【課題】ベンジル化ポリアルキレンポリアミン化合物を含む硬化剤組成物、更に、アミン‐エポキシ組成物及びそれらのアミン‐エポキシ組成物から製造された物品の提供。
【解決手段】（ａ）少なくとも３個の窒素原子、少なくとも３個の活性アミン水素原子及び少なくとも１個のベンジル基を有する少なくとも１種の、下式で示されるベンジル化ポリアルキレンポリアミン、並びに（ｂ）３個以上の活性アミン水素を有する少なくとも１種の多官能アミンを含む硬化剤組成物、更にこれを硬化剤として用いたエポキシ樹脂。
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【課題】原料ガス流から亜酸化窒素を除供するための方法と装置の提供。
【解決手段】原料ガス流を、水を吸着するための第一の吸着剤、二酸化炭素を吸着するための第二の吸着剤、及び亜酸化窒素を吸着するための第三の吸着剤を通過させて、精製した原料ガス流を作ることを含む方法であって、第三の吸着剤が３０℃で７９ｍｍｏｌ／ｇ／ａｔｍ以上の亜酸化窒素容量及び０．１２ｓｅｃ^-1以上の窒素拡散パラメーターを有し、そして第一、第二及び第三の吸着剤は随意に同じ物質であることができる、亜酸化窒素除去方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造業者らから求められる、ＴＥＰＯ中の砒素の低濃度化を達成する方法が必要とされる。
【解決手段】砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェート（ＴＥＰＯ）からの砒素含有不純物の除去方法は以下の方法を含む：トリエチルホスフェートと比べて砒素含有不純物を選択的に吸着する吸着剤を準備すること；砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェートを吸着剤と接触させること；及び砒素含有不純物を有する粗製トリエチルホスフェートから砒素含有不純物を吸着して、減少した砒素含有不純物を有する製品トリエチルホスフェートを作ること。 （もっと読む）

【課題】金属化合物配位錯体Ｍ^ｎ＋（Ｌ⁻）_ｎ（ｎ≧１）を効果的に合成する方法を提供する。
【解決手段】金属化合物先駆物質と配位子先駆物質から第１の金属−配位子錯体Ｍ^ｎ＋（Ｌ⁻）_ｎ（ｎ≧１）を合成する方法であって、前記第１の金属−配位子錯体の合成に元素の金属を加えて、原子価がｎよりも大きい金属の第２の金属−配位子錯体の生成を抑制することを特徴とする方法とする。 （もっと読む）

【課題】記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。
【解決手段】高アスペクト比の特徴を有する半導体基材を用意する工程、該半導体基材を低分子量のアミノシランを含む液体配合物と接触させる工程、該半導体基材上に該液体配合物を塗布することにより膜を形成する工程、及び該膜を酸化条件下において高温で加熱する工程を含む方法が提供される。この方法のための組成物もまた記載される。 （もっと読む）

【課題】ソーイングによりウエハをダイシングする処理の際に、汚染物質残留物又はパーティクルの付着を抑制し、露出表面の腐食を実質的に減らすかあるいは無くすダイシング液を提供する。
【解決手段】少なくとも１種のジカルボン酸及び／又はその塩、少なくとも１種のヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩、又はアミン基を含有する酸、と、リン酸エステル分岐アルコールエトキシレートを基礎材料とする界面活性剤、アルキルジフェニルオキサイドジスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、ドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＤＢＳＡ）を基礎材料とする界面活性剤、第二アルキルスルホン酸を基礎材料とする界面活性剤、及びそれらの組み合わせ、からなる群より選ばれる界面活性剤、とを含み、残りが実質的に脱イオン水であり、フッ素を含まず且つｐＨが約１〜約４である。 （もっと読む）

【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】安全性、酸化安定性、熱安定性の改善されたリチウム二次電池を提供すること。
【解決手段】負極と、正極と、セパレータと、非プロトン性溶媒中に保持されるリチウムに基づいた電解質とから構成されたリチウム二次電池であって、以下の式、即ち、
Ｌｉ₂Ｂ₁₂Ｆ_xＺ_12-x
（式中、ｘは４以上であり、ＺはＨ、Ｃｌ及びＢｒを表す）のリチウム塩を使用することで改良されたリチウム二次電池を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）

【課題】基材表面からの酸化物のコスト効果が高く、効率的な除去方法および装置の提供。
【解決手段】本明細書中に記載されているのは、ターゲット領域内の基材表面から金属酸化物を除去するための方法および装置である。ある特定の態様において、この方法および装置は、導電性ワイヤーによって電気的に接続されている突き出た導電性チップの配列を有し、そして第１の電気的に接続された群および第２の電気的に接続された群に分離されており、導電性チップの少なくとも一部分が、負にバイアスされている直流電源によって活性化されて、ターゲット領域内に存在する還元ガスの少なくとも一部分に付着する電子がターゲット領域内で発生し、処理表面と接触して基材の処理表面上の金属酸化物を還元する負に帯電した還元ガスを生成する、通電電極を有する。 （もっと読む）