【課題】サンプル溶液及び試薬溶液を効率良く定量混合する。
【解決手段】第１セグメントを導入するための第１インジェクタ９ａ及び第１ポンプ７ａをもつ第１セグメント導入送液部１と、第２セグメントを導入するための第２インジェクタ９ｂ及び第２ポンプ７ｂをもつ第２セグメント導入送液部３と、第１チャンネル１３ａ、第２チャンネル１３ｂ及び検出チャンネル１５からなるＹ字型マイクロチャンネルを備えたマイクロチップ１１と、検出器１９を備えている。検出チャンネル１５では層流が形成され、第１インジェクタ９ａにより導入された所定量の第１セグメントと第２インジェクタ９ｂにより導入された所定量の第２セグメントは合流点１７で合流され、検出チャンネル１５内で第１セグメントと第２セグメントの界面に垂直な方向に第１セグメント及び第２セグメントの拡散が起こり、第１セグメント及び第２セグメントは瞬時に混合され、反応する。 （もっと読む）

【課題】公知のゲル形成性組成物よりも迅速にゲルを形成することができるゲル形成性組成物を提供すること。
【解決手段】ゲル形成性組成物は、(1)親水性領域と疎水性領域を有するブロックコポリマーから形成され、前記親水性領域が外側、前記疎水性領域が内側に配置された高分子ミセルであって、前記親水性領域は、その外側端部に少なくとも１個のアルデヒド基を有する高分子ミセルと、ε−ポリ−Ｌ−リジンの高分子量化物であるポリアミンポリマーとを含む。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れるとともに、透明性が良好な導電体を提供する。
【解決手段】Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｐ及びＢｉからなる群から選ばれる１又は２以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層１２’を、基板１１上に形成する工程と、前駆体層１２’を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層１２を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】摺接部における流体の漏れを抑制し得るスライドバルブ装置を提供する。
【解決手段】流体が移動する第１の流路２１を有する第１の部材１１と、第１の部材１１に対して摺接し、第１の流路２１に連通する第２の流路２２を有する第２の部材１２と、第１の部材１１の第２の部材１２と摺接する摺接面に設けられ、第１の流路２１に連通する第１の連通穴３５を有する第１の弾性膜３０とを備える。第１の流路２１の幅を１００μｍ、第１の弾性膜３５の厚さを４０μｍとし、第１の連通穴３５が、開口量が５０μｍ以下のテーパ形状部を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上にＩＩＩ族窒化物を均一な膜厚で堆積することができ、高いスループットを維持し、大面積の基板であっても製造可能な半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置及び半導体基板を提供すること。
【解決手段】窒素ガス雰囲気でＩＩＩ族金属又はＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるターゲット２２にパルス電子線を照射することにより、パルスレーザ光を照射する場合に比べてターゲットを構成する原子又は分子に高い運動エネルギーを与えることができ、ＩＩＩ族金属の原子又はＩＩＩ−Ｖ族化合物の分子のプルームを広い範囲で形成することができる。本発明では、このように広い範囲で形成されたプルームを基板に近接させるので、ＩＩＩ族窒化物の薄膜を基板３２の広い範囲に均一に堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】
光学的性質などに優れる金属酸化物膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のひとつの側面は、アナターゼ構造を有する二酸化チタン膜である金属酸化物膜であって、二酸化チタン膜に、Sn、Hf、Si、Zr、Pb及びGeからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパント、並びに、Nb、Ta、Mo、As、Sb及びWからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加されていることを特徴とする金属酸化物膜にある。本構成によれば、屈折率および透過領域となる波長域をSn、Hf、Si、Zr、Pb及びGeからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパント濃度によって制御しつつ、Nb、Ta、Mo、As、Sb及びWからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントによって抵抗率を小さくできるため、優れた光学的性質を有し、かつ低抵抗率である金属酸化物膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＺｎＯ基板上に形成された、ＡｌＮおよびＡｌ組成比の大きなＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの高品質の結晶層を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（但し、ｘは、０．６≦ｘ≦１．０を満たす数である。）であって、成長面に対する、Ｘ線回折強度の角度依存性の半値全幅ａ_１が、０．００１°≦ａ_１≦０．５°を満足することを特徴とするＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス等に使用できる結晶性のよいＩｎＮおよびＩｎ組成の大きなＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＺｎＯ基板上に成長することで形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層は、前記基板上に直接接して形成された第一層と、この第一層上に直接接して形成された第二層とを少なくとも有し、前記第一層が、Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮ（但し、ａは、０≦ａ≦０．１６を満たす数である）であり、前記第二層が、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（但し、ｘは、０．５≦ｘ≦１を満たす数である）であることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】十分な圧電性を有し、高い周波帯域での利用が可能な半導体素子、フィルタ素子、通信機器及び半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極４上に設けられる圧電薄膜５が単結晶のＡｌＮからなるので、当該圧電薄膜５を構成する結晶の結晶性が高くなる。しかも、この圧電薄膜５が単結晶のＲｕを主成分とする上面４ｂ上に配置されるので、下部電極４との界面で反応が起こるのを回避でき、圧電薄膜５の界面を平坦にすることができる。 （もっと読む）

【課題】貫通細孔を有する陽極酸化ポーラスアルミナを、煩雑な工程を経ることなく高スループットで安価に製造する方法とその方法により製造された貫通細孔を有するポーラスアルミナを提供する。
【解決手段】少なくとも１層のアルミニウム層をアルミニウム基層上に密着させ、陽極酸化することによりアルミニウム層をポーラスアルミナ層にするとともに該ポーラスアルミナ層に該ポーラスアルミナ層を貫通してアルミニウム基層まで延びる細孔を形成し、しかる後にポーラスアルミナ層を剥離することを特徴とする貫通細孔を有するポーラスアルミナの製造方法、およびその方法により製造された貫通細孔を有するポーラスアルミナ。 （もっと読む）