説明

国立大学法人 東京大学により出願された特許

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【課題】マットに人が寝た際に体圧分散を図り、しかも、脊椎のカーブを寝るのに適したカーブにして自然で楽な寝姿勢を実現できるようにする。
【解決手段】複数の独立した寝姿勢コントロール用セル11A〜11Nをマット使用者Yの身長方向に並べて配置する。各セル11A〜11Nには、ポンプユニットから延びる通気管をそれぞれ接続する。これら通気管を介してセル11A〜11Nに空気を供給する。マット使用者Yの臀部を支えるセル内の圧力を高めに設定する。 (もっと読む)


【課題】 ペイロードの光データ透過性を保ち、処理遅延の少ない階層ヘッダを用いた光パケット処理を提供する。
【解決手段】 付加的な情報を含む複数のヘッダ情報を予め定められた複数の階層に対してそれぞれ割り当てた階層ヘッダと、ペイロードとを含む光パケットを受信し、ペイロードを光電変換せず、階層ヘッダのみ光電変換して複数のヘッダ情報を取得する。階層ヘッダの階層のヘッダ情報に基づき、所定のヘッダ情報を読み出し又は書き換え又は書き込むことで光パケット送信、転送又は受信のためのヘッダ・ラベル処理又はパケット処理を実行して、出力用階層ヘッダを生成する。出力用階層ヘッダを光信号に変換し、受信した後に光電変換されていないペイロードと合成して出力光パケットを生成して出力する。 (もっと読む)


【課題】再生セルロースと合成高分子とをナノメートルオーダーで複合化し、セルロースと異種高分子との長所を併せ持つ複合材料、及びその製造方法の提供。
【解決手段】固体成分として再生セルロース及び合成高分子を有する複合材料であって、再生セルロースはその各々の微細繊維により連続領域が形成され、該微細繊維の周囲に合成高分子が配置され、再生セルロースの各々の微細繊維の平均径が1μm以下、好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下である、上記複合材料により、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】安価で高活性なニトロ基還元用触媒を提供する。
【解決手段】ニトロ基の還元用触媒であって、下記の一般式(I):


(R1はn価の有機分子残基、nは1〜6、R2及びR3は1価の有機基、x、y、及びzは1〜4、mは0〜10でデンドリマーの世代数を示す)で表されるアミドアミンデンドリマーとロジウム錯体とが錯形成したアミドアミンデンドリマー・ロジウム錯体を還元することにより得ることができるロジウムナノ微粒子、又は上記アミドアミンデンドリマーとロジウム錯体及び鉄錯体とが錯形成したアミドアミンデンドリマー・ロジウム/鉄錯体を還元することにより得ることができるロジウム/鉄ナノ微粒子を含む触媒。 (もっと読む)


【課題】
IL−1タイプIIレセプターがIL−1リガンドのシグナル伝達に果たす役割を解明するために、IL−1タイプIIレセプター遺伝子が全く発現しない遺伝子欠損変異体動物を作出すること。
【解決手段】
本発明は、マウス染色体上のIL−1タイプIIレセプター遺伝子座に欠失及び/又は挿入変異を有する、IL−1タイプIIレセプター遺伝子の欠損変異体マウスを提供する。本発明は、本発明のマウスにマウスIL−1タイプIIレセプタータンパク質を免疫感作して、該レセプタータンパク質に対するモノクローナル抗体を作成するステップ等を含む、アレルギー及び/又は炎症を治療する抗体製剤の作成方法を提供する。本発明は、試験物質存在下又は非存在下、IL−1タイプIIレセプターか、該レセプターを発現している細胞かにIL−1を作用させるステップ等を含む、抗アレルギー薬又は抗炎症薬候補のスクリーニング方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】IV族半導体埋込層の中に直接遷移型III−V族化合物半導体からなる量子ドットが埋め込まれた構造の発光素子において、発光効率を向上させる。
【解決手段】発光素子を、Siを含む基板1と、基板1上に形成された活性層2とを備えるものとし、活性層2を、直接遷移型III−V族化合物半導体材料からなる量子ドット5と、量子ドット5の表面全体を覆う外殻部6と、外殻部6によって覆われた量子ドット5を埋め込むIV族半導体埋込層3とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】単結晶Siの基板と、基板の上に形成され、開口領域を有する絶縁層と、開口領域の基板上にエピタキシャル成長されたGe層と、Ge層の上にエピタキシャル成長されたGaAs層と、を備え、Ge層は、超高真空の減圧状態にできるCVD反応室に基板を導入し、原料ガスを熱分解できる第1温度で第1のエピタキシャル成長を実施し、第1温度より高い第2温度で第2のエピタキシャル成長を実施し、第1および第2のエピタキシャル成長を実施したエピタキシャル層をGeの融点に達しない第3温度で第1のアニールを実施し、第3温度より低い第4温度で第2のアニールを実施して形成された半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Siの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、Ge層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ge層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の2倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはGe層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるSiとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。 (もっと読む)


【課題】走行安定性と曲線通過性能を向上させたシンプルな構造の自己操舵台車を提供する。
【解決手段】車輪3のレール4と接触する踏面5の勾配はレールを基準として外側に向かって徐々に回転半径が大きくなるようにされ、従来とは逆方向に傾斜する踏面になっている。このため、輪重P1、P2によって発生する重力復元力F1、F2はレールを基準として外側へ向くこととなる。その結果、ヨー方向の変位が発生する時、重力復元力F1、F2が台車の中心O1に対し、ヨー方向の変位をなくす方向のモーメントMを生じる。このモーメントMは台車をレール4に追従させる自己操舵モーメントとなる。 (もっと読む)


【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Siの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたGe層と、Ge層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ge層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。 (もっと読む)


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