説明

株式会社ユーテックにより出願された特許

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【課題】本発明の目的は、ガスバリア性プラスチック容器の製造装置において、排気室又はそれ以降の排気経路での定期的な異物除去作業と容器形状換えに伴う外部電極の交換作業を低減し、ガスバリア性プラスチック容器の生産性を高めることである。
【解決手段】本発明は、プラスチック容器の内壁面にプラズマCVD法によってガスバリア性を有する薄膜を形成する装置であり、外部電極の内壁面とプラスチック容器の外壁面とに挟まれた隙間空間に誘電体からなるスペーサーを配置し、かつ、プラスチック容器自体の静電容量とその内部空間の静電容量との合成静電容量をCとし、真空チャンバの内部空間と排気室の内部空間とを含む成膜ユニットの内部空間のうちプラスチック容器の外側空間の合成静電容量をCとしたとき、C>Cの関係が成立し、かつ、周波数400kHz〜4MHzの低周波電力を外部電極に供給する。 (もっと読む)


【課題】炭素担体の外表面に多くの触媒微粒子を担持できる多角バレルスパッタ装置、炭素担持触媒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多角バレルスパッタ装置は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である真空容器1と、真空容器内に入れられ、炭素担体3の一次粒子が凝集してできた二次粒子を一次粒子又は元の二次粒子より小さい二次粒子に分散させる分散部材と、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として真空容器を回転させる回転機構と、真空容器内に配置されたスパッタリングターゲット2と、を具備し、回転機構を用いて真空容器1を回転動作又は振り子動作を行うことにより、真空容器内の炭素担体3を攪拌あるいは回転させながら分散部材によって炭素担体3の二次粒子を分散させつつスパッタリングを行うことで、炭素担体3の表面に微粒子又は薄膜を担持することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー1と、前記チャンバー内に配置され、基材2を保持する基材ホルダー3と、前記チャンバー1に繋げられ、前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入経路と、前記チャンバー内に50〜500kHzの高周波出力を供給する高周波電源4と、を具備し、前記高周波電源4から供給された高周波出力により前記チャンバー内に前記処理ガスのプラズマを発生させて前記基材2にプラズマ処理を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安全かつ安価に薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置1は、反応室2内に載置された基板21上にシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。有機シラン化合物を含有する原料ガスを前記反応室2へ供給する原料ガス供給手段と、前記反応室2内において、CVD法によって前記被薄膜形成対象物上に前記薄膜を形成するCVD部3とを備える。前記原料ガス供給手段は、CVD用気化器4と気化機構40とを備え、薄膜を形成する。また、炭化水素を供給する炭化水素供給機構を備え、前記有機シラン化合物と前記炭化水素を含有する原料ガスを用い、所望のシリコン原子と炭素原子の組成比からなる前記薄膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】CVD法により強磁性体Pt/Fe薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び強磁性体Pt/Fe薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】白金化合物と鉄化合物とを気化した原料ガスを、還元性のキャリアガスと共に反応室2へ供給するCVD用気化器4を備える。CVD用気化器4は、流入口から流出口に向けてキャリアガスが流れるキャリアガス流路42と、キャリアガス流路42に原料溶液を供給する原料溶液流路71と、キャリアガス流路42の流出口に設けられ、原料溶液流路71から供給された原料溶液を気化する気化部45とを備える。キャリアガス流路42は、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給管43と、キャリアガス供給管43からキャリアガスが供給され、原料溶液を微粒子状又は霧状にしてキャリアガス中に分散させて気化部45に供給するオリフィス管44とを備える。気化部45は、キャリアガス中に分散させた原料溶液を加熱して気化する加熱手段62を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、プラズマの発生が反応室の内部、すなわちプラスチック容器の内部のみで起こるように、排気室又はそれ以降の排気経路でのプラズマの発生を抑制し、同時にプラズマを安定して着火させることである。さらに、装置寿命の短縮の防止、インピーダンスの急激な変化に起因する不良ボトルの偶発の防止及び容器主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図ることである。
【解決手段】本発明に係るプラズマCVD成膜装置は、反応室3に周波数100kHz〜3MHzの低周波電力を供給し、且つ、プラスチック容器8の内部にスパーク発生部40を有するプラズマ着火手段と配置する。このとき、プラスチック容器8と反応室3の内部空間30との合成静電容量をCとし、絶縁体スペーサー4と排気室5の内部空間31との合成静電容量をCとしたとき、C>Cの関係が成立する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、排気室でのプラズマの発生を抑制することで、容器の主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図り、また、排気室及び排気経路での各部品の劣化を生じにくくすることである。
【解決手段】本発明に係る反応室外でのプラズマ発生の抑制方法は、プラスチック容器8と反応室3の内部空間30との合成静電容量CのインピーダンスAと絶縁体スペーサー4と排気室5の内部空間31との合成静電容量CのインピーダンスBのうち、インピーダンスBを、インピーダンスAを基準として相対的に高めて、排気室5におけるプラズマの発生を抑制することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 導電性が良く、光透過率の高い透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜を微粒子に被覆した透明導電性微粒子及びその製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器1を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器1内の微粒子3を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子3の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜できる蒸発源、蒸着装置及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る蒸発源は、蒸発材料が収容される容器1と、前記容器1に繋げられ、該容器内で蒸発した材料が流入される蒸発材料通路3と、前記蒸発材料通路3に繋げられ、前記蒸発した材料が該蒸発材料通路3の外に放出される第1乃至第4の材料放出用開口部4a〜4dと、を具備し、前記第1乃至第4の材料放出用開口部を結ぶ線によって形成される図形が略正方形となるように、前記第1乃至第4の材料放出用開口部が配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プラスチック容器の内壁面に成膜をする場合において、(1)形状の異なる容器ごとに外部電極を準備する必要をなくし、(2)誘導結合型プラズマ又はマイクロ波プラズマのいずれの方式によっても、容器の内部空間と外部空間との圧力差制御機構を設けることなく、前記隙間空間でのプラズマ発生を抑制すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマCVD成膜装置は、プラスチック容器を収容する真空チャンバと、真空チャンバの内壁面とプラスチック容器の外壁面とに挟まれた隙間空間に配置された絶縁体からなるスペーサーと、プラスチック容器の内部に挿脱可能に配置され、プラスチック容器へ原料ガスを供給する原料ガス供給管と、真空チャンバの内部ガスを排気する排気手段と、プラスチック容器の内部に供給された原料ガスをプラズマ化させるプラズマ発生手段と、を有する。 (もっと読む)


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