【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μｍ以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】RM2抗体が癌患者組織や血清中において特異的に認識する分子を特定し、当該分子を指標とした、簡便で特異性の高い癌の診断方法を提供すること。
【解決手段】被験者から単離した組織あるいは体液中における、RM2抗体が特異的に結合するハプトグロビンβ鎖あるいはその断片のレベルを指標として、当該被験者の泌尿生殖器系癌の罹患可能性あるいは悪性度を評価する。 （もっと読む）

【課題】 光学レンズの移動速度を安定化し得る簡単な構造のレンズ駆動機構を持つレンズモジュールにおける駆動体を提供する。
【解決手段】レンズモジュールは、磁石４へ吸着可能な移動体５を装着したレンズホルダ６（略図する光学レンズが装着される）をハウジング７にガイドピン８を用いて装着すると共に、圧電セラミック素子３の変位発生方向（長手方向）の一方側を磁石４、他方側をハウジング７に接着し、移動体５と磁石４とが磁力により吸着される構造であり、移動体５を支持したレンズホルダ６がガイドピン８に移動可能に支持される。磁石４の磁化方向は、光学レンズの光軸方向とほぼ直交してその半径方向にあり、圧電セラミック素子３で発生する振動により磁石４を振動させ、且つ磁石４の振動を駆動力として移動体５を駆動することによりレンズホルダ６を光軸方向に沿って移動させるレンズ駆動機構を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の（0001）Ｓｉ面上に金属層を設け、金属層を窒化することにより、金属窒化物層を形成し、金属窒化物層にIII族窒化物半導体を形成させる。化学処理などにより金属層を溶解し、ＳｉＣ基板から分離した多様な半導体構造体を得る。金属層としては、Ｃｒ層を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）

【解決手段】アニオン交換体を充填したカラムの一方に油脂類とアルコール類の混合物の導入口を、他方に生成した脂肪酸エステルの回収口をそれぞれ有し、反応温度が１０〜７０℃であることを特徴とする脂肪酸エステル製造装置。
【効果】油脂類を高濃度で使用するので、イオン交換樹脂の単位重合当たり、及び、時間当たりの脂肪酸エステルの生成量が大きい。即ち、脂肪酸エステルの生産性が大きい。得られた脂肪酸エステルをバイオディーゼル燃料に利用することにより環境負荷の軽減に寄与できる。 （もっと読む）

【課題】バイオディーゼル燃料用脂肪酸エステルの製造に使用した所定の強塩基性陰イオン交換樹脂の触媒活性を良好に再生できる再生方法を提供する。
【解決手段】強塩基性陰イオン交換樹脂がｐＫａ９．８以下の第三級アミンを不溶性担体に化学結合してなるものである場合、バイオディーゼル燃料用脂肪酸エステルの製造に使用した強塩基性陰イオン交換樹脂を、弱酸溶液により洗浄し、アルカリ水溶液により対イオンの置換を行ない、溶媒により膨潤させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板１０の上にクロム層２０を成膜するクロム層成膜工程と、クロム層２０を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜３０にする窒化工程とを備え、窒化工程では、下地基板１０とクロム窒化物膜３０との間に中間層が形成される。さらに、クロム窒化物膜３０の上にＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を成長させる結晶層成長工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アリルハイドロカーボン受容体（ＡＨＲ）に結合し、ＯＡＴＰ−Ｒ遺伝子の発現を増強する活性を有する物質からなることを特徴とするＯＡＴＰ−Ｒ遺伝子の発現増強剤や、アリルハイドロカーボン受容体（ＡＨＲ）に結合し、ＯＡＴＰ−Ｒ遺伝子の発現を増強する活性を有する物質を有効成分とする腎疾患予防・治療剤を提供することにある。
【解決手段】アリルハイドロカーボン受容体（ＡＨＲ）に結合し、ＯＡＴＰ−Ｒ遺伝子の発現を増強する活性を有する物質を用いる。 （もっと読む）