説明

株式会社ユーテックにより出願された特許

41 - 50 / 59


【課題】CVD用の原料溶液の流量を長時間にわたって精度よく制御することができるCVD用気化器、溶液気化式CVD装置及びCVD用気化方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るCVD用気化器は、キャリアガス中に原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管の前記ガス通路に連通されたところの前記原料溶液を供給する原料溶液用通路21〜25と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを供給するキャリアガス用通路33と、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液を気化する気化管31と、前記気化管31内に挿入され前記オリフィス管のガスを噴出する噴出部とを有し、前記オリフィス管は、円柱状のガス通路を備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、チャンバを交換することなく異なる容量の容器に対して、容器高さ方向に対して均一な膜質の成膜をすることができるプラズマCVD成膜装置を提供すること。異なる容量の容器に対して、容器高さ方向に対して均一な膜質の成膜が為されたガスバリア性を有するプラスチック容器の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係るプラズマCVD成膜装置は、プラスチック容器を収容する真空チャンバと、該真空チャンバの側壁に沿って螺旋状に巻きつけられたリボン状コイルと、前記プラスチック容器の内部に挿脱可能に配置され、該プラスチック容器へ原料ガスを供給する原料ガス供給管と、前記真空チャンバの内部ガスを排気する排気手段と、前記リボン状コイルに高周波電力を印加する高周波供給手段と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明性を向上させたSiNxOyCz膜、及び成膜速度を向上させた成膜方法を提供する。
【解決手段】SiNxOyCz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式(1)〜(3)の範囲である有機EL素子の保護膜。 0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3)
このSiNxOyCz膜は、400nm〜800nmの波長光で95%以上の透過率を有することが可能である。この膜は、1ターンのコイルにICP出力を印加して発生させた誘導結合プラズマによって原料ガスを分解するCVD法を用いて成膜されたものであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 回路調整が容易で高密度のプラズマを安定的に発生させるICP回路を提供する。
【解決手段】 本発明に係るICP回路は、共振条件又は共振条件の許容動作範囲で回路動作を行うICP回路であって、高周波電流が供給される高周波コイルと、前記高周波コイルの一端に接続され、前記高周波電流が出力されるICP電源18と、前記高周波コイルの他端に接続され、前記高周波電流の周波数及び前記高周波コイルのインダクタンスに対して共振条件又は共振条件の許容動作範囲を満たす容量を有する共振コンデンサ20と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 複数のスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置は、被成膜基板13にスパッタリングにより薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、真空容器10と、前記真空容器10内に配置された第1乃至第3のスパッタリングターゲット24〜26と、前記第1乃至第3のスパッタリングターゲット24〜26それぞれに高周波電流を出力する高周波電源33〜35と、前記真空容器内に配置され、被成膜基板を保持するサセプタ14と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 めっき法のように廃液の処理が必要なく、環境に対する負荷が小さい表面処理物、表面処理方法及び表面処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によってボルトやナット等の被処理体3の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜が被覆されたことを特徴とする。また、本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によって被処理体の表面に薄膜が被覆され、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層が形成されたことを特徴とする。前記スパッタリング法は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器1bを、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の被処理体3を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 紫外線に対する遮光性を有し且つ透明性を有する膜を成膜することができるCVD成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るCVD成膜装置は、容器2の外表面にプラズマCVD法により膜を成膜する装置であって、容器2の外側面を囲むように配置された外周電極14と、容器2の外表面に出発原料を供給する原料供給機構22とを具備する。容器2の首部2aの内側に配置された電極16を更に備えてもよい。この場合、電極16は、容器2の首部2a又は口の内面形状に略相似形の表面を有するのが好ましい。また容器2の首部2a又は口の内面から略等距離の表面を有することも好ましい。 (もっと読む)


【課題】 メンテナンス作業を短時間で容易に行うことができる成膜装置及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、チャンバー上部1aとチャンバー下部1bを有する外部チャンバー1と、前記外部チャンバー1内に配置され、前記チャンバー下部1bに取り付けられた内部チャンバー6と、前記内部チャンバー6内に配置され、被成膜基板16が保持される基板保持部4aと、具備し、前記チャンバー上部1aと前記チャンバー下部1bは分離自在に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、ガスバリア膜によってガスバリア性を付与しつつ、容器口部周辺の内壁での着色の過多を緩和し、またプラズマ集中によるボトルの熱変形を防止し、さらにはボトル口部に挿入する物体への炭素系異物の付着を低減することができるプラズマCVD成膜装置及び容器口部周辺の内壁での着色の過多を緩和したガスバリア性を有するプラスチック容器の製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明に係るプラズマCVD成膜装置は、プラスチック容器の内表面にガスバリア膜を成膜するプラズマCVD成膜装置であり、プラスチック容器の内部に挿脱可能に配置され、プラスチック容器の内部ガスを排気する排気管と、プラスチック容器の内部へ原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、プラスチック容器の内部に供給された前記原料ガスをプラズマ化させるプラズマ発生手段と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


本発明のガスバリア性測定方法は、プラスチックの吸湿量によりガスバリア性の評価がばらつくという課題を克服し、容器をはじめとしてプラスチック成形体のガスバリア性をその吸湿量によらず、測定値の応答が良く且つ精度良く測定することを目的とする。 本発明に係るプラスチック成形体のガスバリア性測定方法は、プラスチック容器、プラスチックシート又はプラスチックフィルム等のプラスチック成形体を透過する測定対象ガスの透過量をガス分析装置により測定するガスバリア性測定方法において、前記プラスチック成形体を変形又は熱劣化させない温度範囲にて加熱して乾燥させる加熱乾燥工程を有することを特徴とする。
(もっと読む)


41 - 50 / 59