【課題】オフ電流の低減を図った薄膜トランジスタのサイズを小さく構成できる表示装置の提供。
【解決手段】薄膜トランジスタは、半導体層の領域をそれぞれの半導体層とする第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタとから構成され、前記第１薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領域の一方の領域と前記第２薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領域の他方の領域を共通とする共通領域を備え、前記第１および第２の薄膜トランジスタは、チャネル領域と前記ドレイン領域との間、およびチャネル領域と前記ソース領域との間に、それぞれ前記ドレイン領域および前記ソース領域よりも不純物濃度の低いＬＤＤ領域を備え、前記ゲート電極は、前記半導体層の前記共通領域に跨り、前記第１および前記第２薄膜トランジスタの前記チャネル領域および前記各ＬＤＤ領域に対向するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】低コスト、かつ本人拒否の発生割合を低減させ、なりすまし、他人受け入れの発生割合を低減させた生体認証装置の提供。
【解決手段】検出用電磁波の発信源と、生体の特徴の情報を含む電磁波を検出するためのセンサ装置とから構成される生体認証装置であって、
前記発信源は、異なる波長帯をもった二種類以上の発信源によって構成され、
前記センサ装置は、電磁波を検出するための複数のセンサ素子が２次元的に配列されているエリアセンサ部と、前記エリアセンサ部の動作制御回路群と、前記エリアセンサ部からの出力を演算処理するための演算処理回路群とを具備し、前記エリアセンサ部が、検出波長帯の異なる２種類以上のセンサ素子群によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】より均一な照明が得られるシャッター機能付き液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るシャッター機能付き液晶表示装置１００は、設置面１０６に対し離間した位置に設けられる透過型液晶表示装置１０１と、前記透過型液晶表示装置１０１の前記設置面１０６側に設けられ、少なくとも透明状態と不透明状態とを切り替え可能な液晶シャッター１０２と、前記液晶シャッター１０２の前記設置面１０６側に設けられ、前記液晶シャッター１０２の周縁部に沿って配置された光源１０３と、前記光源１０３を取り囲むとともに内側が開口している反射面１４１を有する反射部材１０４と、を有し、前記反射面１４１は、前記液晶シャッター１０２の前記設置面１０６側の面に垂直な断面において、前記液晶シャッター１０２の前記設置面１０６側の面に対し傾斜した面１４２，１４４を含む。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタを含む表示装置において、遮光層とゲート電極との間の寄生容量の発生を軽減しつつ、光リーク電流の発生の抑制を図ることが可能になる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、半導体層への光の入射を抑制するための遮光層（４０）と、第１絶縁膜（３１）と、薄膜トランジスタのゲート電極（２２）と、第２絶縁膜（３２）と、半導体層（２１）と、が順次積層された基板を含む。遮光層（４０）は、ゲート電極（２２）の少なくとも一部が遮光層（４０）と第１絶縁膜（３１）を介して重ならないようにして形成される。 （もっと読む）

【課題】ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、リーク電流の増大を防止する。
【解決手段】最下層には、ゲート電極１０３が縦方向に細長く形成されている。このゲート電極１０３の上に、図示しないゲート絶縁膜１０４を挟んでｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７およびａ−Ｓｉ層１０８からなる半導体層が形成されている。半導体層の上に、ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１が形成されている。ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１と半導体層の間にはｎ＋Ｓｉ層が形成されている。ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１の端部ＥＤは、半導体層の端部ＥＳよりも内側に形成されているので、半導体層の端部ＥＳにおけるリーク電流を無くすことが出来る。 （もっと読む）

【課題】単チャンネルシフトレジスタを有する表示装置において、トランジスタの負荷を増大することなく、駆動クロックの振幅を大きくする。
【解決手段】複数の画素を有する表示パネルと、各画素を駆動する駆動回路とを有し、前記駆動回路には、電圧レベルがＶＨの電圧レベルと、ＶＬの電圧レベルとの間で変化する駆動クロックが入力され、前記駆動回路は、オン状態の時に前記クロックを取り込み、出力端子から出力する表示装置であって、第１電極に前記駆動クロックが入力されるトランジスタと、前記トランジスタの前記第２電極と前記端子との間に接続され、制御電極が前記トランジスタの制御電極に接続される第１保護トランジスタと、第２電極に前記駆動クロックが入力され、制御電極にＶＤＤの電圧が入力される第２保護トランジスタと、前記第２保護トランジスタの第１電極と、前記トランジスタの前記第２電極との間に接続されるダイオード接続の第３保護トランジスタとを有し、ＶＬ＜ＶＤＤ＜ＶＨを満足する。 （もっと読む）

【課題】トップエミッション型有機ＥＬ表示装置において有機ＥＬ層からの光の利用効率を向上させ、明るい画面の有機ＥＬ表示装置を実現する。
【解決手段】下部電極２１と上部電極２３の間に有機ＥＬ層２２が形成されている。上部電極２３の上には撥液層２４がＣＦｘあるいはシロキサン樹脂によって数ｎｍの厚さで形成されている。撥液層２４の上にはインクジェット法によってｙ方向に延在するシリンドリカルレンズ３０が形成されている。シリンドリカルレンズ３０はアクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂によって形成される。シリンドリカルレンズ３０のｘ方向のピッチはｘ方向の画素ピッチと同様である。シリンドリカルレンズ３０によって有機ＥＬ層からの光を外部に効率よく取り出すことが出来、明るい画面の有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造においてソース・ドレイン領域やＬＤＤ構造を自己整合的に形成できる構造の表示装置、及びそのような表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板ＧＡの上側に積層されたゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されて、ゲート電極ＧＴとともに薄膜トランジスタＴＦＴを構成する半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓの上側に形成されるソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと半導体膜の間に積層される絶縁膜ＧＩ３と、絶縁膜ＧＩ３に穿設されて、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴを半導体膜Ｓに接続するためのコンタクトホールを含み、半導体膜Ｓには、少なくともコンタクトホールの下方に位置してソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと接続する接続領域に不純物が打込まれる、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】 指タッチ入力が可能な信頼性の高い、検出感度の優れた静電容量結合方式のタッチパネル付き表示装置を提供する。
【解決手段】 静電容量結合方式のタッチパネルに形成される電極を、Ｘ電極の数とＹ電極の数との比に合わせて分割して、面積の減少に伴い生じる隙間に浮遊電極を形成し電極の面積を調整する。個別電極面積縮小により、信号レベル低下以上にノイズレベルを下げることができるため、Ｓ／Ｎ比をあげることができ、検出感度を向上できる。また、フレキシブルプリント基板上で配線を分岐させ、フレキシブルプリント基板の裏面に交差配線を設け、前面に形成される配線と直交するように交差させて配線容量を低下させる。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増大させることなくオフリーク電流を低減できる薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成される基板に薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁間の上面に前記ゲート電極を跨って形成された半導体層と、前記半導体層を被って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に前記ゲート電極と重畳する箇所に形成された一対のスルーホールのそれぞれを通して前記半導体層と電気的に接続される一対の電極とを備え、
前記一対の電極のそれぞれは、不純物がドープされた半導体層と金属層の順次積層体から構成されている。 （もっと読む）