説明

国立大学法人大阪大学により出願された特許

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【課題】製造方法を大幅に簡略化することができる立体構造の片持梁状の揺動部を備える半導体装置の製造方法、半導体装置及び該半導体装置を備える感圧センサを提供する。
【解決手段】SOI基板7の裏面側からエッチングしてシリコン酸化膜4が露出するまでシリコン基板1を凹状に除去し、シリコン基板1が除去された空間1aに面するシリコン酸化膜4及び該シリコン酸化膜4上の単結晶シリコン膜3の一部をエッチングにより除去して、圧縮応力を有するシリコン酸化膜4及び単結晶シリコン膜3よりなる片持梁状のカンチレバー10を形成する。これにより、SOI基板7上で反り上がったカンチレバー10を形成する。 (もっと読む)


【課題】微細なパターンを有する膜の形成を実現するパターニング方法と、このパターニング方法を用いて製造した積層体、アレイ基板ならびに微細化された電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターニング方法は、金属含有層からなり、所望のパターンの開口17が設けられたマスクM1を基板10の上に形成する工程と、前記基板10上の前記開口17が設けられた領域および前記マスクM1の上に被パターニング膜20を形成する工程と、前記マスクM1を前記基板10から剥離する工程と、を含み、前記基板側10の開口17の面積は、他方の開口17の面積と同一であるか、または他方の開口17の面積より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】効率よく、安定に、紅麹菌におけるシトリニン生産を抑制する方法の提供。
【解決手段】シトリニン生産能を有する紅麹菌において、RNAi法を用いて、ポリケタイドシンターゼの発現を阻害することを特徴とする、紅麹菌におけるシトリニンの生産を抑制する方法、および紅麹菌におけるシトリニン生産を抑制する特定の塩基配列である遺伝子、該遺伝子を含むベクター、該ベクターの組合せにより形質転換されたシトリニン生産能が低下した紅麹菌。 (もっと読む)


【課題】長期間にわたって一定した電池出力を有し、かつ体積エネルギー密度、重量エネルギー密度に優れた燃料電池を提供する。
【解決手段】徐放性膜の一面に燃料電池用燃料を配置し、他面に水を配置することにより製造される燃料水溶液を燃料極へ供給する構造を有していることを特徴とする燃料電池。前記燃料電池用燃料は、固形燃料、または高濃度液体燃料であることを特徴とする燃料電池。徐放性膜の一面に燃料電池用燃料を配置し、他面に水を配置し、前記水に前記燃料電池用燃料を所定の速度で溶解させることを特徴とする燃料電池の燃料水溶液製造方法。 (もっと読む)


【課題】小中学生などでも容易に理解し、且つ実施し体験できる、簡易な水質評価方法および水質評価システムを提供する。
【解決手段】被試験水を培養容器21の中に注水する。そして、植物の苗および成長した植物の植物部位のうちのいずれかである供試材料を、当該供試材料の少なくとも一部が被試験水に浸漬するように、培養容器21の中に設置する。そして、供試材料から発根した根の伸長度を観察することで水質を評価する。 (もっと読む)


【課題】酸化物を低温で確実に形成する。
【解決手段】高温高圧水に半導体材料を接触させて、当該半導体材料の酸化物を形成する。 (もっと読む)


【課題】光散乱源の除去が可能であり、且つ、紫外線照射による新たな蛍光を発生しない、レーザー素子として有用であるセシウムホウ酸化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】内部に光散乱源を有する原料結晶、ならびに、雰囲気中にCs成分を供給するCs供給源を準備し、Cs成分を含む雰囲気下、原料結晶を加熱することによって、セシウムホウ酸化合物結晶を製造する。Cs供給源は、Cs成分を含み、そのCs成分の割合(mol%)が、原料結晶を育成するための原料組成物におけるCs成分の割合(mol%)よりも大きく設定し、加熱処理工程における加熱温度は、Cs供給源からCsが蒸発する温度であり、且つ、セシウムホウ酸化合物結晶に重量減少が発生する温度未満とする。 (もっと読む)


【課題】ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。
【解決手段】半導体材料の層と金属酸化物または金属酸化物を含む物質製の絶縁膜を有する電子デバイスであって、半導体材料はバンドギャップが3eV以上であり、絶縁膜の材料はバンドギャップが6.5eV以上、誘電率が7以上であり、半導体材料の層と絶縁膜の間に半導体材料の酸化物層からなる領域を有している電子デバイス。半導体材料の層と金属酸化物または金属酸化物を含む物質製の絶縁膜を有する電子デバイスであって、半導体材料はバンドギャップが3eV以上であり、絶縁膜の材料はバンドギャップが6.5eV以上、誘電率が7以上であり、半導体材料の層と絶縁膜の間に絶縁中間層膜を有している電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】十分な強度の付与と軽量化を両立させることが出来、然も過大な外力の作用によってアームが折れ曲がったときにも復旧が可能な伸縮式のマニピュレータ機構を提供する。
【解決手段】本発明に係るマニピュレータ機構は、先端部に先端機構3を具えたアーム1と、該アーム1の基端部が連結されて該アーム1の巻き取り及び繰り出しを行なうアーム繰り出し装置2とを具え、アーム1は、弾性を有する複数本のテープ41を束ねてなるテープ集合体4と、該テープ集合体4の長手方向に間隔をおいてテープ集合体4に装着された複数の拘束部材5とを具え、該拘束部材5には、前記複数本のテープ41が貫通して該複数本のテープ41の相対位置を一定に保つためのガイド溝51が開設されている。 (もっと読む)


【課題】SFQ論理回路との間での接続・集積化が容易な光インターフェイスを実現することが可能な光入力素子を提供する。
【解決手段】高温超伝導体により構成される制御電流線100と、制御電流線100を流れるパルス電流により発生する磁束が侵入し、かつパルス光が照射されるジョセフソン接合120を有し、高温超伝導体により構成されるバイアス電流線110と、ジョセフソン接合120に開口部200aを有し、バイアス電流線110を覆う第1遮光膜200と、制御電流線100を覆う第2遮光膜210とを備える。 (もっと読む)


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