【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビームを用いて寸法測定パターンの測長を行う際に、正確に寸法測定を行うことができる寸法測定パターン及び寸法測定方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成され、荷電ビームを用いた寸法測定に使用される寸法測定パターンにおいて、寸法が測定される測長部６を有するメインパターン１０ｍと、メインパターン１０ｍに隣接して、前記荷電ビームの合焦点位置が前記測長部６と等価であるサブパターン１０ｓを設ける構成とする。
上記構成によれば、荷電ビームのフォーカスをサブパターン１０ｓで合わせることで、測長部６にフォーカスを合わせることが可能となる。したがって、フォーカス合わせ中に測長部６にコンタミネーションが付着したり、測長部がチャージアップしたりすることがなく、測長部６の寸法を正確に測定することができる。 （もっと読む）

精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性（ＴＭＵ）を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。ＴＭＵは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性（Ｕ_ＲＭＳ）を除去することによって計算される。ＴＭＵは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
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【課題】走査型顕微鏡を用いた半導体装置検査工程においてパターンのラインエッジ形状を高精度で広範囲に渡って抽出するための各種パラメータを簡便に最適化する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から画像処理工程で必要になる各種パラメータのうち操作者に理解しやすいものを入力すると、残りのパラメータが自動的に最適化されるようにする。必要な走査線の本数が装置側の可能な値を超えた場合は複数の画像データに分けて走査し取得した画像を重ね合わせて1枚の画像とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
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本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
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