【課題】ペプチド又はその誘導体どうしをペプチド結合で連結させることができる酵素合成法を開発すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも３個のアミノ酸からなるペプチド又はその誘導体の合成方法を提供する。本発明の合成方法は、（１）アミノ酸と、少なくとも２個のアミノ酸からなるペプチドと、これらの誘導体とからなるグループから選択される第１の基質と、少なくとも２個のアミノ酸からなるペプチドと、その誘導体とからなるグループから選択される第２の基質と、アミノアシルｔＲＮＡシンセターゼとを含む反応混合液を用意するステップと、（２）前記反応混合液をインキュベーションするステップとを含む。本発明は、前記アミノアシルｔＲＮＡシンセターゼを含む触媒組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】ペプチドの製造法の提供。
【解決手段】以下の[１]〜[３]のいずれかに記載の蛋白質、該蛋白質を発現する形質転換体の培養物または該培養物の処理物を酵素源として用いるか、または該蛋白質を発現する形質転換体を培養することによる、ペプチドの製造法。[１]特定のアミノ酸配列を有する蛋白質。[２]特定のアミノ酸配列において、１以上のアミノ酸残基が欠失、置換、または付加したアミノ酸配列からなり、かつペプチド合成活性を有する蛋白質。
[３]特定のアミノ酸配列と８０％以上の相同性を有するアミノ酸配列からなり、かつペプチド合成活性を有する蛋白質。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】二平面を備える層の両方の面に局所的な変形が生じた場合にも、より正確に層間変位を計測することができる変位計測装置を提供する。
【解決手段】変位計測装置１Ａは、天井２と、前記天井２に対し所定間隔を隔てて設けられた床３と、不動点部材とを備える層間の水平方向の変位を光学的に計測する。天井２から前記床３に向かって基準光ＬＳを照射して、前記天井２と前記床３の相対変位を検出する基準変位計測部７と、前記天井２または前記床３と、前記不動点部材との間に参照光ＬＲを照射して、前記不動点部材に対する前記天井２または前記床３の相対変位を検出する参照変位計測部８Ａとを備える。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成されたラマン活性を有する物質の薄膜上、又はラマン活性を有する固体物質の表面上に、表面増強ラマン散乱活性を有する金属粒子を、物理気相成長法又は液相成長法により積重し、次いで、上記薄膜又は上記固体物質の表面部と、金属粒子とに励起光を照射することにより、金属により増強された、薄膜又は固体物質の表面部の構造に由来するラマン散乱光を分光分析する表面増強ラマン分光法。
【効果】本発明によれば、従来法に比べて簡便なラマン分光法によって、シグナルノイズを抑制して、基体上に形成された薄膜の構造又は固体物質の表面部の構造を高感度で解析することが可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に、薄膜が形成され、該薄膜の表面上に、物理気相成長法又は液相成長法によって、平底面を有する略半球状又は略半楕円球状の金属粒子が、上記平底面が上記薄膜の表面と接して形成され、上記薄膜の表面と上記金属粒子との間の接触角θが９０°以上１８０°未満である金属粒子ナノ構造体。
【効果】本発明によれば、表面プラズモンの増強作用の高い金属粒子を、基体上に簡便な方法によって形成することができ、基体上に、このような金属粒子が形成された金属粒子ナノ構造体を提供することができる。本発明の金属粒子ナノ構造体は、表面プラズモンの増強効果が高く、表面増強ラマン分光法による薄膜の分子構造解析、光半導体素子等に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】視覚障害者等の使用者に、提示方向への力覚を明確に付与すること。
【解決手段】力覚提示装置１０は、回転軸１２と、回転軸１２を回転させるモータ１３と、回転軸１２の外周側一部分に配置されて偏心回転可能に設けられた重量ユニット１４とを備えている。モータ１３は、提示側領域に重量ユニット１４が存在するときに第１の回転速度で回転軸１２を回転させ、そうでないときに第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で回転軸１２を回転させる。重量ユニット１４は、回転半径が可変になるように設けられた錘１６と、回転軸１２に固定配置された固定磁石１７と、錘１６と一体移動可能に配置された可動磁石１８とを備えている。各磁石１７，１８は、それらの間の磁力と錘１６の遠心力の大きさとのバランスに応じて相対移動可能に設けられ、回転軸１２が第２の回転速度のときには、第１の回転速度のときよりも錘１６の回転半径が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】原料化合物として臭素原子を含有するハロゲン化合物を用いた場合ばかりか塩素原子を含有するハロゲン化合物を用いた場合においても、ベンゾシクロブテン環を有するノルボルネン誘導体を十分に高い収率で製造することが可能なベンゾシクロブテン環を有するノルボルネン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記反応式に代表される、ホスフィン系配位子が２価のパラジウムに配位したパラジウム触媒と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群から選択される少なくとも１種の溶媒との存在下において、ノルボルナジエン誘導体と、ハロゲン化合物とを反応せしめ、ベンゾシクロブテン環を有するノルボルネン誘導体の製造方法。
（もっと読む）

【課題】芳香族化合物を基質としたフェノール誘導体の工業的に利用しやすい効率的製造方法の提供。
【解決手段】特定の塩基配列を有するM. goodii由来の水酸化酵素遺伝子及びそれにコードされる水酸化酵素タンパク質並びにその遺伝子を導入した形質転換体を用いたフェノール誘導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できるナノワイヤトランジスタ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】窒素が導入されたニッケルからなるニッケル層28をナノワイヤ５の周辺に形成して熱処理することにより、ナノワイヤ５に形成されたソース15及びドレイン16をシリサイド化させつつ、窒素によりゲート電極被覆領域ER1までシリサイド化されることを抑制できることから、従来よりもゲート電極被覆領域ER1にチャネル17を確保でき、かくして動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できる。 （もっと読む）