【課題】 偏光を利用した蛍光Ｘ線分析装置において、多種類の２次ターゲットを用意する必要を無くし、試料表面の微小部を効率よく測定すること。
【解決手段】 本発明に係る蛍光Ｘ線分析装置は、Ｘ線を発生するＸ線管球１と、前記Ｘ線を受ける試料３を支持するための図示しない試料支持部と、前記Ｘ線を受けて試料３から発生するＸ線を受ける偏光フィルタ５と、偏光フィルタ５からのＸ線を検出する検出器４で構成されている。そして、Ｘ線管球１から試料３に向かう光路、試料３から偏光フィルタ５に向かう光路、及び偏光フィルタ５から検出器４に向かう光路の３光路が互いに９０度となるようにＸ線管球１、試料３、偏光フィルタ５、検出器４が順に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、一定速度で昇温または降温する温度プログラムを使用して試料の加熱または冷却を行う際、試料温度を温度プログラムに精密に追従させる熱分析装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明における熱分析装置は、試料温度に対する試料１と加熱炉３の間の温度偏差の近似式ならびに温度偏差計測時の昇温または降温速度を保持する温度偏差近似式保持器６と、温度プログラムの昇温または降温速度に比例してプログラム温度の補正を行うプログラム温度補正器８を備え、温度プログラムの昇温または降温速度に比例して温度偏差の補正を行うため、昇温または降温を行う温度プログラムを使用して加熱または冷却を行う際、試料と加熱炉の間の温度偏差をより小さくするように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス効果センサにより外部磁界を外部ノイズやオフセット変化の影響をよく排除して正確に検出することを可能にする磁気インピーダンス効果センサ及び磁気インピーダンス効果センサによる外部磁界の検出方法を提供する。
【解決手段】外部磁界作用下での磁気インピーダンス効果素子１の端子電圧を検波器３で復調する。その検波出力を演算増幅器４で増幅する。５は出力端である。 ６は負帰還コイル、７は制御コイルである。 ７０は演算増回路４の出力から特定周波数成分を取り出して、制御コイル７にフィードバックさせるフィルタであり、特定の周波数の外部磁界成分を打ち消す磁界を作用させ、かかる打消しのもとでの検波出力を検出出力とする。 （もっと読む）

１本の観測用プローブと複数本の作業用のプローブを有する、カンチレバーアレーにおいて、試料の観測中に作業用プローブが、試料の突起部に衝突しないように制御する方法を提供した。
【解決手段】 １）観測用探針と作業用探針の距離と高さの違いを事前に測定する。２）作業用探針が、観測用探針の走査の軌跡になるべく近いところを走査するように走査方向を決定する。３）作業用探針が、試料の突起部を通過する前に探針引き上げ量を突起部高さ以上に設定し、引き上げて測定する。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡技術を用いた微細加工装置のオーバーエッチや削り残しのない除去加工のスループットを向上させる。
【解決手段】 被加工材質より硬い探針1を有する原子間力顕微鏡のカンチレバー2のZピエゾのフィードバック制御系9を切って高さを狙いとする高さに固定した状態で被加工領域3のみ選択的に繰り返し走査(たわみを検知する場合カンチレバー２と平行、ねじれを検知する場合カンチレバーと垂直)しながら機械的な加工を行っているときのカンチレバー2のたわみまたはねじれを4分割光検出器7でモニターし、たわみ量またはねじれ量、即ちカンチレバー2の弾性変形量が設定閾値以下になるまで加工を繰り返す。終点検出のための高さ情報を取得するための観察のスキャンを行う必要がないので、加工のスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ線分析装置において、着目元素を効果的に励起してピークバック比を改善させるとともに、バックグラウンドとなる散乱Ｘ線を低減させて、着目元素の検出下限を改善すること。
【解決手段】 試料容器１０１は、Ｘ線が透過する材質でできた１つ以上の壁面を有し、壁面１０５に1次Ｘ線１０４が照射されるようにＸ線源１０３が配置されている。また、試料容器１０１は、１次Ｘ線１０４が照射される面とは異なる壁面１０９がＸ線検出器入射窓１１３に対向するように配置されている。さらに、Ｘ線源１０３からの１次Ｘ線１０４はＸ線検出器入射窓１１３を対向させた試料容器１０１の壁面１０９を照射できるように配置する。試料容器１０１は、Ｘ線検出器１１４内の検出素子１１０がＸ線入射窓１１３から見込む視野の広がりに伴って大きくなる形状をしている。また、試料容器１０１の試料容器壁には、１次Ｘ線の通過領域および着目元素からの蛍光Ｘ線の検出器への通過以外の領域に、着目元素を２次的に励起する金属１０７を配置する。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡技術を用いたフォトマスクの余剰欠陥修正でオーバーエッチや削り残しのない加工や高精度な加工を実現する。
【解決手段】 フォトマスクのパターン材質より硬い探針1で行きの高荷重または高さ固定モードの走査で余剰欠陥3を加工し、戻りの低荷重または間欠的な接触モードの走査で観察して高さ情報から余剰欠陥3の終点検出を行う。同じ場所の次回の加工では終点であるガラス基板5に達した部分は高荷重または高さ固定モードの走査を行わず、終点に達していないところだけ高荷重または高さ固定モードの走査で加工する。 （もっと読む）

【課題】アシストパターンを有するフォトマスクを、ダイ・ツー・データベース参照方式によりマスクデータに対して高精度にマッチングして位置合わせすると共に正確なマスク修正を行って高品質なフォトマスクを作製すること。
【解決手段】マスク画像を取得する画像取得部１１と、マスクデータＤ１からメインパターンを抽出する抽出部１２と、抽出されたメインパターンとマスク画像から得られた描画後のメインパターンとをマッチングにより比較して欠陥部分を検査する検査部１３と、検査部で特定された欠陥部分を修正する修正部１４とを備え、抽出部が、メインパターン及びアシストパターンを１つの図形として認識する認識部と、所定の条件に基づいて認識した各図形からアシストパターンを特定する特定部と、アシストパターン以外の図形をメインパターンとして抽出するメインパターン抽出部とを備えている半導体マスク修正装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】副次的に発生し検出されるＸ線を低減させて、検出下限を改善した蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】蛍光Ｘ線分析装置１は、一次Ｘ線Ａを照射するＸ線源２と、中央部に貫通孔７を有したコリメータ６が前面に置かれた検出器３とを備え、試料Ｓに一次Ｘ線Ａを照射して、試料Ｓから発生し、コリメータ６の貫通孔７を通過する一次蛍光Ｘ線Ｂを検出器３で検出するものである。Ｘ線源２及び検出器３は、試料Ｓに近接して配置され、一次Ｘ線Ａが試料Ｓで散乱した一次散乱線Ｃ、及び試料Ｓから発生した一次蛍光Ｘ線Ｂが照射されるＸ線源２または検出器３の被照射面９は、一次散乱線Ｃ及び一次蛍光Ｘ線Ｂの照射により発生する二次散乱線や二次蛍光Ｘ線を低減する二次Ｘ線低減層１０、１１、１２によって覆われている。 （もっと読む）

【目的】ナノチューブ探針を固定し、切断し、しかも他種類の原子の注入等でナノチューブ探針の材質改善を行うことができる走査型顕微鏡用プローブを実現する。
【構成】本発明に係る集束イオンビームによる走査型顕微鏡用プローブは、カンチレバー４に固着したナノチューブ探針１２の先端１４ａにより試料表面の物性情報を得る走査型顕微鏡用プローブにおいて、集束イオンビーム装置２内でイオンビームＩにより有機ガスＧを分解し、生成した分解成分の堆積物１８によりナノチューブ１２とカンチレバー４を固着することを特徴としている。また、集束イオンビームＩを用いて、ナノチューブ先端部１４に付着した不要堆積物２４を除去したり、ナノチューブの不要部分を切断して探針の長さ制御を行ったり、ナノチューブ先端部１４にイオンを注入してそのナノチューブ探針の改質を行える走査型顕微鏡用プローブを提供する。 （もっと読む）