【課題】回路基板への実装に有利な平面実装型の構造で、コンタクト抵抗を低減させた静電容量型物理量センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１上に形成された固定電極１３と、対向する位置に置かれた可動電極となる感圧ダイヤフラム１５ａとを有し、両電極の引き出し部１４ａ，１４ｂがガラス基板の下面１１ｂに形成された、平面実装に適した静電容量型物理量センサである。ガラス基板１１の一方の主面１１ａ上に、感圧ダイヤフラム１５ａ及び凸状の第２導電部１５ｂを有するシリコン基板１５が接合されている。引き出し部１４ｂと接続される第２導電部１５ｂは、ガラス基板１１の主面１１ａ側から、間に異なる部材を介在させることなく主面１１ｂ側に貫通して延在している。 （もっと読む）

【課題】シリコンで形成されているセンサ基板裏側に２個のダイアフラムで形成し、この２個のダイアフラムに挟まれた部分のセンサ表面に、歪センサ素子を配置する構成にして、歪センサ素子の大きさ、配置する位置の自由度を大きくとることができるチップを提供する。
【解決手段】 半導体圧力センサは、シリコンで形成されたセンサ基板に中空部を設けてダイアフラムを形成し、該ダイアフラムの歪を歪センサ素子によって検出して前記ダイアフラムに加わる圧力を測定する半導体圧力センサであって、前記ダイアフラムは、複数個並べて形成したことである。 （もっと読む）

本発明は、２つの平坦なハウジング部分（１，４）の間に配置されたダイヤフラム（２，４１）を備え、第１のハウジング部分（１）は基準真空室（１０）を形成しており、第２のハウジング部分（４）は測定されるべき媒体と接続するための接続手段（５）を備える測定真空室（９）を形成しており、ダイヤフラムの撓みを測定するための手段が設けられている測定セルに関するものであり、測定されるべき媒体に曝露されるダイヤフラム表面（４１ａ）は構造化された表面として構成されており、それによりダイヤフラムに堆積した測定媒体の材料による応力曲げが大幅に低減されるようになっている。
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【課題】圧力の検出精度の低下を招くことなく静電容量の調整を行なうことが可能な圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置を提供する。
【解決手段】半導体素子３が搭載される絶縁基体１と、枠状のスペーサ１１を介して絶縁基体１の表面に対向する位置に配置されたダイアフラム２と、絶縁基体１の表面の前記枠状のスペーサ１１の内側に形成された円形の静電容量形成用の第１の電極７と、ダイアフラム２の表面の枠状のスペーサ１１の内側に第１の電極７に対向するように形成された静電容量形成用の第２の電極９とを備える圧力検出装置用パッケージであって、第１の電極７が、中心と外縁とを結ぶ複数のスリット１３により分割されている。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を向上すると共に、ダイヤフラムと固定電極との間のキャビティ内の気密性を向上させることができる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１の主面１１ｂ側には、第１シリコン基板１２が接合されている。第１シリコン基板１２は、固定電極１２ａと突出部１２ｂを有しており、ガラス基板１１に固定電極１２ａ及び突出部１２ｂが貫通して一方の主面１１ａ側で露出している。突出部１２ｂの上面には、固定電極１２ａ用の引き出し電極１３が形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａの接合面１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１４ａを有する第２シリコン基板１４が接合されている。引き出し電極１３は、突出部１２ｂ上に形成された２層のシード層１３ａ，１３ｂと、上層のシード層１３ｂ上に形成された電極パッド１３ｃとで構成されている。 （もっと読む）

【課題】圧力検出器の製造の簡略化を図りつつ圧力の検出精度を向上させる。
【解決手段】本発明の圧力検出器１のセンサ部３は、第１の圧力検出用電極８が設けられた基板１５と、この基板１５上の第１の圧力検出用電極８との間でギャップ７を挟んで対向して配置される第２の圧力検出用電極９を備えたダイアフラム２と、基板１５とダイアフラム２との間に介在されているとともに、第１及び第２の圧力検出用電極８、９が互いに対向する領域部分に、内壁面２５ａが膨出した曲率面からなる開口部３７を有する絶縁性セラミックペーストの固化体で構成されたスペーサ層２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧力センサに用いた場合の封止性に優れ、基板内を通じて基板の上面と下面との間の電気的な接続を確実に行うことができ、容易に製造できるシリコン埋込ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の１一部を加工して突起部１ａを形成する工程と、軟化温度まで加熱したガラス板２をガラス板２の上面に重ねたシリコン押板３ごと突起部１ａの頂部に押し付けて熱プレスを行い、ガラス板２内に突起部１ａを挿入する工程と、突起部１ａが挿入されたガラス板２を冷却する工程と、シリコン押板３を除去する工程とを備えたシリコン埋込ガラス基板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】圧力検出器の製造の簡略化を図りつつ圧力の検出精度を高める。
【解決手段】本発明の圧力検出器１のセンサ部３は、焼成前において、外形部分を押し潰して形成された凹部７を有するセラミック製の基板１５と、この基板１５上の凹部７の底面７ｃに配置された第１の圧力検出用電極９と、凹部７（ギャップ３７）の底面７ｃの第１の圧力検出用電極９と対向して配置された第２の圧力検出用電極８を備えるダイアフラム２と、凹部７の底面７ｃと側面７ｂとが交わる隅のＲ面取りを行って形成された面取り部７ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化され、オフセット電圧が低減され、高感度を有し、かつ、容易に製造することが可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサのダイヤフラム部７は、平面視において、仮想の正方形または長方形９の四隅のそれぞれに円弧状部８を有している。正方形または長方形９の対角線と円弧状部８との交点から正方形または長方形９の四隅のそれぞれまでの長さがＲであり、ダイヤフラム部７の面積がＳである場合に、Ｓ＞−２．９４×Ｒ＋０．２２という関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサの信頼性を向上させつつ、負荷圧力に対する反応を良好に保つことができる圧力センサを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための圧力センサ１０は、容量変化型のセンサチップ２０を搭載したパッケージ５０のキャビティ７０内にゲル状部材を充填して構成される。そして、前記パッケージ５０は底板５６に受圧口５６ａを備え、前記センサチップ２０は受圧部を前記パッケージ５０の受圧口５６ａに対向させて配置され、前記受圧部の周囲に前記ゲル状部材の流出を防止する隔壁５８を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロマシニング型の圧力センサであって、基板の表側が、媒体に面しており、センサ領域を備えたセンサダイヤフラムが、表側に配置された形式のものに関して、パッシベーションゲルを使用することなしに、電気的なコンタクティング部が媒体にさらされないようにする。
【解決手段】センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部を、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工することにより、センサ領域が、裏側に電気的にコンタクティングされているようにした。 （もっと読む）

【課題】密閉的パッケージ及びパッケージの封止技術に依存する程度を少なくする。
【解決手段】方形をした単一のセンサ（ＳＳＳ）検知ダイ用の圧力センサハウジング及び形態が提供される。センサは、ＳＳＳチップに封止的に結合されたガラスウェハを有している。次に、例えば、エポキシを使用して互いに接着することのできるヘッダとカバーとの間にＳＳＳチップが配置される。圧力が検知される、パイレックス(登録商標)管のような管がＳＳＳチップと接続されている。ウェハをＳＳＳチップに結合した後、真空シールが形成され、従って、センサの他の部分を密閉的に封止することに配慮する程度が少なくて済む。 （もっと読む）

【課題】接触開始から飽和領域に至るまでの動作領域を、高圧までの広い領域で確保することができ、感度が高く、高耐圧な圧力センサを提供する。
【解決手段】基体３０と、可撓性を有する薄肉部２２と当該薄肉部２２の周囲に形成された厚肉部２４とから成り、前記厚肉部２４が前記基体３０に接合されて前記基体３０と前記薄肉部２２との間に密閉空間を形成する検出片２０とを有し、前記検出片２０の下面における前記薄肉部２２に上部電極膜２６を形成し、前記基体３０上面における前記上部電極膜２６に対向する部位に下部電極膜３２を形成すると共に当該下部電極膜３２を誘電体膜３４で覆う構成とした圧力センサである。そして、前記薄肉部２２を平坦部２２ａと前記平坦部２２ａと一体に形成され、前記厚肉部２４に向けて漸次肉厚を厚くした傾斜部２２ｂとによって構成し、前記上部電極膜２６を前記傾斜部２２ｂに配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧＰＳ信号が受信できない場合であっても、内圧低下検出不能状態に陥るのを防止し、精度よくタイヤの内圧低下を検出できる方法を提供する。
【解決手段】ＧＰＳに利用される衛星電波を受信し、当該衛星電波の情報を利用してタイヤの内圧低下を検出する工程、および車輪速度情報を利用してタイヤの内圧低下を検出する工程を含むタイヤ内圧低下警報方法であって、前記各工程で検出されるタイヤの内圧低下の判定結果の採否を判定する工程を含むタイヤ内圧低下警報方法である。 （もっと読む）

【課題】圧力測定において寄生容量によるノイズの影響を受けにくい静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサチップが感圧側固定電極１１０、感圧側可動電極２１０、参照側固定電極１２０、及び参照側可動電極２２０を備えるとともに、当該感圧側固定電極取り出し用パッド１１１、感圧側可動電極取り出し用パッド２１１、参照側固定電極取り出し用パッド１２１、及び参照側可動電極取り出し用パッド２２１が当該圧力センサチップの外側面にそれぞれ形成され、各電極端子の少なくとも何れか２つの電極端子に発生する寄生容量差をほぼ無くすような形状に当該少なくとも２つの電極取り出し用パッドを形成している。 （もっと読む）

【課題】陽極接合の際に影響を受けず、しかも目的とする感度を得ることができる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１のキャビティ１７内には、固定電極である第１導電部材１２が埋設されている。ガラス基板１１のキャビティ１７以外の領域に、可動電極用の接続電極である第２導電部材１３が埋設されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１及び第２導電部材１２，１３の露出部分とそれぞれ電気的に接続するように引き出し電極１４ａ，１４ｂが形成されている。キャビティ１７は、感圧ダイヤフラム１６ａと固定電極である第１導電部材１２との間の領域１７ａと、領域１７ａ以外の領域１７ｂとを有する。ガラス基板１１の主面１１ａの接合面１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極との間の短絡を防止することができると共に、高感度で圧力検出を行うことができる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１のキャビティ１７内には、第１導電部材１２が埋設されている。ガラス基板１１のキャビティ１７以外の領域に、第２導電部材１３が埋設されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１導電部材１２の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ａが形成されており、第２導電部材１３の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ｂが形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａ側の第１導電部材１２は、中央に向って深くなる凹部１２ａを有する。ガラス基板１１の主面１１ａの接合面１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。 （もっと読む）

【課題】 より測定精度の高い静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】 圧力センサ１は、下側基板２に形成した第１電極５と上側基板３のダイヤフラム９下面に形成した第２電極１０とから構成されるコンデンサを備え、かつ第１、第２電極間には真空なキャビティ１８が画定される。第２電極１０上には、中心部８ａから外側に向けて緩やかに上向きに傾斜し、かつ頂点部８ｂを越えて更に外側に緩やかに下向きに傾斜する断面形状の誘電体膜８が積層されている。第２電極と誘電体膜との接触面積は、中心部から接触面の外縁まで距離（半径）の２乗に比例するが、誘電体膜の膜厚が中心部から頂点部に向けて緩やかに増加し、かつ頂点部を越えて緩やかに減少することにより、外部圧力に関するコンデンサの静電容量の直線性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板同士の接合に伴う面内歪みの低減がなされた圧力センサを提供する。
【解決手段】 可動基板１０には、第１の薄肉部（ダイアフラム）１１が形成されており、ダイアフラム１１の周辺に導電膜１４ａが形成されている。固定基板２０には、導電膜１４ａと対向するように、可撓性を有する第２の薄肉部（接合部）２４が形成されている。接合部２４は、固定基板２０の両面に形成された凹部２５ａ，２５ｂの底面部で構成されており、接合部２４上には、導電膜２２ａが形成されている。ガラスリング３０は、凹部２５ａに格納可能になっており、凹部２５ａに格納された状態で、一方の面が導電膜２２ａと陽極接合され、他方の面は、導電膜１４ａと陽極接合されている。つまり、可動基板１０及び固定基板２０は、それぞれがガラスリング３０と陽極接合されることによって密着接合されている。 （もっと読む）

【課題】 可動基板と固定基板との接合に伴う面内歪みの低減がなされた圧力センサを提供する。
【解決手段】 圧力センサ１は、可動基板１０、及び固定基板２０を有しており、それぞれの対向面１０ａ，２０ａが対向するように密着接合されている。可動基板１０には、第１の薄肉部としてのダイアフラム１１が形成されており、ダイアフラム１１の周辺に導電膜１４ａが形成されている。固定基板２０には、その両面に形成された凹部２５ａ，２５ｂの底面部で構成された第２の薄肉部としての緩衝部２４が形成されて、その外周に接合部３５が形成されている。可動基板１０と固定基板２０との接合は、固定基板２０の接合部３５の接合面３５ａと、可動基板１０に形成されている導電膜１４ａとが陽極接合されることによって行われている。 （もっと読む）