【課題】 先端に湾曲部を有する導管を含む多重導管において、最内導管の先端を目的ポイントへ誘導する際の精度を更に向上させる。
【解決手段】 少なくとも２本以上の導管を有する多重導管であって、内側の導管は、外側の導管に軸線方向摺動自在に挿入され、且つ、先端部が該外側の導管の先端側管端より突出自在にされており、少なくとも１本の導管の先端部に湾曲部が形成され、少なくとも湾曲部が超弾性合金によって形成されている導管を含む。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流のゲート電圧依存性に出現するヒステリシスを抑制することによって、高速スイッチングが可能となるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、ソース電極２とドレイン電極３間を電気的に接続するチャネル部４をカーボンナノチューブによって構成すると共に、ゲート電極１上に形成されたゲート絶縁膜５表面に配置し、前記ゲート絶縁膜５の材料として、ＳｉＯ_２よりも高い比誘電率を有する誘電材料を用いた。 （もっと読む）

【課題】光ディジタル信号を光のまま超高速で光アナログ信号に変換できる光ディジタル／アナログ変換方法および光ディジタル／アナログ変換装置を提供すること。
【解決手段】上位ビットと下位ビットとからなり２値の光強度を有する光ディジタル信号を入力するとともに前記光ディジタル信号の波長と異なる波長を有する光パルス列を入力する光信号入力ステップと、非線形光学効果を用いて前記光ディジタル信号の光強度によって前記入力した光パルス列の光強度を制御することにより、前記光パルス列を前記光ディジタル信号に対応し１シンボルで４値の光強度を有する光アナログ信号に変換して出力する光ディジタル／アナログ変換ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を育成するにあたって、成長速度および収率を増大させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウムに対して、ストロンチウム材料を、金属ストロンチウム換算で３ｍｏｌ％未満添加する。すなわち、金属ストロンチウムベースのｍｏｌ％で、０＜Ｘ＜３となる微量のＸｍｏｌ％だけ添加する。これによって、ＧａＮ系単結晶のｃ軸方向の成長速度が、Ｎａのみの場合（ａ）と比較すると、０．０５ｍｏｌ％の添加で約３倍以上に増加し、また収率も０．０３ｍｏｌ％の添加（ｂ）で約２１倍になる。こうして、微量のストロンチウムをナトリウムフラックスに添加することで、ＧａＮ系単結晶の収率を大幅に増加することができる。 （もっと読む）

【課題】妊孕可能性の推定及び不妊症の原因の同定を可能にする妊孕性診断キットを提供する。
【解決手段】第１の妊孕性診断キットは、ヒトＴＳＳＫ２遺伝子の第９０３位の塩基の欠失変異の有無を検出するための試薬を含んでいる。第２の妊孕性診断キットは、ヒトＨＡＳＰＩＮ遺伝子の第２０４位の塩基と第２０５位の塩基との間の挿入変異の有無を検出するための試薬を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】温度に関わらず実施可能な、安定性に優れた被覆金属ナノ粒子の焼結方法を提供する。
【解決手段】金属ナノ粒子の焼結方法であって、前記方法は、基板上の、被覆された金属ナノ粒子と分散溶媒とを含む金属ナノ粒子ペーストに、極性溶媒または溶解補助剤を含む極性溶媒溶液を作用させる工程および前記基板を乾燥させる工程とを含む。また、被覆された金属ナノ粒子と分散溶媒とを含む金属ナノ粒子ペーストを用いて、配線前駆体となるパターンを基板上に形成する工程と、前記基板上のパターンに、極性溶媒または溶解補助剤を含む極性溶媒溶液を作用させる工程と、前記基板を乾燥させて前記金属ナノ粒子を焼結させ、配線を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】溶接部の結晶粒粗大化のないチタン溶接接合体を提供する。
【課題手段】溶接される母材および溶接金属を、Ｂを0.05〜1.0質量％含有し残部がＴｉおよび不純物からなるチタン合金とする。本発明のチタン溶接接合体は、溶接部も微細な結晶組織を有するので機械的性質に優れ、種々の機器や構造物、特に電着金属箔製造用ドラムとして好適である。 （もっと読む）

【課題】保持特性を向上させた強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁体膜２、強誘電体膜３、及び金属膜４が順次積層された強誘電体メモリにおいて、強誘電体膜３の表面に中性ラジカルを照射することによって、強誘電体膜３の金属膜４との界面に、金属膜に対する強誘電体膜のポテンシャルバリアを増大させる改質層６を形成した。 （もっと読む）

【課題】ナフトールの酸化的カップリングによる１，１’−ビナフトール製造において、触媒量使用して、反応時間が短くなり、かつ、ｅｅが高くなる新規バナジウム化合物の提供を可能とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるバナジウム化合物により前記課題が解決する。


前記式（Ｉ）中、置換基Ｒは、水素原子、Ｃ₁〜₅アルキル基、Ｃ₁〜₅アルキルチオで置換されたＣ₁〜₅アルキル基、Ｃ₁〜₅アルコキシで置換されたＣ₁〜₅アルキル基、Ｃ₇〜₁₅アラルキル基、Ｃ₁〜₅アルコキシで置換されたＣ₇〜₁₅アラルキル基またはＣ₆〜₁₄アリール基であり、
前記式（Ｉ）中の炭素原子ａおよびｂと共に形成する環Ａは、下記式（Ａ１）または式（Ａ２）で表される環である。
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【課題】 シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等を用いた半導体デバイスに適用しうる絶縁膜形成において、低温での化学的な酸化膜形成を効果的に行なうための、前処理としての表面処理方法を提供する。
【解決手段】 水素を含む雰囲気中で基板１０の表面を加熱した後、その表面を酸化性溶液２２中に浸漬し、または酸化性溶液を噴霧し、あるいは酸化性溶液の蒸気に曝す工程を有する。これにより、酸化性溶液２２と接触する基板１０の表面における反応性の向上が期待でき、その基板１０の表面に極薄膜であっても高性能な絶縁膜が形成される。 （もっと読む）