本発明の圧力検出装置は、装置全体を支承するためのベース部材と、差し込み方向に沿って延在するまっすぐな支持体と、圧力センサ素子とを有する。本発明によれば、前記ベース部材は所定の圧力のかかった流体を供給する接続管路を有しており、前記支持体の一方の端部に相補的な形状の差し込みコネクタに接続するためのコネクタ部が設けられており、前記支持体の他方の端部は前記ベース部材に接続されており、前記支持体は前記接続管路に接続された圧力管路ならびに該圧力管路と流体をやり取りするために前記差し込み方向に対して横断方向に延在する収容開口部を有しており、前記圧力センサ素子は該収容開口部に圧力密に挿入されており、前記圧力センサ素子の複数の圧力感応面のうち１つが前記圧力管路の圧力に曝されておりかつ前記コネクタ部内のコンタクト素子に信号伝送のために接続されている。
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差圧センサと併用して動作する複数の絶対又はゲージ圧力センサ（２２０、２２２、２３０、２３２；３０７、３０１）を使用することにより、圧力測定トランスミッタの信頼性及び精度が提供される。また、３つの圧力センサの読み取り値に基づいて診断を行う方法（４００）が提供される。さらに、３つの圧力センサ（２１８、２２０、２２２、２３０、２３２；３０１、３０７、３３４）の１つが故障した場合、残り２つのセンサに基づいて、故障したセンサによって測定されたプロセス圧力の適正な推定を生成することができる。
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【課題】断線検出を確実に行うことにより信頼性を高めた圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の物理量の変化に応じて互いの容量の相対的関係が変化する２つの容量を測定することで被測定媒体の物理量の変化を測定する容量式圧力センサにおいて、各容量の単独の値（ＣＸ、ＣＹ）をそれぞれ計測し、かつ各容量の値のうち少なくとも何れか一方の容量値が前記容量式圧力センサの通常の動作範囲で示す容量値（Ａ）を下回った時に断線異常と判断する機能を備え、これにより、断線検出を確実に行うことにより信頼性を高めた圧力センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサの機械的性質から生ずることがある検出精度の劣化を抑制、あるいは防止することのできる圧力センサ用感圧素子を提供する。
【解決手段】ダイヤフラム１２を有する圧力センサ１０における前記ダイヤフラム１２に形成された対を成す支持部１８に載置される圧力センサ用感圧素子であって、前記感圧素子（圧電振動片２０）は前記支持部１８に固定される２つの基部２２と前記基部２２間に位置する振動部２４とを有し、前記基部２２の固定部から前記振動部２４までの間に切欠き２２ａ，２２ｂを設けたことを特徴とする。このような構成の感圧素子において、前記切欠き２２ａ，２２ｂは、前記圧電振動片２０を構成する素子片の幅方向に沿って形成することが望ましい。 （もっと読む）

【解決手段】圧力センサは、ＣＭＯＳ回路２を具備する第１ウェハとＳＯＩウェハである第２ウェハの２つのウェハ１ａ、１４を接合することによって製造される。前記第１ウェハ１ａの最上の材料層内に窪みが形成される。窪みは、第２ウェハ１４のシリコン層１７によって覆われて空洞１８を形成する。第２ウェハ１４の基板１５の一部または全体が除去されて、シリコン層１７から膜が形成される。または、空洞は、第２ウェハ１４内に形成されてもよい。第２ウェハ１４は、第１ウェハ１ａ上の回路に電気的に接続される。
【効果】第１ウェハ１ａ上に回路を集積するための標準的なＣＭＯＳプロセスを用いることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムと感圧素子との接触による精度劣化を生じさせることの無い圧力センサ用ダイヤフラムを提供する。
【解決手段】感圧素子として圧電振動片３０を搭載する圧力センサ用のダイヤフラム２０であって、可撓部となる薄肉部２２の一方の面に、前記圧電振動片３０を固定するための対を成す支持部２４を有し、対を成す前記支持部２４間に、前記薄肉部２２を厚肉化するための突出部２６を構成したことを特徴とする。また、このような特徴を有する圧力センサ用ダイヤフラム（ダイヤフラム）２０では、前記突出部２６は、前記薄肉部２２の他方の面のみに形成することが望ましい。 （もっと読む）

プロセス制御システムは、トランスミッタ回路を有するトランスミッタ、センサ、リモート検出装置、リンク装置及びゆるみ巻取り装置を含む。センサは、プロセス流体のプロセス変数を検出する。リモート検出装置は、プロセス流体と連絡する。リンク装置は、トランスミッタとプロセス流体との間を連絡する。ゆるみ巻取り装置は、トランスミッタとリモート検出装置との間のリンク装置の相対長さを選択的に調整する。 （もっと読む）

圧力センサ（５８）は、印加圧力（Ｐ）に応答して変形する構造（５４）を含んでいる。光源（６０）は構造に向いている。これにより構造による反射が与えられる。センサ（６２）は反射を検知し、印加圧力（Ｐ）に関係した出力（６６）を与えるように構成されている。
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【課題】ダイアフラムを備えたセンサ装置として、絶対圧の検出をも可能とするセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ装置は、振動可能に設けられた振動膜４と、振動膜４に形成された静電用電極５ａおよび歪抵抗素子６ａ，６ｂと、静電用電極５ａと対峙するように配置された電極９ａとを備える。静電用電極５ａと電極９ａとの間に発生する静電気力により振動膜４を電極９ａ側に移動させ、振動膜４を凸状に湾曲した状態とするとともに、この移動させた状態で歪抵抗素子６ａ，６ｂの抵抗変動に基づき圧力を電気的な信号に変換する。 （もっと読む）

基板とメンブレン構造体とを有する次のようなマイクロメカニカル素子の製造方法およびマイクロメカニカル素子を提供する。すなわち、とりわけマイクロフォン、マイクロスピーカまたは圧力センサ（絶対圧センサまたは相対圧センサ）であり、メンブレン構造体を形成するために基板にモノリシック集積される回路と両立する製造ステップのみを行い、該メンブレン構造体を形成するために、基板上に設けられた犠牲構造体を除去するマイクロメカニカル素子の製造方法およびマイクロメカニカル素子を提供する。
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【課題】外部からの応力を受け難い圧力センサと種々の機能を有する各種デバイスとを備えたチップサイズパッケージを実現することにより、平面的にも立体（高さ）的にも小型・薄型化され、高機能化、高密度化が可能な圧力センサパッケージを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサパッケージ２０は、半導体基板１２の一面において、その中央域αの内部に該一面と略平行して広がる空間（基準圧力室）１３を備え、この空間の一方側に位置する薄板化された領域をダイアフラム部１４とし、このダイアフラム部に感圧素子１５を配してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域βに配され、前記感圧素子ごとに電気的に接続された導電部１６を少なくとも備えた圧力センサ１０と、前記導電部にそれぞれ配され、該導電部と個別に電気的に接続されるバンプ１８と、前記バンプを介して電気的に接続される積層基板２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】センサ感度のばらつきが生じることを防止でき、可動電極と固定電極との間の短絡を防止することができると共に、高感度で圧力検出を行うこと。
【解決手段】ガラス基板１１の主面１１ｂ側には、シリコン基板１２が接合されている。ガラス基板１１のキャビティ内の突出部１１ｃには、固定電極１３が形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａの接合面１１ｅ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１７ａを有するシリコン基板１７が接合されている。ガラス基板１１の突出部１１ｃは、中央に向って深くなる湾曲面１１ｅを有する。凹部１１ｄは、シリコン基板１７の表面に対して略鉛直方向に延在する側面１１ｈを有するので、ガラス基板１１とシリコン基板１７とを接合した際に可動電極である感圧ダイヤフラム１７ａの領域が明確となり、センサ感度のばらつきが生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を向上すると共に、ダイヤフラムと固定電極との間のキャビティ内の気密性を向上させることができ、しかも固定電極の引き出し電極の電極部の信頼性の高い静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサにおいては、電極パッド１６は、ガラス基板１１の主面１１ａ側で露出した突出部１２ｂの全領域を覆っている。すなわち、ガラス基板１１の主面１１ａで露出した突出部１２ｂの面積よりも電極パッド１６の面積の方が広い。このため、電極パッド１６上を覆うシリコン基板１７をドライエッチングしてシリコン基板１７が除去されても、突出部１２ｂが露出していないので、突出部１２ｂがエッチングされてしまうことがない。その結果、電極パッド１６において高い信頼性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 圧力−容量特性の直線性に優れた高精度の静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】 圧力センサ１は、ＡＴカット水晶板からなる上側基板２とガラス材料の下側基板３とを気密に接合することにより画定される真空チャンバ１８内に、上側基板のダイヤフラム４下面に形成した第１電極７と、下側基板上面に形成されかつ誘電体膜１０で被覆した第２電極９とから構成されるコンデンサを備える。外部の圧力でダイヤフラムが撓むことにより第１電極と誘電体膜とが接触し、その接触面積により変化するコンデンサの静電容量を検出して、圧力を測定する。下側基板上面の凹部１２を形成した領域に第２電極を設けることにより、第１電極と誘電体膜間の接触面積を圧力に関して直線的に増加させ、圧力−容量特性の直線性を改善する。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサ部を収容したセンサモジュールを外装ケース内に一体モールドした構造の半導体圧力センサ装置において、気密不良やリード腐食の問題を防止して、封止性能の信頼性を向上せしめた半導体圧力センサ装置を提供するものである。
【解決手段】
圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサ部と、この半導体圧力センサ部と一部が外部に導出されるターミナルとを第一の樹脂でインサートモールドされたセンサモジュールと、前記センサモジュールに収納され、前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、センサモジュールの第二の樹脂からの露出部分と第二の樹脂との境界が接着剤で覆われていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

本発明はマイクロエレクトロニクス技術を用いて微細機械加工された圧力センサに関する。
本発明により提供されるセンサは、片側においてシリコン基板（４０）により気密封止され、反対側において空洞外側の圧力の影響下で変形可能な隔膜（５８）により気密封止された空洞（Ｖ）を含み、センサは、隔膜に固定され該隔膜の変形に応じて変化する抵抗を持つ、少なくとも一つの抵抗式ひずみゲージ（５４、５６）を有する。望ましくは窒化ケイ素で作られる隔膜は、抵抗式ひずみゲージに固定される。ゲージは密閉された空洞（Ｖ）の内側で隔膜の下方に位置する。空洞を作るために基板を窪ませる必要はない。隔膜は、例えばポリアミドで作られる犠牲層の上に絶縁層を堆積することによって形成される。それはシリコン基板内の集積された測定回路をカバーし得る。
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【課題】本発明の目的は、高性能のLSIの性能を維持しながら、応力制御したMEMS構造体を形成し、両者を1チップ上に集積化することにあり、さらにMEMS構造体を電気的・化学的に保護し、かつ、MEMS可動部全体を低応力化することにある。
【解決手段】MEMS構造体に、低温成膜可能な金属シリコン化合物膜を用い、成膜時の温度T1を、成膜以降の製造プロセスで必須となる、高性能LSIの特性を劣化させない熱処理温度T2と、偽結晶化温度T3に照らし合わせて、任意に選択することにより、MEMS構造体の完成時点での残留応力を制御する。 （もっと読む）

【課題】小さな物理的変化で大きな等価容量変化が得られる高感度の可変容量センサを提供すること、及び、等価容量変化の直線性に優れた可変容量センサを提供すること。
【解決手段】本発明の可変容量センサは、コイルパターン２０と固定電極１３との間にダイヤフラム１６ａが位置する構造となっている。このような構造において、貫通穴２２からガスが注入されると、そのガス圧力によりダイヤフラム１６ａが下方に撓んで変位して、固定電極１３との間の間隔が小さくなって容量が増加すると共に、コイルパターン２０との間の間隔が大きくなってインダクタが増加する。このように、本発明の可変容量センサにおいては、ダイヤフラムの変位によるコンデンサの静電容量変化とともにコイルなどのインダクタ素子のインダクタンスがともに変化する。 （もっと読む）

【課題】製造工程においてキャビティ内の圧力に影響を与えず、ダメージを受けず、しかも高感度で圧力検出を行うことができる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１には、第１及び第２導電部材１２，１３が埋設されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１及び第２導電部材１２と電気的に接続するように引き出し電極１４ａ，１４ｂがそれぞれ形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａ側で露出する第１導電部材１２上には、固定電極１５が形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１８ａを有するシリコン基板１８が接合部材１７を介して共晶接合されている。固定電極１５の外側には、環状のスペーサ１６が形成されており、スペーサ１６は、接合領域に延在する梁部１６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンで形成されているセンサ基板裏側に２個のダイアフラムで形成し、この２個のダイアフラムに挟まれた部分のセンサ表面に、歪センサ素子を配置する構成にして、歪センサ素子の大きさ、配置する位置の自由度を大きくとることができるチップを提供する。
【解決手段】 半導体圧力センサは、シリコンで形成されたセンサ基板に中空部を設けてダイアフラムを形成し、該ダイアフラムの歪を歪センサ素子によって検出して前記ダイアフラムに加わる圧力を測定する半導体圧力センサであって、前記ダイアフラムは、複数個並べて形成したことである。 （もっと読む）