説明

株式会社日立ハイテクサイエンスにより出願された特許

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【課題】短時間で容易に、かつ、精度良く荷電粒子光学系の調整が可能な荷電粒子ビーム装置、及び、荷電粒子光学系の調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置1は、荷電粒子源9と、荷電粒子ビームIを入力値と対応するビーム特性値に設定して試料に照射させる荷電粒子光学系12、16と、荷電粒子ビームIの照射位置を相対移動させることが可能な走査手段17と、画像を取得可能な観察手段32と、制御部30とを備え、制御部30は、入力値を異なる値に設定し、試料に位置を異なるものとして荷電粒子ビームIを複数回照射させて、複数のスポットパターンを形成させるスポットパターン形成手段33と、スポット特性値が最小値を示すスポットパターンを選択するスポットパターン解析手段34とを有し、選択されたスポットパターンと対応する入力値にと等しい値に荷電粒子光学系12、16の入力値を設定する。 (もっと読む)


【課題】 ナノインプリントリソグラフィーのモールドの熱硬化樹脂または光硬化樹脂残渣を検出し除去する。
【解決手段】 モールド作製時のAFMで測定した3次元形状1またはモールドの3次元CAD設計データとAFMで測定した転写後の3次元形状2を比較することによりモールド3に付着した熱硬化樹脂または光硬化樹脂残渣4を検出する。径が細く、アスペクトが高い探針で高忠実観察を行ったり、探針形状の補正を行ったりして残渣検出精度を向上させる。抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。 (もっと読む)


【課題】試料ホルダを運搬中に微小試料片Sの破損を回避すること。
【解決手段】微小試料台10は、全てシリコン製であり、基部11、固定部12及びガード部13を有する。微小試料片Sは、固定部12の頂部に立てて固定される。微小試料台10は、基部11の上面11Aに2本の固定部12と3本のガード部13が交互に突設された一体化構造である。ガード部13の厚さは固定部12よりも厚く、ガード部13の高さ(Z方向の長さ)は固定部12よりも高く作製する。 (もっと読む)


【課題】 集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。
【解決手段】 孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線7をイオンビームエッチングで除去する。孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線をイオンビームエッチングまたはAFMスクラッチ加工で除去する。 (もっと読む)


【課題】 2〜40μmの下地に強固に付着していないパーティクルを後洗浄なしで、高スループットで除去する。
【解決手段】 FIB加工で端面の凹凸が少なく先端を尖らせたピペット1をパーティクル2に接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクル2を吸着させて後持ち上げ試料外に移動し、ピペット1内を大気または加圧にしてパーティクル2を捨て去る。パーティクルが小さいときには内径の小さいピペットを使用し、パーティクルが大きいときには吸着力が大きくなるように内径の大きなピペットでパーティクルを真空吸引する。もしくは真空度を上げて減圧雰囲気に引き伸ばして薄くなったガラス壁が耐えられなくて破損する場合にはピペット先端にFIBデポ膜で硬い丈夫な凹凸のない滑らかな先端を作製し、これを用いて高い真空度でパーティクルを真空吸引する。 (もっと読む)


【課題】原子間力顕微鏡微細加工装置の加工の高精度化と加工探針による切削で発生した加工屑をインラインで除去可能にする。
【解決手段】原子間力顕微鏡微細加工装置全体、もしくはカンチレバー2と加工領域を含む箇所を真空排気して真空雰囲気にすることで空気抵抗を減らして共振のQ値を向上させ、今までイメージングするだけでダメージが発生するため使用できなかったねじれやたわみの少ないバネ定数の高いカンチレバー2を観察・加工に使えるようにして加工中の探針1の制御性を向上させて高精度化な加工を行う。また、装置排気系または局所真空排気系3Aで加工探針1による切削で発生した加工屑を吸い込んで除去する。 (もっと読む)


【課題】イオン源としてガスイオン源を用いていながら、ビーム径を所望値にまで絞ることができ、イオン源としてGa液体金属イオン源を用いた場合と同程度の幅広いアプリケーションに対応できる。
【解決手段】イオンビームを発生させるプラズマ型ガスイオン源と、プラズマ型ガスイオン源から発生したイオンビームを試料上に集結させるイオン光学系を備えた集束イオンビーム装置である。イオン光学系を2個の基本静電レンズ22,29を有する構成とし、この2個の基本静電レンズ22,29のイオン光学系倍率を1/300以下に設定した。 (もっと読む)


【課題】周囲から流入する熱の不均一性、及び、ノイズ成分の影響を受けること無く、サンプル容器とリファレンス容器との温度差に基づいて正確に被測定試料の熱量の変化を測定することが可能な示差走査熱量計を提供する。
【解決手段】示差走査熱量計1は、略筒状の壁部12及び略板状の熱流入部13を有する断面略H形の加熱炉6と、壁部12の外周に設けられ加熱炉6を加熱するヒータ7と、壁部12の中心軸L方向に沿って配設された略棒状で、熱流入部13の両面から略等しい長さだけ突出して固定されているとともに、加熱炉6よりも低熱伝導率の材質で形成された熱抵抗部材10と、熱抵抗部材10の一端部に設けられたサンプル容器8と、熱抵抗部材10の他端部に設けられたリファレンス容器9と、サンプル容器8の温度とリファレンス容器9の温度との差分を測定値として検出する示差熱流検出手段11とを備える。 (もっと読む)


【課題】 電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた微細加工装置によるフォトマスク欠陥修正の問題点を解決する。
【解決手段】 独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。観察範囲内に複数の孤立パターンがあり、欠陥を含む孤立パターンを設置してもチャージアップの影響が出る場合には、複数の導電性探針でそれぞれの孤立パターンを接地してチャージアップの影響を抑える。独立に駆動できる探針のうち1本の探針で、電子ビームまたはガスイオンビームエッチングで加工中の欠陥の高さを測定して終点検出を行う。 (もっと読む)


【課題】 微小試料を把持するための機構では角度ズレ、先端形状に起因する試料の姿勢変化がある。
【解決手段】 把持体18をFIBなどの荷電粒子ビームで加工を施すことにより、ビームに対して平行な把持面を形成することができ、また把持面に付着したダストも除去する。荷電粒子ビーム照射される装置内でTEM試料に代表される微小試料を荷電粒子ビームによるエッチングで切り出すことで作製して運搬するとき、試料は荷電粒子ビーム照射方向にエッチングされるので把持体18の把持面19を試料の断面加工と同じ方向で加工することができるので、試料と把持面19とを平行な面に作製することができ、試料を把持したときの試料の姿勢変化を少なくすることができる。 (もっと読む)


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