【課題】反応収率及び純度に優れ、室温条件の下、重合禁止剤の添加を必要としないマイクロリアクターを用いた不飽和有機化合物の合成方法を提供する。
【解決手段】アクリル酸系反応誘導体を、マイクロリアクター内で脂肪酸化合物と反応させることによる、下記一般式（３）で表される不飽和有機化合物を合成することを特徴とする不飽和有機化合物の合成方法。


（式中、Ｒ^１は水素又は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ^２は炭素数４〜２２のアルキレン基、Ｘ^２は−ＮＨ−基又は酸素原子、Ｍ^２は水素又は１価の金属原子を表す。） （もっと読む）

【課題】酸化チタンにニオブ等を添加し、導電性が良い範囲において屈折率を調整する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。酸化ニオブチタンから成る、凹凸２０ｓを有する透光性電極２０が、ｎコンタクト層１１上には電極３０が形成されている。電極２０上の一部には、電極パッド２５が形成されている。透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。また、凹凸２０ｓにより、光取り出し率が３０％向上した。 （もっと読む）

【課題】光触媒層に、発光ダイオードの電極機能を併せ持たせる。
【解決手段】光源一体型光触媒装置１００は、ＩｎＧａＮから成る発光層１３を有する。ｐ型ＡｌＧａＮから成るｐクラッド層１４、ｐ型ＧａＮから成るｐコンタクト層１５の上には酸化ニオブチタンから成る、光触媒機能を有する透光性電極２０が形成されている。酸化ニオブチタンから成る透光性電極２０は、発光層１３からの波長３８０ｎｍの紫外光により活性化されて光触媒機能層として作用し、且つ発光層１３に電流を供給するための透光性電極としても作用する。光触媒として機能するのは透光性電極２０の露出した表面２０ｓ近傍である。 （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好な半導体薄膜を形成することができる。加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する半極性面を成長面とする六方晶系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の成長面が、ｃ面となす角度が１０°以上９０°未満の半極性面であり、前記成長面を回折面として、この成長面に垂直かつｃ軸に平行な面と平行な方向から入射するＸ線に対して得られるＸ線回折強度の角度依存性の半値全幅をａ_１で表したとき、ａ_１≦０．５°を満たすことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】シリコン基板上にＺｒＮからなるバッファ層を設けた場合に、当該ＺｒＮの結晶性が極めて高くなる。また、ＺｒＮからなるバッファ層を設けた場合に、光反射率が６５％を超える。そこで、Ｓｉ（１１１）からなる基板２と、当該基板２上に設けられたバッファ層３と、バッファ層３上に設けられた半導体層４とを具備し、このバッファ層３がＺｒＮからなることとしたので、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】熱放散が良好でかつ紫外光等の短波長領域の光に対する基材の反射性を向上することができ、III族窒化物の半導体層と金属の基材との間に界面反応層が形成されない高品質な半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ロジウムからなる基材２と、基材２の表面にIII族窒化物からなる半導体層３とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子の基板が金属を主成分とするので、大面積の単結晶基板を安価に得ることができる。しかも、金属にはフレキシブル性があるため、例えば基板を曲げて使用することが可能である。これにより、スペースに応じて曲げて使用するなどの幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電気的手法によって高い成長速度で薄膜を形成することが可能な薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット２２を保持するターゲット保持部２１が導電性材料からなることとしたので、電子線をターゲット２２に照射し続けてもターゲット保持部２１がチャージアップすることが無い。このため、ターゲット２２に電子線を照射した状態で時間が経過しても、当該電子線がターゲット２２に到達しにくくなることは無いので、成長速度の低下を回避することができる。これにより、高い成長速度で薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】可変抵抗体５は原子価が三価以下の元素がドープされたチタン酸化物によって形成され、可変抵抗体５の電極４，６間の電気抵抗が電極４，６への電圧の印加によって変化する特性を有することを特徴とする。 （もっと読む）