説明

セメス株式会社により出願された特許

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【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、工程が遂行される空間を提供するハウジング4100と、ハウジング4100の内部に基板Sを支持する支持部材4300と、ハウジング4100へ工程流体を供給する供給ポートと、供給ポートと支持部材4300との間に配置されて工程流体が基板Sへ直接噴射されることを遮断する遮断プレート4610を含む遮断部材4600と、ハウジング4100から工程流体を排気する排出ポート4700と、を含む。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置及びこれを利用する超臨界流体排出方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、超臨界流体が提供される容器と、前記容器から前記超臨界流体が排出されるベントラインと、前記ベントラインに設置されて超臨界流体の凍結を防止する凍結防止ユニットと、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板を均一に処理できる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板処理が遂行される空間を提供する工程チャンバーと、前記工程チャンバーと連結され、前記工程チャンバー内のガスが外部に排気される通路を提供する排気管と、前記排気管に設置されるポンプと、前記工程チャンバーと前記ポンプとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉するバルブと、を含む。前記バルブは、複数の排気ホールが形成された第1プレートと、前記複数の排気ホールが前記排気管の通路上に又は前記通路の外側に位置するように前記第1プレートを移動させる第1駆動器と、を含む。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体を利用して基板を乾燥させる基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる工程チャンバー2500と、前記工程チャンバーから排出された前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する再生ユニット4000と、を含む基板処理装置である。また、超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる段階と、前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する段階と、を含む基板処理方法である。 (もっと読む)


【課題】基板全体面を均一に処理できる基板支持ユニット及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板支持ユニットは、基板が置かれる支持プレートと、前記支持プレート内に位置し、前記支持プレートを加熱部材と、を含む。前記加熱部材は前記支持プレートの第1領域に提供された複数個の第1熱線と、前記第1領域と異なる前記支持プレートの第2領域に提供された複数個の第2熱線と、を含む。前記第1熱線は直列と並列うち一方の方式で連結され、前記第2熱線は直列と並列のうち他方の方式で連結される。 (もっと読む)


【課題】基板を安定的にチャッキングできる静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明による静電チャックは、静電気力によって基板を固定し、基板が置かれる誘電板と、前記誘電板の内部中央領域に位置し、正電圧と負電圧との中でいずれか1つの電圧が印加される第1電極と、前記誘電板の内部縁領域に位置し、前記第1電極を囲むように配置され、正電圧と負電圧との中で異なる1つの電圧が印加される第2電極と、を含む。前記第2電極の面積は、前記第1電極の面積と異なる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の処理率を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、基板が収納される容器が置かれるロードポートと、前記基板を処理する処理モジュールと、前記容器と前記処理モジュールとの間に前記基板を搬送するロボットが提供される移送モジュールと、を含む。前記処理モジュールは、前記基板を搬送するロボットが提供されるトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されるロードロックチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に前記移送モジュールと離隔配置されて第1処理工程を遂行する第1処理チャンバー、及び前記トランスファーチャンバーの周囲に配置されて第2処理工程を遂行する第2処理チャンバーを含む。 (もっと読む)


【課題】バッファ機能と反転機能とを統合運営できるバッファユニット、基板処理設備、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるバッファユニット4000は、ベースプレート4110と、ベースプレート4110に互いに離隔されて設置される第1垂直プレート4120と第2垂直プレート4130とを有するフレーム4100と、フォトマスクMが置かれ、第1及び第2垂直プレート4120,4130間に反転自在に設置される第1バッファ4200と、及び第1及び第2垂直プレート4120,4130の外方に設置され、第1バッファ4200に置かれるフォトマスクをグリップし、反転されるように第1バッファ4200を駆動させる駆動部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板を均一に処理できるアンテナユニット、それを含む基板処理装置、及び前記装置を利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバー100と、工程チャンバー100の内部に位置し、基板Wを支持する基板支持部200と、工程チャンバー100の内部へ工程ガスを供給するガス供給部と、工程チャンバー100の内部へ高周波電力を印加して工程チャンバー100の内部へ供給された工程ガスを励起させるアンテナと、アンテナのサイズを可変させる駆動部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】全体工程の時間を減らすことができる基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバー内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターを含む。 (もっと読む)


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