少なくとも１つの駆動軸を有する駆動部と、少なくとも１つの駆動軸に動作可能に連結される少なくとも２つのスカラアームと、を有する基板搬送装置であって、少なくとも１つの駆動軸は、少なくとも２つのスカラアームの伸長および収縮を生じさせる少なくとも２つのスカラアームのための共通駆動軸であり、少なくとも２つのスカラアームは、少なくとも２つのスカラアームに連結される少なくとも１つの駆動軸によって、駆動軸の回転が、少なくとも２つのスカラアームのうちの別の１つの運動に実質的に関係なく、少なくとも２つのスカラアームのうちの１つの伸長および収縮を生じさせるように、互いに連結される。
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【課題】排気面に平面状の氷結物が形成するのを防ぐことにより、この氷結物のフレークが昇華することで生じる真空チャンバの圧力急上昇を防止するクライオポンプを提供する。
【解決手段】本発明のクライオポンプ１０は、少なくとも第１ステージおよび第２ステージを有する冷凍機と、前記第２ステージを囲み前記第１ステージと熱的に接触し、再生処理時に液体が通過できるようにする排出孔４５を有する輻射シールド３５と、主要な凝縮面１５、吸着剤を有する保護面、および主要でない凝縮面２５を含む第２ステージアレイ１５５を備え、吸着剤を担持し、前記第２ステージと熱的に接触する主要な排気面１５０と、排出孔４５を覆うように配置され、排出孔４５を通過しないように気体を再案内することにより当該気体が主要でない凝縮面２５に凝縮することを防ぎ、主要な凝縮面１５に凝縮するように気体を再案内する邪魔部材２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる質量電荷比（Ｍ／ｑ）および運動エネルギーを有する複数のイオンを、自己共鳴現象を利用して非調和ポテンシャルウェル内に閉じ込める静電型イオントラップ、このイオントラップを用いた質量分析計、イオン捕捉方法、質量スペクトル生成方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオントラップは、複数のイオンを固有振動数での軌道に閉じ込めるための非調和の静電ポテンシャルを生成する電極構造体１，２，３と、電極構造体１，２，３の少なくとも１つの電極に接続された、励起用周波数を有する交流励起源２１とを備えるイオントラップ。 （もっと読む）

懸架軌道により支持された高架ホイストが軌道脇の収納場所から仕掛かり部品（ＷＩＰ）に到達することを可能とする改良された自動材料搬送システム。自動材料搬送システムは、懸架軌道上の高架ホイストを搬送する高架ホイスト搬送手段と、軌道脇に位置するＷＩＰ部品を収納する一つ又は複数の収納ビンとを含む。各収納ビンは可動棚か固定棚である。選択された棚からＷＩＰ部品を入手するには、高架ホイスト搬送手段は懸架軌道に沿って棚の側の位置まで移動する。次に、可動棚は高架ホイストの下の位置まで移動する。あるいは、高架ホイストが固定棚の上の位置まで移動する。高架ホイストはその後、所望のＷＩＰ部品を棚から直接取り上げるか、一つもしくは複数のＷＩＰ部品を直接に棚に載置する。一旦ＷＩＰ部品が高架ホイストにより保持されると、高架ホイスト搬送手段はＷＩＰ部品を製品製造床のワークステーション又は加工機まで搬送する。
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【課題】基板を移送する際の時間を短縮でき、かつ形状がコンパクトな基板移送装置を提供すること。
【解決手段】基板移送装置１２は、可動アームアセンブリ１８と、２つの基板ホルダ２２、２３と、同軸駆動軸アセンブリとを有する。可動アームアセンブリ１８は、ほぼＸ字形の軸アセンブリを有する。基板ホルダ２２、２３は、Ｘ字形部材の異なる対のアーム部３０、３１、３２、３３に接続される。同軸駆動軸アセンブリは、伸張位置と収縮位置と間の反転一斉運動で、Ｘ基板ホルダ２２、２３のアームを動かす。 （もっと読む）

例示的な実施形態による、半導体部品を処理するための少なくとも１つの処理ツールと、少なくとも１つの処理ツールへ、およびそこから搬送するための少なくとも１つの半導体部品を内部に保持するためのコンテナと、伸長し、進行方向を画定する第１の搬送セクションと、を有する半導体部品処理システム。第１の搬送セクションは、コンテナに接合するパーツを有し、コンテナを支持し、進行方向に沿って前記少なくとも１つの処理ツールへ、およびそこから搬送する。コンテナは、前記第１の搬送セクションによって支持される際、進行方向に実質的に一定の速度で、実質的に連続的な搬送中である。第２の搬送セクションは、コンテナを、少なくとも１つの処理ツールへ、およびそこから搬送するための少なくとも１つのプロセスツールに接続される。
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【課題】電離真空計の稼働寿命をガス処理環境中で延ばすためのマルチ熱陰極電離真空計を操作する方法および装置を提供する。
【解決手段】
例示的実施形態において、電子を放出するには不十分であるがその表面に付着する物質の量を低減するのに十分な温度に、またはプロセスガスと少なくとも１つの予備陰極（１１５）を形成する物質との化学的相互作用を低減するのに最適な温度に予備陰極（１１５）を加熱することによって、この予備陰極（１１５）の寿命が延長される。予備陰極（１１５）は定常的に加熱されるか周期的に加熱されることができる。他の実施形態では、処理圧力が所定の圧力閾値を超えた後、複数の陰極（１１０，１１５）が非放出温度に加熱されるか、複数の陰極（１１０，１１５）が低減された放出温度に加熱されるか、または放出陰極（１１０）が電子放出電流を低減させる温度に加熱される。 （もっと読む）

搬送チャンバと、搬送チャンバに沿う直線配列の基板保持モジュールと、前記チャ
ンバ内に位置する基板搬送部と、を有する基板処理装置。前記チャンバは、隔離雰
囲気を保持することが可能であり、搬送チャンバに沿って縦方向に延在する、１つ
以上の実質的に直線状の搬送経路を画定する。前記チャンバ内の搬送部は、直線状
の搬送経路に沿って、基板を搬送することが可能である。搬送部は、基板の保持お
よび移動が可能である搬送装置を有する。搬送装置は、直線経路の少なくとも１つ
に沿って移動するための、搬送チャンバの壁に接合する。搬送チャンバは、搬送チ
ャンバの向かい合う端部で、他の基板保持モジュールと嵌合するための接合部分を
有する。各接合部分は、２つ以上の直線搬送経路の少なくとも１つが通って延在す
る開口部を有し、搬送チャンバは、選択的に可変である縦方向の長さを接合部分間
に有する。
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基板処理装置は、その中に隔離雰囲気を保持することができ、基板を装置に搬入および搬出するための充電ステーションに伝達可能に接続された搬送室と、該基板を搬送するための、該搬送室内部の搬送システムと、該搬送室に沿って分散され、該基板がその間を移動できるように該搬送室に伝達可能に接続された処理室モジュールの配列と、を含む。
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部品を処理するための少なくとも１つの処理装置と、一次搬送システムと、二次搬送システムと、第１の搬送システムと第２の搬送システムとの間の１つ以上の接合部分と、を有する半導体部品処理システム。該一次および二次搬送システムはそれぞれ、該等速セクションに通じる待ち行列セクション内に１つ以上の実質的に等速のセクションを有する。
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