のソースとの間に直列接続され、ＰＭＯＳトランジスタｐ１１よりもゲート幅／ゲート長比が小さく、動作状態でオンし非動作状態でオフするＰＭＯＳトランジスタｐ１２と、を含む出力回路Ｘ１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＯＦＤＭ受信機において、遅延時間の変動を検出して等化器を切り換えるためのドップラー周波数推定回路を提供する。
【解決手段】ドップラー周波数推定回路は、直交周波数分割多重変調された無線信号を復調して得られた受信信号の振幅を閾値ＴＨ１と比較し、一定時間毎にその時間内で該受信信号の振幅が該閾値ＴＨ１を通過する回数をカウントするカウント手段４１ａ，４２ａと、前記カウント手段４１ａ，４２ａのカウント値を閾値ＴＨ３と比較して比較結果の信号を出力する比較手段４３ａと、前記比較結果の信号を前記一定時間だけ遅延させて出力する遅延手段４４ａと、前記比較手段４３ａと前記遅延手段４４ａから出力される信号の差分を算出する差分算出手段４５ａと、前記差分算出手段４５ａで算出された差分に含まれる高周波成分を除去してドップラー検出信号を出力する平滑手段４７と、を備えている。 （もっと読む）

【目的】アクセス保証されている規定の最小サイクルよりも短いアドレス周期でのデータ読出動作から、規定の最小サイクルでのデータ読出動作への移行時におけるアクセス遅延を短縮することが可能な半導体メモリの内部電源電圧生成回路及び内部電源電圧生成方法を提供することを目的とする。
【構成】外部電源電圧を昇圧して昇圧電圧を生成しこれを内部電源電圧として出力ラインを介して半導体メモリに供給しつつ、出力ラインに一端が接続されているコンデンサの他端に基準低電位を印加すると共にこの出力ラインに外部電源電圧を印加することによりコンデンサを充電し、内部電源電圧が閾値電圧より低い場合にこのコンデンサの他端に外部電源電圧を印加することにより出力ライン上の内部電源電圧を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】レギュレータの出力電圧がチャージポンプ回路だけでなく他の回路に供給される場合において他の回路の動作を不安定にすることなくチャージポンプ回路がポンプ動作を行うことができる昇圧システム及び半導体チップを提供する。
【解決手段】レギュレータ１１と、チャージポンプ回路１２と、を備え、レギュレータ１１の出力段は電源電圧の印加端子から第１コンデンサＣ１へ流れる電流を制限し、チャージポンプ回路１２は昇圧動作として実行し、第１スイッチ手段ＳＷ１は昇圧動作の開始から所定時間経過するまでは所定時間経過後に比してオン抵抗を高くして出力端子から第２コンデンサＣ２へ流れる電流を制限する。 （もっと読む）