【課題】適切に電源電圧を負荷回路に供給することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】電圧トランスファ２０及びセンスノード配線３３が設けられており、電圧トランスファ２０は、各Ｓｕｂ−Ａｒｒａｙに応じて設けられたＮＭＯＳトランジスタＴＲにより、ノード３２とノード３０との間が接続される。電圧トランスファ２０のトランジスタＴＲは、ソース及びドレインの一方が電源線３１の各Ｓｕｂ−Ａｒｒａｙに応じた位置に接続されており、ソース及びドレインの他方がセンスノード配線３３に接続されている。また、トランジスタＴＲのゲートには、対応するＳｕｂ−Ａｒｒａｙのデコード信号Ａ０〜ＡＸが入力される。 （もっと読む）

【課題】 各ポートに割り当てられる各機能の特性に応じた割り当てを実現出来る装置を提供する。
【解決手段】 同一の機能を有する複数の1次機能処理部と、それぞれが異なる機能を有する複数の2次機能処理部と、1次機能処理部或いは2次機能処理部の出力データ、或いは前記各処理部に対する入力データが選択的に接続されるポートを備え、前記ポートに出力端子が接続される複数の第1のセレクタ群の一方の入力部には、1次処機能部の各出力処理部接続され、前記複数の第1のセレクタ群の他方の入力部には、2次機能処理部の出力処理部が接続され、前記ポートに入力端子が接続される複数の第2セレクタ群の各入力端子には前記ポートの出力が1対1に接続され、前記第2セレクタ群の各出力が、それぞれ前記2次処理機能部の入力処理部に接続される。 （もっと読む）

【課題】暗号化データを含むパケットの通信における高速化を図ることができるルックアサイド型の通信装置、受信制御方法及び送信制御方法を提供する。
【解決手段】暗号化データを含むパケットの受信の際には、暗号化データの受信データは送受信部１１から暗号化データ処理部１２と第２のバス１７を介してセキュリティ部１３に供給され、暗号化データがセキュリティ部１３で平文データとされ、その平文データがシステムバス１６を介して制御部に供給される。暗号化データを含むパケットの送信の際には、暗号化されるべき平文データを含む送信データは制御部からシステムバス１６を介してセキュリティ部１３に供給され、平文データがセキュリティ部１３で暗号化データとされ、その暗号化データを平文データと置き換えたデータ本体を有する送信データが第２のバス１７を介して暗号化データ処理部１２に供給され、送受信部１１によってパケットとして送信される。 （もっと読む）

【課題】デザインルールチェックの妥当性を正しく確認するために用いるレイアウトパタンを簡易に生成することができるようにする。
【解決手段】図形入力部２４によって、半導体装置のレイアウトパタンについて予め定められた作図基準を満足するように生成されたＯＫパタンの入力を受け付ける。基準位置指定部２８によって、ＯＫパタンに対して、作図基準を満足している部分を基準箇所として指定する入力を受け付ける。検証パタン生成部３４によって、ＯＫパタンの基準箇所に対して、所定の変更を加えることにより、作図基準を満足しないＮＧパタンを生成する。 （もっと読む）

【課題】正確な性能測定を容易にした差動伝送半導体装置を提供する。
【解決手段】差動対入力信号に応答してステップ信号を各々が生成する複数の入力コンパレータと、当該ステップ信号を伝送する伝送回路と、当該伝送回路によって伝送されたステップ信号に応答して差動対出力信号を各々が生成する複数の出力アンプと、を含み、供給されるテスト指令に応じて当該出力アンプの差動対出力信号を択一的に取り込んで、これに含まれるクロスポイントの発生タイミングを示す検査出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】データ書き込み時における書き込み回数を減らし、且つ読み出し精度を高めることが可能な半導体不揮発性メモリ及びデータ書き込み方法を提供する。
【解決手段】書き込むべきデータの値に対応した量の電荷を電荷蓄積部に注入することによって書き込みを行うデータ書き込み手段を有し、データ書き込み手段によるデータの書き込みに先立ち、電荷蓄積部各々から読み出し電流を送出させ、読み出し電流が最大読み出し電流閾値よりも大となる電荷蓄積部に、この読み出し電流が最大読み出し電流閾値を下回るまで電荷を注入する初期化書き込みを行う。 （もっと読む）

【課題】読み出しデータの精度を高めることが可能な半導体メモリを提供する。
【解決手段】メモリセルから第１ビット線ＢＬ_０〜ＢＬ_ｍ及び第２ビット線ＢＬＶ_０〜ＢＬＶ_ｍを介して読み出された読出信号同士の差分に基づき読出データの値を判定するにあたり、上記第１及び第２ビット線に共に電流が流れている場合にはメモリセルがデータ消去状態にあると判断し、上記判定したデータの値に拘わらず固定のデータ値を読出データとして出力する。 （もっと読む）

【課題】 クリーンルームで行われる半導体製造プロセス等において、棚に運搬容器を保管する際に塵埃が発生し、また他のエリアで運搬容器に付着した塵埃が落下して、同じ棚に保管されている他の運搬容器に付着する可能性があった。
【解決手段】 棚１０は、クリーンルームで用いられるものであり、少なくとも１段の棚板１１を有する。各棚板１１は、所定の間隔Ｇをあけて上下に対向配置された上板部１２と下板部１３とを有している。上板部１２は、空気を通過させる複数の開口部１４を有している。下板部１３は、少なくとも上板部１２の開口部１４に対向する部分に、塵埃を捕捉する塵埃捕捉部（粘着マット１５）を有している。 （もっと読む）

【課題】放電による電池電圧のばらつきを防止することができる、半導体回路、電池監視システム、制御プログラム、及び制御方法を提供する。
【解決手段】均等化スイッチング素子ＳＷ、電池セルＣの放電量を制限するための抵抗素子Ｒｂａｌ、及びプルダウン抵抗である抵抗素子Ｒｃｂを備えた放電回路１３を備えた電池監視システム１０の半導体回路１４では、均等化スイッチング素子のゲートに電荷を供給する均等化スイッチング素子駆動部２０と、電荷をグランドに引き込むための定電流源ＩＬ及び当該定電流源ＩＬと信号線Ｌとを接続するスイッチング素子ＳＷＩＬを含む電荷引込部２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）