【課題】 高品質の焼結金属製品の製造や、結晶成長を行う事前作業として、原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスの除去を確実に行い、製品品質、結晶品質の改善を行う準備作業に関する。
【解決手段】 原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスを高真空下で除去し、さらに、高温不活性ガスで原材料を昇温し、原材料表面に吸着しているガス成分や、水分の再吸着を防止し、焼結製品品質、結晶品質の改善を行うことを目的とした焼結金属材料や結晶材料準備作業方法に関する。 （もっと読む）

【課題】制御装置を短時間で効率良く置き換えできる制御装置の置き換え工法を提供する。
【解決手段】外部機器との接続が外部機器側と制御装置側の一対の接続部を介して成された既設制御装置１を、接続部の接続形式が異なる新規制御装置２に更新するための制御装置の置き換え工法であって、既設制御装置１側の接続部と同じ接続形式の接続部と、新規制御装置２の接続部に対応する中継用接続部とを備え、前記接続部の接続端子が対応する前記中継用接続部の接続端子に接続されたアダプタユニット３を予め用意し、次いで、既設制御装置１の設置場所において、既設制御装置１を取り外す作業と、アダプタユニット３の中継用接続部を新規制御装置２の対応する接続部に接続する作業と、前記外部機器側の接続部を外してアダプタユニット３の対応する接続部に接続する作業を行う。 （もっと読む）

【課題】コンクリート覆工と同時に、地中熱交換システム用流路を設置可能であるトンネル工法である。
【解決手段】トンネル工において、コンクリート覆工３の前、又は途中で、このコンクリート覆工２の外周の地中と熱交換を行うために、熱交換された熱を離れた位置に循環流体を介して移動させるために地中熱交換システム用流路を形成する。熱交換ユニットとして、地中熱交換システム用パイプ１２を固定された金網ユニット１０をコンクリート覆工３内に埋め込む。地中熱交換システム用パイプ１２の熱媒体液の流路は、相互に連結、又は並列して用いる。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータの寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な単結晶半導体を製出可能である単結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶半導体を成長させる単結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をカーボンヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記半導体融液に浸漬したシードを引き上げ、単結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造装置及び多結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２０内に装入されたシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造装置１０であって、有底筒状をなす坩堝２０と、坩堝２０の上方側に配置された上部加熱部１４と、坩堝２０の下方側に配置された下部加熱部３０と、を備え、下部加熱部３０は、坩堝２０が載置される台座３１と、誘導加熱コイル３２と、を有し、誘導加熱コイル３２によって台座３１に電流を発生させ、台座３１を自己発熱させる構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された坩堝に残存する残存シリコン融液を除去して冷却過程における坩堝の割れを防止し、坩堝の再利用を図ることが可能な残存シリコン融液の除去方法、単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンの製造装置及び残存シリコン融液吸引器を提供する。
【解決手段】チャンバ１１の内部に配置された坩堝２０内に残存したシリコン融液Ｍを除去する残存シリコン融液の除去方法であって、吸引した残存シリコン融液が貯留される貯留空間を備えた本体部７２と前記貯留空間に連通するノズル部とを備えた残存シリコン融液吸引器７０を、ノズル部が坩堝２０内の残存シリコン融液Ｍに浸漬されるようにして配置し、チャンバ１１内にガスを導入してチャンバ１１内の圧力を昇圧し、チャンバ１１内と前記貯留空間内との差圧によって、残存シリコン融液Ｍを前記貯留空間へと吸引することを特徴する。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液が貯留される石英坩堝２０の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材６０であって、石英坩堝２０よりも高温強度の高い材料からなり、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３を備え、この係止部６３によって、石英坩堝２０の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットの製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝内に装入したシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記坩堝内にシリコン原料を装入するシリコン原料装入工程Ｓ０２と、前記シリコン原料と前記坩堝の底面部との接触面積を増大させるシリコン密接層を形成するシリコン密接層形成工程Ｓ０１と、前記坩堝を加熱して前記坩堝内のシリコン原料を溶解し、前記シリコン融液を生成する加熱溶融工程Ｓ０３と、前記坩堝を冷却して、前記坩堝内のシリコン融液を凝固させる凝固工程Ｓ０４と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の溶解時およびシリコン融液の保持時においてはヒータの熱を坩堝に効率的に作用させ、坩堝周辺を冷却する際には、坩堝周辺の熱を放散させることができ、単結晶シリコンの製造サイクル時間の短縮及び電力コストの低減を図ることが可能な単結晶シリコンの製造装置及び単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内に配置された坩堝２０に貯留したシリコン融液ＭにシードＳを浸漬し、シードＳを引き上げて単結晶シリコンＴを成長させる単結晶シリコンの製造装置１０であって、坩堝２０の外周側を包囲する保温筒部５０と、この保温筒部５０の内周側に設けられた加熱ヒータ４０と、を備えており、保温筒部５０には、熱を反射する反射板５２と、この反射板５２の露出面積を調整する反射板露出面積調整手段５３と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】肉骨粉を焼却する際に、焼却灰の回収率を高めることができ、よって当該焼却灰を効率的に骨灰肥料として有効活用するが可能になる肉骨粉の肥料化設備およびこれを用いた肥料化方法を提供する。
【解決手段】循環流動層焼却炉のライザー１からの排ガスが導入される一次固気分離手段４における排ガスの排気ライン７の下流側に、当該排ガスを急冷する冷却手段１０を設けるとともに、この冷却手段１０の排出側に、上記排ガス中の固形分を分離する二次固気分離手段１３を設けた。 （もっと読む）