【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長（PECVD）窒化シリコン（SiN）及び炭窒化シリコン（SiCN）薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式：
［RR¹N］_xSiR³_y（R²）_z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R¹、及びR³が、水素、C₁〜C₁₀アルカン、アルケン、C₄〜C₁₂芳香族であり得；各R²が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｚは０〜１５原子％である）は、Ｓｉ−ＣＨ₃を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び２．７よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 （もっと読む）

【課題】第２族アルカリ土類金属含有酸化物膜などの化学気相成長（ＣＶＤ）に使用する新規な金属前駆体の揮発源の提供。
【解決手段】ジケトン化合物とアミン化合物から得られるβ−ケトエナミン化合物（例えば２，２−ジメチル−５−［（２−メトキシエチル）アミノ］ヘキサ−４−エン−３−オンなど）とストロンチウム、バリウムなどの第２族金属化合物とから調整された第２族金属含有多座配位β−ケトイミネート前駆体及び該前駆体を含む組成物。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス工業において利用されるルイス塩基性を有するガス、特に有害特殊ガス、例えばホスフィン及びアルシンのための低圧貯蔵及び放出システムを改善すること。
【解決手段】ルイス塩基性を有するガス間の可逆反応をおこなうことができるルイス酸性を有する反応性化合物を含む液体に、ルイス塩基性を有するガスを貯蔵する。反応性化合物は、非揮発性液体に溶解、懸濁、分散又は混合して反応性種を含む。 （もっと読む）

【課題】ルイス塩基性度又は酸性度を有するガス類、特に危険な特殊ガス類を低圧下で貯蔵する。
【解決手段】ｉ）ガスを貯蔵することができる媒体を収容する容器、及びｉｉ）容器から媒体に貯蔵されたガスを送給するためのレギュレータ手段、から構成される貯蔵及び送給装置であって、ルイス酸性度を有する反応性液から構成される媒体中にルイス塩基性度を有するガスを可逆的に反応した状態で貯蔵するか、あるいは、ルイス塩基性度を有する反応性液から構成される媒体中にルイス酸性度を有するガスを可逆的に反応した状態で貯蔵する。 （もっと読む）

【課題】水分散液、水分散液の製造法および水分散液から形成された層を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】ポリチエノチオフェンなどの少なくとも１つの導電性ポリマー、少なくとも１つのエーテル含有ポリマーおよび任意に、少なくとも１つのコロイド形成性ポリマー酸および非フッ素化ポリマー酸を含む水分散液、また該分散液から形成された層を用いてたデバイス。 （もっと読む）

【課題】一般的にＭＤＡ−５０およびＭＤＡ−６０と呼ばれる、多量の不純物を含むメチレンジアニリン原料を接触水素化する方法の開発を課題とする。
【解決手段】担体に担持されたロジウムおよびルテニウムを含む触媒系の存在下で、メチレンジアニリンと水素を接触させることにより、メチレンジアニリンをその環水素化対象物へ接触水素化させる方法において、少なくとも４０質量％の多環オリゴマー不純物を有するメチレンジアニリン原料を使用すること、そして、アルミン酸リチウム担体に担持されたロジウムおよびルテニウムを含む触媒系の存在下で水素化を実施することを特徴とする接触水素化方法により、課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】好ましくは高純度レベル（たとえば、百万当たり１００部（ｐｐｍ）もしくは１０ｐｐｍもしくは１ｐｐｍ、または１０億当たり１００部（ｐｐｂ）もしくは１０ｐｐｂもしくは１ｐｐｂもしくはそれ未満の溶媒を含む）のアセチレンを、半導体製造プロセスなどの使用ポイントに供給するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】一態様では、１００ｐｐｍ以下の溶媒を含む高純度アセチレンを使用ポイントに供給するための方法であって、２０℃から−５０℃の温度範囲でアセチレンおよび溶媒を含むアセチレン供給流を供給するステップと、その中に含まれる溶媒の少なくとも一部を除去して高純度アセチレンを供給するために、−５０℃から３０℃の温度範囲の精製器にアセチレン供給流を導入するステップとを含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのようなシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させるための方法、及び組成物を提供する。
【解決手段】有効量の遊離基スカベンジャー重合抑制剤をそのようなシクロテトラシロキサンに供給することを含む安定化方法、及び電子材料の製造においてケイ素酸化物の前駆物質として化学気相成長法で使用される重合に対し安定化させた、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのようなシクロテトラシロキサンの組成物であって、そのようなシクロテトラシロキサンと遊離基スカベンジャー重合抑制剤とを含むシクロテトラシロキサンの組成物である。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、耐水性、耐蝕性及び耐候性に優れたエポキシ塗料用の硬化剤として有用なジアミン類の製造方法を提供する。
【解決手段】芳香族ジニトリルをメチルアミンまたはエチルアミンと水素及び触媒の存在下、約100〜約500 psiの水素圧力で接触させて少なくとも一の中間体生成物を形成し、引き続き、水素化触媒の存在下、約400〜約1500 psiの水素圧力で水素と接触させることによる下式（I）に示されるアミンの製造方法。


（式中、R^Aはメチル基またはエチル基であり、R^Bはメチル基、エチル基、または水素原子であり、R^CはC1〜C18アルキル等を表し、xは0〜4の整数を表す。） （もっと読む）