【課題】小型化が可能で、重力による圧力誤差を軽減した圧力センサを提供する。
【解決手段】ベース層３０、感圧素子層３６、ダイアフラム１４を有するリッド層１２を積層して形成される圧力センサ１０であって、前記感圧素子層３６は、前記ベース層３０及び前記リッド層１２と接合する外枠部３８と、前記外枠部３８の内側に配置された中枠部４０と、前記中枠部４０の内側に配置され、前記中枠部４０の第１短辺４０ｂに固定端４６ａが片持ち支持された感圧素子４６と、を有し、前記中枠部４０の長辺４０ａと前記外枠部３８との間は、一直線上に配置された一対の連結部４２により連結され、前記感圧素子４６の固定端４６ａは、前記ダイアフラム１４に接続され、前記感圧素子４６の自由端４６ｂは、前記リッド層１２に接続され、前記第１短辺４０ｂの反対側の前記中枠部４０の第２短辺４０ｂにバランサ４４を配設してなる。 （もっと読む）

圧力測定セルは、第１のハウジング本体（１）と、このハウジング本体の近傍に配置された隔膜（２）とを有しており、両者はセラミック製である。隔膜（２）は第１のハウジング本体（１）と結合された外側縁部を有しており、それにより基準真空室（２５）を形成する。セラミック材料から製作される第２のハウジング本体（４）は隔膜（２）と向かい合うとともに、隔膜の外側縁部と結合されており、第２のハウジング（４）は隔膜（２）とともに圧力測定室（２６）を形成する。第２のハウジング本体（４）は、測定されるべき媒体と圧力測定セルを接続するための接続管（５）を有している。第１のハウジング本体（１）、第２のハウジング本体（４）、および隔膜（２）は隔膜の外側縁部のところで互いに気密に結合されており、第１のハウジング本体（１）の中央領域には、第１のハウジング本体を通過して少なくとも隔膜の中央領域まで達する穴（７）が形成されており、この穴（７）に向かい合うように隔膜（２）の表面は第１の光学反射面（１０）として構成されている。光ファイバ（１５）が穴（７）に配置されて気密に取り付けられており、それにより隔膜の表面へと光を案内する。ファイバ（１５）の端部は少なくとも第１のハウジング本体（１）の表面に達しており、ファイバ端部（１６）と隔膜（２）の反射面との間に光学キャビティ（３０）が構成されるように隔膜（２）の第１の光学反射表面と結合する第２の光学反射面として構成されており、該キャビティは隔膜（２）の変形を判定するための測定区域を形成するとともに、ファブリ・ペロ干渉計の一部である。
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本発明は、基板背面からアクセスされる、マイクロメカニカル技術によるメンブラン構造体の特に容易かつ低コストの方法を提案する。この方法はｐ型ドーピングされたＳｉ基板（１）から出発し、以下のプロセスステップを有する：すなわち、基板表面の、連続している少なくとも１つの格子状領域（２）をｎ型ドーピングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）を多孔性にエッチングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）内に空洞（７）を形成するステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）上に、第１の単結晶シリコンエピタキシャル層（８）を成長させるステップ、とを有している。本願発明は次のような特徴を有している。すなわち、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の少なくとも１つの開口部（６）を、開口部が成長する第１のエピタキシャル層（８）によって封鎖されず、空洞（７）へのアクセス開口部（９）を形成するように定め；空洞壁部上に酸化物層（１０）を形成し；空洞（７）への背面アクセス部（１３）を設け、ここで空洞壁部上の酸化物層（１０）を、エッチングストップ層として用い；酸化物層（１０）を空洞（７）の領域内で除去し、空洞（７）上に形成されているメンブラン構造体（１４）への背面アクセス部（１３）を生じさせる、ことを特徴とする。
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【課題】センサ感度を維持しつつ小型化に有利な半導体圧力センサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ダイアフラムの周縁に位置させて複数の圧力感応抵抗素子を形成し、該圧力感応抵抗素子の形成面とは反対側の面にキャビティを形成した半導体基板に、キャビティを閉じるようにベース基板を接合してなる半導体圧力センサにおいて、キャビティは、ベース基板側から半導体基板に向かって拡大する断面逆テーパ形状に形成され、ベース基板との接合面における開口幅が隣り合う圧力感応抵抗素子の素子間隔よりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサにより、血管内の圧力測定を可能とし、補助人工心臓による補助効果並びに心機能の診断を容易にする。
【解決手段】血管内圧力測定用半導体圧力センサ２０、４０において、半導体基板２２に形成された、血管１０内に露出されるダイヤフラム２４と、該ダイヤフラム２４の血管壁側に形成された真空室２８と、前記ダイヤフラム２４上に形成された複数の感圧抵抗素子Ｒ１、Ｒ２と、血管１０内の圧力によるダイヤフラム２４の変形によって生じる感圧抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の変化を検出するための手段（測定回路３０）とを備え、血管１０内の絶対圧力を検出可能とする。 （もっと読む）

【課題】構成部材の熱膨張係数の違いから生じる温度ドリフトを低減し、測定精度を向上させた半導体センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体センサは、半導体基板２と、該半導体基板に配された感圧部３と、前記感圧部と隣接して配され、外部と電気的に接続されるパッド部４と、を少なくとも備えた半導体センサ１Ａ（１）であって、前記半導体基板は、前記パッド部が配された面において、前記感圧部と前記パッド部との間に溝６が配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増大させることなく、温度特性及び空乏層の寄生容量による検出精度の低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。そして、第１拡散配線層は、電極膜１７に接触して設けられている。また、第２拡散配線層は、電極膜に対して非接触の状態で、かつ第１拡散配線層と同一の形状及び寸法で設けられている。 （もっと読む）

電気部品３，４を接触接続する導体トラック２を備える基板１を有する圧力センサが明示される。圧力センサは、機械的に測定された変数を電気信号に変換する測定素子３と、測定素子３からの電気信号をさらに処理する信号変換器４を有する。さらに、圧力センサは、基板１とともに、不活性な封入媒体を含む第１の閉鎖空洞６を形成する第１のダイアフラム５を有する。圧力センサの測定素子３の少なくとも一方の側には、アクティブ表面が備えられ、該第１の空洞６内で前記封入媒体と直に接触される。信号変換器４は、不被覆の集積回路（ｕｎｈｏｕｓｅｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の形で、基板１上に配置される。さらに、圧力センサは、絶対圧、相対圧あるいは差圧を測定するのに適し得る。 （もっと読む）

【課題】被取付部材からダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制し得る圧力センサ素子およびその製造方法並びに圧力センサを提供する。
【解決手段】センサ素子４０は、基板４１の反取付面４０ｂに形成される開口部４２の開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を備えている。この梁部４３内には、密閉状態である圧力基準室４４が形成されるとともに、この圧力基準室４４の圧力と圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラム４５と、このダイアフラム４５上に設けられ当該ダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する圧力検出部４６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】極度の環境条件下で使用可能な絶対圧変換器を提供する。
【解決手段】被測定プロセスの絶対圧を示す信号を出力する絶対圧変換器が提供される。圧力変換器は、プロセスに接続可能な圧密な圧力ポート３１２と、圧力センサ１，２及び共通の回路基板４を収容するハウジング３と、プロセス圧及びハウジング内の雰囲気圧の間の差をアナログ的に検出する第１圧力センサ１と、ハウジング内の雰囲気圧を絶対圧として検出する第２圧力センサ２とからなり、共通の回路基板４は、第１圧力センサ及び第２圧力センサの両方に接続され、さらにデータ処理ユニットを有する。ここで、第２圧力センサは、雰囲気圧を示す電気的信号を出力すべく適用される。回路基板は、アナログ的に検出された圧力差をデジタル信号に変換し、第１及び第２圧力センサからの信号に基づいてプロセスの絶対圧を算出し、プロセスの絶対圧を示す信号を出力する。 （もっと読む）

本発明は、絶対圧または相対圧を検出するための圧力測定モジュール（１０）に関する。圧力測定モジュール（１０）は、好ましくはプレモールドとして作製されたハウジング（１２）を有し、このハウジングには圧力測定チップ（２０）が収容されている。この圧力測定チップは、打抜きグリッド（３０）または少なくとも１つ導体路と電気接続しており、少なくとも１つの電子構成素子（２８）が設けられている。この電子構成素子は、プレモールドとして作製されたハウジング（１２）の好ましくは側方から突き出る打抜きグリッド（３０）の部分、または少なくとも１つの導体路と接続しており、覆い（６２）の区画部（６６）により覆われている。
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【課題】相対圧または絶対圧測定用の半導体圧力センサの特性調整の際にゲージセンサが物理的に受ける応力の影響を小さくして特性調整をより適正に行うことのできる半導体圧力センサの特性調整方法および特性調整装置を提供すること。
【解決手段】リード端子一体型樹脂組立セル１０の樹脂ケース部分を収納する凹部を有する固定冶具２６ａに、前記樹脂ケース部分を収納した状態で、前記リード端子７に電気信号を入出力するためのプローブ２５ａを接触させると共に、前記センサチップの一方の主面と他方の主面間を気密に封止するためのシール材２３を備えかつ任意の圧力を印加するための圧力制御孔を備える可動治具２２を接合させて気密封止し、前記圧力制御孔を介して所要の圧力を導入して所要の圧力基準室を形成して特性調整を行う半導体圧力センサの特性調整方法とする （もっと読む）

隔膜圧力測定セル構造は、少なくとも部分的にサファイアからなるハウジング本体（２）と、基準真空室（５）を形成するために、第１のシール材（８）によってハウジング本体（２）と結合された周辺の縁部領域を備えるサファイア隔膜（６）とを含んでいる。隔膜（６）の外側表面は測定されるべき媒体に対して暴露される。セラミックの支持体（１）がハウジング本体（２）の裏面にガラスはんだによって配置されており、この支持体は、ハウジング本体（２）を取り囲んで第１の封止面を形成するオーバーハングの面を有している。管状の測定セルハウジング（１９）がセラミックの支持体（２）に組み付けられた測定セルを収容しており、測定セルハウジング（１９）は、第１の封止面と対応する取り囲む封止面（３５）を内部に有している。これらの封止面の間には金属リングシール材（１８）が配置されており、これらの封止面を押し合わせるために圧着手段（２０）が設けられている。
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工業用プロセスのプロセス流体に圧力トランスミッタ（１０８）を結合させるための直付け台は、圧力トランスミッタに結合するように構成されたトランスミッタ継手（１２４）を含む。プロセス継手（１２０）は、工業用プロセス流体（１０４）に結合するように構成される。毛管（１２２）は、トランスミッタ継手（１２４）とプロセス継手（１２０）との間に延びる。熱伝導通路（１５２）は、比較的高い熱伝導性を有し、プロセス継手（１２０）とトランスミッタ（１０８）との間に延びる。好ましくは、熱スイッチ（１５０）は、プロセス継手（１２０）とトランスミッタ（１０８）との間の熱伝導通路を選択的に熱接続させる。
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プロセス流体圧力トランスミッタ（３００）は、プロセス流体圧力センサ（３０２）、測定回路（３０４）、コントローラ（３０８）、およびループ通信機（３１６）を含む。プロセス流体圧力センサ（３０２）は、プロセス流体圧力に伴って変動する電気的特性を有する。圧力センサ（３０２）は、プロセス流体圧力源に結合可能である。測定回路（３０４）は、プロセス流体圧力センサ（３０２）に結合し、およびプロセス流体圧力センサ（３０２）の電気的特性を示す信号を提供する。コントローラ（３０８）は測定回路（３０６）に結合し、および信号を受信し、および少なくとも信号の一部に基づいてプロセス流体圧力を算出する。コントローラはまた、プロセス流体圧力過渡現象を検出、および、プロセス流体圧力過渡現象に関する少なくとも１つの変数を保存するように構成される。ループ通信機（３１６）はコントローラ（３０８）に結合し、および、プロセス流体圧力に基づいてプロセス通信ループ（３１４）上に信号を提供するよう構成される。プロセス流体圧力トランスミッタ（３００）はまた、少なくとも１つの保存された変数に関する表示を提供するように構成される。
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【課題】公知の圧力測定変換器において、第１の封止部の領域の欠陥を識別できるようにすること。
【解決手段】第１の封止部の第１の圧力室と反対側に第２の圧力室が設けられ、該第２の圧力室内に第２の圧力測定エレメントが配置される構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】十分な位置精度が確保できる半導体圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板３の第１の面に開口する凹部４を形成し、シリコン基板３の第１の面とシリコン基板１を絶縁膜２を介して貼り合わせる。そして、シリコン基板３の第２の面を研磨して凹部４の底部にダイヤフラム６を形成し、ダイヤフラム６を含むシリコン基板３の第２の面に絶縁膜９を形成する。その後、凹部４及び該凹部４と同時にシリコン基板３の第１の面に開口するように形成したアライメント用凹部のいずれか１つを用いてＩＲアライナにより位置合わせをした後に、シリコン基板３の第２の面にアライメントマーク用凹部１８を有する絶縁膜を形成し、このアライメントマーク用凹部１８を用いて、ゲージ抵抗、ゲージ抵抗用コンタクトホールおよびゲージ抵抗用配線の少なくとも１つを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で安価な耐環境性に優れた絶対圧測定用圧力センサを提供する。
【解決手段】絶対圧測定用圧力センサ１は、第２主面側にダイヤフラム部２を有するシリコン基板３と、シリコン基板３の第１主面側のダイヤフラム部２表面に配置された圧力検出回路４と、シリコン基板３の第１主面側のダイヤフラム部２表面に対し第１主面が間隔を空けて対向配置された多層基板５と、シリコン基板３の第１主面周縁部と多層基板５の第１主面周縁部とを接合し、シリコン基板３の第１主面と多層基板５の第１主面とにより気密空間Ｓを形成する封止部材６と、ダイヤフラム部２と多層基板５間に配置され、圧力検出回路４の出力信号を多層基板５を貫通する電気配線７ａ，８，７ｂに伝達する導電性部材９と、多層基板５の第２主面側に配置され、電気配線７ｂに伝達された出力信号を外部基板に伝達する実装パッド１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型で安価な耐環境性に優れた相対圧測定用圧力センサを提供する。
【解決手段】相対圧測定用圧力センサ１は、ダイヤフラム部２を有するシリコン基板３と、ダイヤフラム部２に加えられた圧力を検出する圧力検出回路４と、シリコン基板３の第１主面側のダイヤフラム部２表面に対向配置され、ダイヤフラム部２表面に参照気体を導入する参照気体導入孔５を有する多層基板６と、シリコン基板３の第１主面周縁部と多層基板６の第１主面周縁部とを接合する接合部材１７ｂと、ダイヤフラム部２表面と接合部材１７ｂとの接合領域間のシリコン基板３の第１主面に配置され、圧力検出回路４の検出信号を増幅出力する信号処理回路と、信号処理回路の出力信号を多層基板６を貫通する電気配線１３ａ，１４，１３ｂに伝達する導電性部材７と、多層基板６の第２主面側に配置され、電気配線１３ｂに伝達された出力信号を外部基板に伝達する実装パッド１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性高く、且つ、安価な半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】蓋部材３によって凹部４ａを真空気密封止することにより、パッケージ部材２，蓋部材３，及びセンサチップ６の表面（上面）側により囲まれた空間が真空雰囲気（真空室）となっている。この半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム部５の表面側と裏面側の圧力差により発生するダイヤフラム部５の歪みを歪みゲージ等を利用して電極８を介して電気信号として検出することにより、貫通孔１０を介してダイヤフラム部５の裏面側に供給される大気の圧力と真空室内の圧力の圧力差を絶対圧として検出する。 （もっと読む）