【課題】誘電体膜を形成するための組成物を蒸着する際の、残渣の形成を低減又は無くする方法を提供する。
【解決手段】炭素源の１種以上の環状アルケンと、シリコン源のシリコン含有化合物と、キャリアガスを用い、エネルギー源（放射線、熱、又はプラズマ）を適用して炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成するに当たり、フェノール安定剤を用いる。フェノール安定剤は、本来のＯＨ基の他にＲ１〜Ｒ５を有し、Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、Ｃ１−Ｃ１８の直鎖、分岐、又は環状アルキル基、Ｃ１−Ｃ１８の直鎖、分岐、又は環状アルコキシ基又は置換又は非置換のアリール基であり得る。その量は、置換フェノールが２００ｐｐｍ〜２００００ｐｐｍの範囲の濃度で存在している量を加える。その様にして組成物を蒸着する事により、残渣の形成を低減又は無しにした、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法では、ケイ素前駆体は、Ｒ¹_nＲ²_mＳｉ（ＮＲ³Ｒ⁴）_4-n-m、及び（Ｒ¹Ｒ²ＳｉＮＲ³）_pの環状シラザンの１つから選択され、式中、Ｒ¹はアルケニル又は芳香族、例えばビニル、アリル及びフェニルであり、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である。 （もっと読む）

【課題】記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。
【解決手段】高アスペクト比の特徴を有する半導体基材を用意する工程、該半導体基材を低分子量のアミノシランを含む液体配合物と接触させる工程、該半導体基材上に該液体配合物を塗布することにより膜を形成する工程、及び該膜を酸化条件下において高温で加熱する工程を含む方法が提供される。この方法のための組成物もまた記載される。 （もっと読む）

【課題】二フッ化キセノン、キセノン、アルゴン、ヘリウム又はネオン等の所望のガスを、化学プロセス反応器の排出物から回収するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】本装置は、２種以上の別個のガス組成物を導入するための１以上のラインを備えた化学プロセス反応器１０と、別個のガス組成物を導入するための少なくとも一つの流入口１１と、化学プロセス反応器からの排出ライン１８と、排出ラインにある逆止弁２０と、排出ラインから所望のガスを取り出すことができる回収ライン２４と、回収ラインにある自動弁２６と、プロセスコントローラー１０４、及び回収ラインにあるコンプレッサー２８を具備し、プロセスコントローラーはガス組成物の導入と、回収ラインにある自動弁の操作と、それによって所望のガスが排出ラインに存在するときの少なくとも一部の間に自動弁を開くように制御する装置、により課題を克服する。 （もっと読む）

【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。１種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 （もっと読む）

【課題】セメントおよび他の用途での使用のための特性の良好な組み合わせを有する自由流れの新たな粉末界面活性剤を提供する。
【解決手段】構造（Ａ）


；に従う化合物を担体の表面に有する粒子を含む組成物である。このような組成物は種々の用途、たとえばモルタルおよびセメントの調製に対して有用である。 （もっと読む）

【課題】回収プロセス中のキセノン濃度を高める改良した減圧スイング吸着（ＶＳＡ）プロセスを与える。
【解決手段】次の工程を含む、Ｘｅ含有供給ガスからキセノンを回収するための方法：吸着材を有する吸着容器を与える工程；上記Ｘｅ含有供給ガスを上記吸着容器に供給する工程；上記吸着容器を、大気圧から大気圧未満の圧力に減圧することで排気する工程であって、上記排気工程は、次の２つを含む工程：（１）ガスの第一部分を排気すること、及び（２）上記大気圧未満の圧力がＰ１に達したときに、第一のキセノン富化ガスを回収すること；上記大気圧未満の圧力がＰ２に達したときに上記吸着容器をパージして、第二のキセノン富化ガスを回収する工程；及び上記第一のキセノン富化ガスと上記第二のキセノン富化ガスとを混合して、初期キセノン濃度より少なくとも２０倍超高い最終キセノン濃度を有する生成ガスを与える工程、ここで、Ｐ１はＰ２以上である。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスなどに用いられる多成分フィルムの製造方法として、ＰＶＤ、ＣＶＤ等に代わる代替方法を提供する。
【解決手段】フィルム成分を含む液体前駆体組成物を順次コーティングすることによって多成分フィルムを堆積させる。一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。 （もっと読む）

【課題】特性の向上した多孔性シリカガラスフィルムを提供する化学気相蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも１つの前駆体、及び前駆体とは区別されるポロゲンを含めたガス状試薬を導入すること（ここに、ポロゲンは、非分岐構造及び２又はそれ未満の不飽和の度合いを有するＣ_４〜Ｃ_１４環状炭化水素化合物である）；エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、基材上に予備的フィルムを蒸着させること（ここに、予備的フィルムはポロゲンを含有する）；及び不安定有機物質の実質的に全てを予備的フィルムから除去して細孔及び２．６未満の誘電定数を有する多孔性フィルムを提供することを含む、多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】少なくとも３つの吸着剤容器（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を使用した吸着サイクルによって、ガス混合物を分離する方法を提供すること。
【解決手段】その吸着サイクルでは、１つの吸着剤容器から吸着製品を回収するスイープ段階が吸着剤容器のうちの別のもののそれと重なり合い、及び／又は、供給物洗浄段階における１つの吸着剤容器からの流出物が空気スイープ段階にある別の吸着剤容器に送られる。また、製品オゾン濃度が１０ｍｇ／ｌの範囲内に維持されるＰＳＡオゾン分離サイクルも提供される。 （もっと読む）