【課題】カソードと被成膜基板との間の距離を長くすることにより、被成膜基板に緻密で高硬度な薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー２内に配置されたカソード電極３と、カソード電極３の周囲を囲むように設けられたアノード電極４と、カソード電極３及びアノード電極４に対向するように配置される被成膜基板１を保持する保持部と、フロート電位とされるプラズマウォール８と、カソード電極３に接続された交流電源５と、アノード電極４に接続された直流電源７と、被成膜基板１に電気的に接続された直流電源１２と、を具備し、円筒形状のプラズマウォール８の内径が１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であり、カソード電極３と被成膜基板１との間の距離が２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面全体に薄膜を均一に成膜した微粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子は、表面全体に薄膜３５が成膜された微粒子２３において、前記微粒子の粒径は１０μｍ以下であり、前記薄膜は、真空チャンバー内にアース電極を配置し、前記真空チャンバー内に前記微粒子を収容し、前記真空チャンバー内に原料ガスを供給し、前記真空チャンバーを回転させることにより前記真空チャンバー内の前記微粒子を動かし、前記真空チャンバーに電力を供給し、前記アース電極と前記真空チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記微粒子の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚をほとんど減少又は増加させることなく、表面に撥水性を持たせる表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理方法は、基材上にＤＬＣ膜又は樹脂膜を形成する工程と、前記ＤＬＣ膜又は前記樹脂膜の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより、前記ＤＬＣ膜又は前記樹脂膜の表面から０ｎｍ以上１ｎｍ未満の深さまで削る工程と、を具備し、前記削る工程の後の前記ＤＬＣ膜又は前記樹脂膜は、水との接触角が９０°以上である表面を有し、前記プラズマエッチング処理を施す際に供給されるエッチングガスは、フルオロカーボン系のガスを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性及びステップカバレッジを向上させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、単量体を有する有機物原料ガスがプラズマによって重合されて基材３に成膜されるプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１と、真空容器１内に配置され、前記基材３の電位がフロートとされ、前記基材３が保持される保持電極２と、前記真空容器１内に配置され、前記保持電極２に保持された前記基材３に対向して配置されたリング電極４と、前記リング電極４に電気的に接続された高周波電源と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも潤滑油中で摩擦特性が優れること、または無潤滑および潤滑油中の両方の環境下で摩擦特性が優れた非晶質炭素膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】原料ガスはトルエンガスおよびＨＭＤＳで、周波数は５０ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下で、圧力は０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下で、成膜中の温度は１５０〜４００℃の条件のプラズマＣＶＤ法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、組成がＣ_{１−ａ−ｂ}Ｓｉ_ａＨ_ｂで、かつ、０≦ａ≦０．２、０．７５≦ｂ＜０．２５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】排気口付近での異常放電の発生を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマを用いて処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバー３と、前記処理チャンバー内に設けられた処理室４と、前記処理室内にプラズマ処理用ガスを供給するガス供給機構と、前記処理チャンバーに設けられた第１乃至第５の排気口１２ａ〜１２ｅと、第５の排気口に繋げられ、前記処理室内を真空排気する排気機構と、第１乃至第４の排気口と前記処理室とが繋げられ、第１のアース部材と第２のアース部材によって設けられた幅５ｍｍ以下の隙間１１と、を具備し、前記排気機構は、前記処理室内の前記プラズマ処理用ガスを、前記隙間を通して第１乃至第５の排気口から排気するものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ膜を効率良く成膜して収率を向上させることができるランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置は、基板３上にサーマルＣＶＤ法により成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１と、前記チャンバー１の外側に配置され、前記チャンバー１を透過したランプ光が前記基板３に照射されるランプヒーター４，６と、前記チャンバー１に接続され、前記チャンバー１内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構と、前記チャンバー１に設けられ、前記チャンバー１内を排気する排気口２１と、前記排気口２１に接続された排気機構と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来と比べて担持する物質の使用量を少なくすることによりコストを低減させた担持微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る担持微粒子の製造方法は、内部形状が多角形である真空容器内に、表面に複数の細孔２１を有する微粒子３を収容し、前記真空容器を回転させることにより該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行う担持微粒子の製造方法であって、前記担持微粒子における前記超微粒子又は薄膜は、前記複数の細孔２１内より前記微粒子３の見掛け表面に多く担持されており、前記担持微粒子は、前記超微粒子又は薄膜が担持されていない前記細孔２１を有し、前記担持微粒子は、１次電池の電極触媒、２次電池の電極触媒、燃料電池の電極触媒、１次電池の電極材料、２次電池の電極材料、及び燃料電池の電極材料のうち少なくとも一つに用いられるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガスバリア性プラスチック容器を製造するに際して、真空チャンバ以外でのプラズマの発生を抑制し、さらには原料ガス由来の異物の発生を抑制することである。
【解決手段】本発明は、プラスチック容器の内壁面にガスバリア性を有する薄膜を形成する装置であり、外部電極１の上端を容器８の天頂Ｙよりも下方に位置させ、外部電極１の上方かつ容器８の外側周囲に誘電体からなる環状部材２を配置し、外部電極１と環状部材２とは真空チャンバ３を構成し、容器自体の静電容量とその内部空間の静電容量との合成静電容量をＣ_１とし、真空チャンバの内部空間と排気室の内部空間とを含む成膜ユニットの内部空間のうち容器の外側空間の合成静電容量をＣ_２としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２の関係が成立し、電源２７は周波数４００ｋＨｚ〜４ＭＨｚの低周波電力を供給する。 （もっと読む）