【課題】角型性の良好なヒステリシス特性を有しないことで信頼性を向上させた圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｐｂ（Ｚｒ_ＸＴｉ_ＹＮｂ_Ｚ）Ｏ_３で示され、以下の関係、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１
０≦Ｙ≦０．２５
０．０５≦Ｚ≦０．２５
が成立することを特徴とする圧電体である。 （もっと読む）

【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室３４内に配置された、基板３５を載置する載置台３６と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構３８と、前記処理室内を加圧する加圧機構４３と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構５６と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】結晶化しようとする強誘電体膜の配向を変換して任意に制御した強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る強誘電体膜は、基板上に形成された（１１１）配向したPt膜４と、前記Pt膜上に形成されたPZT膜６と、を具備し、前記PZT膜は、（１１１）＋（００１）、（００１）、（００１）＋（１１０）及び（１１０）のいずれかに配向されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電極と成膜ローラとの間に均一性良くプラズマを発生させることができるローラ式プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ローラ式プラズマＣＶＤ装置は、被成膜テープ９上に薄膜を成膜する装置において、真空チャンバー１と、前記真空チャンバー１内に配置され、前記被成膜テープ９が走行される成膜ローラ２と、前記真空チャンバー１内に配置され、前記成膜ローラ２に対向して設けられたプラズマ電極１１と、前記プラズマ電極１１に電気的に接続された高周波電源１３，１５と、前記真空チャンバー１内に原料ガスが供給される原料ガス供給機構１８，２０と、前記真空チャンバー１内を真空排気する真空排気機構と、を具備し、前記プラズマ電極１１における前記成膜ローラ２との対向面は、前記成膜ローラ２の表面に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び平坦性に優れた金属膜を基板上に成膜できる成膜装置及び酸化物薄膜成膜用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置は、プロセス室１と、プロセス室に配置された一対のターゲット１１，１２と、前記ターゲットに電力を印加する電源と、プロセス室に配置された蒸着源１０と、プロセス室内を真空排気する真空排気機構と、プロセス室内にガスを導入するガス導入機構と、プロセス室内に配置され、基板を保持する基板保持機構２と、基板保持機構に設けられた基板を加熱する加熱機構４とを具備する。前記成膜装置は、基板上に３００℃以下の温度で第１の金属膜をスパッタリング成膜した後に、第１の金属膜上に５００℃〜１０００℃の温度で第２の金属膜をスパッタリング成膜し、蒸着法により第２の金属膜上に第３の金属膜を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐摩耗性及び耐食性に優れた透明樹脂積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明樹脂基材と、該透明樹脂基材上の少なくとも片面に形成される、少なくとも１層のシリカ膜層と、該シリカ膜層上に形成されるＤＬＣ膜層を最外層として有する透明樹脂積層体とする。 （もっと読む）

【課題】低温で短時間かつ効率良く薄膜を酸化又は還元する反応装置及び反応方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る反応装置は、チャンバー３と、前記チャンバー内に配置され、薄膜が形成された基板１を保持する保持機構２と、極性溶媒のｐＨを調製するｐＨ調製機構と、前記ｐＨ調製機構によってｐＨが調製された極性溶媒を加熱する加熱機構と、前記加熱機構によって加熱された前記極性溶媒を前記保持機構に保持された前記基板に供給する供給機構と、を具備し、前記ｐＨが調製され且つ加熱された極性溶媒によって前記薄膜に酸化反応又は還元反応を起こさせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置されたリング状のＩＣＰ電極１７，１８と、前記ＩＣＰ電極に電気的に接続された第１の高周波電源７，８と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向するように配置されたディスク基板２と、前記ディスク基板に接続された第２の高周波電源６と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール２４，２５と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ成膜時の高周波放電中に電極に発生するＤＣ成分である電圧Ｖ_ＤＣを大きくできるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置され、被成膜基板が保持される保持電極２と、前記保持電極２に電気的に接続された高周波電源８と、前記保持電極２に保持された前記被成膜基板に対向して配置され、アース電源又はフロート電源に接続される対向電極１２と、前記対向電極１２と前記保持電極２との間の空間１３に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、を具備し、前記保持電極２の表面積をａとし、前記対向電極１２の表面積をｂとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。ｂ／ａ≧２ （もっと読む）