説明

ラピスセミコンダクタ株式会社により出願された特許

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【課題】入力信号の状態が適正であるかを確認することができる、ラッチ回路、トリミング回路、システム、判定プログラム、確認方法、及び判定方法を提供する。
【解決手段】トリミング回路14の読出回路20から出力されるトリミング素子であるヒューズ素子H1の状態に応じた入力信号I1が入力されるラッチ回路22を、ラッチ回路L1と、ラッチ回路L2と、一致確認回路26と、で構成している。ラッチ回路L1は、入力信号I1の論理値をタイミングT1で保持して、保持した論理値に応じた出力信号O1をトリミング回路14の外部に出力する。ラッチ回路L2は、タイミングT1よりも遅いタイミングT2で保持して、保持した論理値に応じた出力信号O2を出力する。一致確認回路26は、排他的論理和回路30により構成されており、出力信号O1と出力信号O2とが一致しているか否かを示す一致判定信号X1を外部の判定回路18に出力する。 (もっと読む)


【課題】デバッグを効率的に行なうことができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】受信されたパケットをその宛先に応じて分配する分配部と、自身に分配されたパケットを各々が順次蓄積する複数の蓄積部と、中継許可指令に応じて当該蓄積部のうちの対応する1つに蓄積されているパケットを対応する1つの処理部に各々が供給する複数の中継部と、自身に分配されたパケットが中継許可パケットであると判別した場合に当該中継部のうちの当該中継許可パケットによって指定された1つに対して当該中継許可指令を与える出力制御部と、を含む半導体集積回路。 (もっと読む)


【課題】格納された鍵の値の推測を困難にすることができる、鍵格納回路、半導体集積回路、及びシステムを提供する。
【解決手段】LSI10に搭載された鍵格納ブロック20は、k個のヒューズメモリセル30を有するヒューズブロック22と、鍵生成回路24と、を備えており、ヒューズブロック22からは予め実装されているビット長kの固定出力値fout[k−1:0]が出力される。鍵生成回路24は、レジスタ及び復号器を含んで構成されており、復号器は、演算処理により、固定出力値fout[k−1:0]と、レジスタの出力値と、からビット長n(n>k)の鍵key[n−1:0]を生成して出力する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を、より小型化することができる半導体装置、当該半導体素子、及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子12は、階調電圧を出力する半導体素子内部出力部30C,30D(第1及び第2の階調電圧出力部)と、半導体素子内部出力部30Cの周辺に配置され、半導体素子内部出力部30Cに電源を供給する第1の電源端子電極52aと、半導体素子内部出力部30Dの周辺に配置され、半導体素子内部出力部30Dに電源を供給する第2の電源端子電極52aと、を備え、基板18は、半導体素子内部出力部30C,30Dの両方に共通して接続され、半導体素子12の下側に設けられた共通接続部94(第1の配線パターン)と、共通接続部94と外部入力端子(22)とを電気的に接続するインピーダンス調整部96(第2の配線パターン)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】システムリセット時の起動時間を短縮可能な情報処理システムを提供する。
【解決手段】複数の機能モジュールの内の機能モジュール1では、システムリセット信号にてPLL回路10及び信号処理部12をリセットした後にPLL回路10へのリセットを解除する。リセット解除後にPLL回路10で生成された内部クロック信号がシステムクロック信号に位相ロックしていない場合には起動中を示す第1の起動状態信号を機能モジュール2に供給する。位相ロックしている場合には起動完了を示す第2の起動状態信号を機能モジュール2に供給すると共に信号処理部12へのリセットを解除する。機能モジュール2では、第1の起動状態信号にてPLL回路20及び信号処理部22をリセットする。そして、第2の起動状態信号にてPLL回路20へのリセットを解除し、リセット解除後に、位相ロックした時に信号処理部22へのリセットを解除する。 (もっと読む)


【課題】撮像部によって指示光の位置を検出する構成において、環境光の影響を軽減して指示光の検出精度の向上を実現する。
【解決手段】遠隔指示器から射出される指示光(赤外光)が検出されていない期間(50が肯定)に、指示光の検出範囲内を定期的に撮像することで得られた背景画像をフレームメモリに上書き記憶しておき(52〜60)、指示光(赤外光)が検出されると指示光の検出範囲を撮像し(64)、背景画像との差分画像を生成し(66)、差分画像から高輝度領域を抽出し(68)、指示光領域の探索、位置の演算、出力を行う(76〜80)。 (もっと読む)


【課題】接続した太陽電池から一次電池への電流の逆流を防止できる電源供給制御システム及び半導体集積回路を提供する。
【解決手段】一次電池10と負荷19間に設けた第1のスイッチ回路15において、コンパレータ25により、一次電池10の出力電圧を第1の電圧レベル分降下させた第1の電圧と、負荷19側の電圧を第2の電圧レベル分降下させた第2の電圧とを比較する。第2の電圧が第1の電圧以上の場合、一次電池10と負荷19間の電気的な接続を遮断する。第2のスイッチ回路17の太陽電池13と負荷19とについても同様にすることで、負荷19側の電圧が一次電池10又は太陽電池13の出力電圧を超える前にスイッチ回路をOFFして、電流の逆流による電池の破損を防止する。 (もっと読む)


【課題】電源の立ち上がりが遅くても安定に動作する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】PチャンネルMOSトランジスタMP1のソース電極Sを電源に接続し、そのドレイン電極DにデプレッショントランジスタND1のドレイン電極Dを接続する。さらに、デプレッショントランジスタND1のソース電極Sを、抵抗R1を介して電位VSSとするとともに、PチャンネルMOSトランジスタとデプレッショントランジスタ双方のゲート電極Gを電位VSSとした電源起動回路部11を設ける。そして、PチャンネルMOSトランジスタMP1のドレイン電極DとデプレッショントランジスタND1のドレイン電極Dの相互接続点を定電流回路部12及びスタートアップ回路部14の電源ノードとして、定電流回路部12及びスタートアップ回路部14に動作電源を供給する構成とする。 (もっと読む)


【課題】ウエハの外縁上に形成されたネガ型レジストに対して露光現像処理により所定のパターンを形成する場合に、ウエハの外縁上に位置するネガ型レジストに対する露光光の供給をより防止する遮光部の形成工程を備えて歩留まりの向上を実現することが可能な半導体装置の製造方法
【解決手段】ウエハ1の表面上に導電層2及びネガ型レジスト3が順次形成されたウエハ5を準備する工程と、ウエハ5の外縁の少なくとも一部にネガ型レジスト3の表面上と側面とに跨って遮光部材32を塗布する工程と、ネガ型レジスト3に対して露光を行う工程と、遮光部材32を除去する工程と、ネガ型レジスト3を現像する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】PN接合容量が小さい保護ダイオード及びこれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】
第1領域と当該第1領域を囲う第2領域と当該第2領域を囲う第3領域とを備える半導体基板と、当該第2領域と当該第3領域との間に設けられた第1絶縁層と、当該第3領域に設けられた第1導電型半導体と、当該第2領域に設けられた第2導電型半導体と、当該第1領域に設けられた容量緩和層と、を備えている保護ダイオード。当該保護ダイオードと、これに接続された第1のパッドと、当該容量緩和層を有しない構造の保護ダイオードと、これに接続された第2のパッドと、を備えている半導体装置。 (もっと読む)


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