感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離されたような圧力センサを提供する。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。 （もっと読む）

【課題】センサチップとターミナルとの電気的接続の遮断を防止するとともに小型化を図り得るセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ４０は、そのセンシング部４０ａがハウジング３０の媒体導入孔３４内に露出するようにコネクタケース２０に支持される。そして、センサチップ４０は、各ターミナル２２に固定された状態で当該ターミナル２２に電気的に接続され、当該センサチップ４０の長手方向が媒体導入方向に平行となるようにセンシング部４０ａを除き各ターミナル２２とともにコネクタケース２０に封止されている。 （もっと読む）

【課題】外部からの機械的ストレスの影響に左右されず、安定した動作が可能な構造を有する小型の圧力センサ、および低コスト化を図るとともに、簡便な工程で安定して製造可能な圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサ１Ａは、半導体基板からなる基体１３の一面において、その中央域αの内部に該一面と略平行して広がる第一空隙部１４、該第一空隙部１４上に位置する薄板化された領域からなるダイアフラム部１５、該ダイアフラム部１５に配された感圧素子１６、及び、前記基体１３の一面において、該ダイアフラム部１５を除いた外周域βに配され、該感圧素子１６と電気的に接続された導電部１７、を少なくとも備えた圧力センサであって、前記ダイアフラム部１５が配された前記一面とは反対側の前記基体１３の他面が、少なくとも一組以上の凹部１８と凸部１９を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出せる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側の他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成し、一端が他面に露呈し他端が一面に露呈するように、第一ウェハ基板を貫通する第二導電部１４からなる貫通電極を複数形成する。センサ回路２５とこれに接続された第一導電部２６とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向し、第二導電部の一端と第一導電部とが接続されるように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化した後、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつ、ダイシングする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出すことができる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側に位置する他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成する。センサ回路２５と、該センサ回路に電気的に接続された第一導電部と、該第一導電部に一端が電気的に接続され他端が板厚方向に延設された第二導電部とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向するように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化し、第二導電部の他端を露呈させて貫通電極を形成する。第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつダイシングする。 （もっと読む）

【課題】感圧素子とダイヤフラムとの接合強度が維持されつつ、小型化された圧力センサーの提供。
【解決手段】圧力センサー１は、振動片部１３と振動片部１３の両端に接続される一対の基部１４とを有する双音叉素子１５と、双音叉素子１５の一対の基部１４が接合部材４０を介して接合される一対の支持部２３を有するダイヤフラム層２０と、を備え、各支持部２３の搭載面２４に、段差部２５が設けられ、各支持部２３と各基部１４とが、搭載面２４と一方の主面１１との間で接合され、更に各段差部２５の側壁２６と、側壁２６に対向する基部１４の側壁１８との間で接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの板厚の更なる薄型化により、高い感度を得られる圧力センサーの提供。
【解決手段】圧力センサー１は、振動片部１３と振動片部１３の両端に接続される一対の基部１４とを有する双音叉素子１５と、双音叉素子１５を囲む第１の枠部１６と、第１の枠部１６と各基部１４とを接続する腕部１７とを有する感圧素子層１０と、感圧素子層１０の一方の主面１１側を覆う平板状のダイヤフラム層２０と、感圧素子層１０の他方の主面１２側を覆うベース層３０と、ダイヤフラム層２０と感圧素子層１０との間に積層される支持部層４０と、を備え、支持部層４０が、感圧素子層１０の一対の基部１４に対向する位置で各基部１４を支持する一対の支持部４１と、一対の支持部４１を囲む第２の枠部４２と、第２の枠部４２と各支持部４１とを接続する梁部４３とを有し、支持部層４０の各支持部４１が、ダイヤフラム層２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの板厚の更なる薄型化により、高い感度を得られる圧力センサーの提供。
【解決手段】圧力センサー１は、振動片部１３と振動片部１３の両端に接続される一対の基部１４とを有する双音叉素子１５と、双音叉素子１５を囲む枠部１６と、枠部１６と各基部１４とを接続する腕部１７とを有する感圧素子層１０と、感圧素子層１０の一方の主面１１側を覆う平板状のダイヤフラム層２０と、双音叉素子１５との間に空間を有して感圧素子層１０の他方の主面１２側を覆うベース層３０と、を備え、感圧素子層１０が、各基部１４にダイヤフラム層２０側に突出した突出部１８を有し、各突出部１８が、平板状のダイヤフラム層２０に固定されていることにより、双音叉素子１５の振動片部１３とダイヤフラム層２０との間に空間が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

圧力センサ（５６）は、プロセス圧力に結合するように構成されている充填管（９３）を含む。センサ（９８）は、充填管（９３）に結合され、充填管（９３）中の流体の圧力を該充填管（９３）の物理的特性の変化の関数として測定するように構成されている。回路（７４）は、充填管（９３）の物理的特性の変化に基づいて圧力を測定するように設けられている。
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【課題】測定に伴う圧力変化および温度変化を低減した圧力センサを提供する。
【解決手段】一方の面に第１凹部１４を有し、他方の面に第２凹部１６を有するパッケージ１２と、前記第１凹部１４に配置され、圧電振動片を感圧素子とした圧力センサ素子２６と、前記第２凹部１６に配置され、前記圧力センサ素子２６と電気的に接続され、温度変化に伴う前記圧力センサの圧力測定誤差を補償する温度補償回路５２と、を有し、前記温度補償回路５２は、前記第２凹部１６の底部１６ａの周縁に設けられたスペーサ１８に接着され、前記底部１６ａから離間して配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】外圧や外光などのセンサ特性の変動要目を抑制し、安定したセンサ特性を実現すると同時に、感圧素子を形成した半導体基板を従来と同程度の機械的強度で保護することを可能とした圧力センサパッケージを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサパッケージ３０Ａ（３０）は、半導体基板２の一面において、その中央域で薄板化された領域からなるダイアフラム部４、ダイアフラム部に配された感圧素子５、及び半導体基板の一面において、ダイアフラム部を除いた外周域に配され、感圧素子と電気的に接続された導電部７、を少なくとも備えた圧力センサ１と、半導体基板の外周域において、一面と他面とを貫通して配され、一端が導電部と電気的に接続された貫通配線部１０と、半導体基板の他面側において、貫通配線部と電気的に接続されたバンプ１１と、半導体基板の一面側に感圧素子を覆うように配された保護基板２０と、を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧力センサは、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４の周縁部に設けられ、径方向に沿って形成された差圧用ゲージ５ａと、差圧用ゲージ５ａと差圧用ダイアフラムを挟んで対向する位置に配置され、径方向と垂直な周方向に沿って形成された差圧用ゲージ５ｄと、差圧用ゲージ５ａの近傍に設けられ、周方向に沿って設けられた差圧用ゲージ５ｃと、差圧用ダイアフラムを挟んで対向する位置に配置され、径方向に沿って形成された差圧用ゲージ５ｂと、周方向における位置が差圧用ゲージ５ｂと差圧用ゲージ５ｃの間にある静圧用ダイアフラム１７ｃと、差圧用ダイアフラム４を挟んで対向配置された静圧用ダイアフラム１７ｄと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 音叉型圧電振動子のＣＩ値（クリスタル・インピーダンス）より圧力を計測する圧力センサを提供することである。
【解決手段】 圧力センサ（１００）は、所定の真空度で密閉したパッケージ（９０）と、パッケージ（９０）内に配置された圧電振動片（２１）と、圧電振動片のＣＩ値を計測するＣＩ値計測回路（５０）と、ＣＩ値とパッケージ内の圧力との関係を記憶した記憶部（６０）と、を備える。パッケージ（９０）はその一部に弾性変形する弾性変形領域を有し、弾性変形領域はパッケージ（９０）外の圧力にとって変形する （もっと読む）

【課題】単純な構成で凍結を判定することができる圧力検出センサを提供する。
【解決手段】被測定ガスが導入される導入空間１１ａが穿設されたハウジング１１は、ダイヤフラム１２の受圧面１２ａの外周縁部においてこの受圧面１２ａとの間に隙間を形成するようにハウジング内壁面を対向させた対向部１１ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する応力を緩和できる物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２，３と、シリコン基板３に形成されたダイアフラムと、ピエゾ素子Ｂ〜Ｅと、シリコン基板３と接合されるインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、支持基板１７の上面から下面にかけて形成される導通部１８と、を有する。インターポーザ１５とシリコン基板３間の接続領域４７には、第１有機絶縁膜４８と接続経路５０が設けられる。接続経路５０は平面方向に延びる延出部４３と、延出部４３と配線層１０間を高さ方向に繋ぐ第１接続端部５２と、延出部４３と導通部１８間を高さ方向に繋ぐ第２接続端部４６とを有する。延出部４３の導通部側接続位置αと、第１接続端部５２の素子側接続位置βとが、平面方向にずらされている。 （もっと読む）

【課題】気密空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、且つ、ガストラップ機能による大型化を回避すること可能な静電容量型半導体物理量センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ領域のキャビティ１７ｃが加速度センサ領域のキャビティ１７ｂ，ｄと連通し、キャビティ１７ｃとキャビティ１７ｂ，１７ｄとでキャビティが構成される。これにより、圧力センサ単体におけるキャビティの容積に比べて非常に大きな容積のキャビティを確保し、ガラス基板とシリコン基板との間の密閉した空間内にガスが発生しても比較的大きな容積のキャビティにガスを拡散させることができるので、ガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。またゲッター室などを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム割れを防止し、耐久性に優れたダイヤフラム型センサを得る。
【解決手段】シリコン基板にダイヤフラムを形成するキャビティを設け、該シリコン基板のキャビティ側にベース基板を接合してなるダイヤフラム型センサにおいて、ダイヤフラム部に直交するキャビティの中心軸を想定したとき、この中心軸に関し、シリコン基板とベース基板の断面形状を回転非対称とする。 （もっと読む）

【課題】精度を維持したままで小型化することを可能とした絶対圧を検出する静電容量式圧力センサを提供することである。
【解決手段】提案する静電容量式圧力センサ４は、絶対圧を検出する圧力センサであり、静電容量検出手段、寄生容量検出手段、を有する。そして、寄生容量検出のための、ダイアフラム４５と同電位である導電性の部材の窪みの平坦部６４に対する固定電極６１の形状を、静電容量検出手段のダイアフラム４５に対する固定電極５８の円形または略円形の形状に相補的に嵌合する形状とした。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する回路基板との熱膨張差に起因した応力を低減でき、さらに、簡単且つ適切に、圧力センサが回路基板上に半田付けされていることを確認できる物理量センサ及びその製造方法、ならびに、物理量センサ実装構造を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２、３と、シリコン基板２，３に形成された変位部（ダイアフラム）８と、変位部の変位量を検出するための検出素子と、検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板に形成された電極パッド１１と、前記電極パッド１１に接合されたインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、電極パッド１１との接合面（第１面）から第２面にかけて形成される導通部１８と、前記導通部１８の第２面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部２２と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する回路基板との熱膨張差に起因した応力を低減でき、さらに、簡単且つ適切に、圧力センサが回路基板上に半田付けされていることを確認できる物理量センサ及びその製造方法、ならびに、物理量センサ実装構造を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２、３と、シリコン基板２，３に形成された変位部（ダイアフラム）８と、変位部の変位量を検出するための検出素子と、検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板に形成された電極パッド１１と、前記電極パッド１１に接合されたインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、電極パッド１１との接合面（第１面）から第２面にかけて形成される導通部１８と、前記導通部１８の第２面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部２２と、を有して構成される。 （もっと読む）