【課題】構造が簡単で、試料の交換作業を短時間で行なえる真空搬送装置を実現し、しかも、占有面積が小さく、スループットを向上させた荷電粒子線検査装置を提供する。
【解決手段】２つの駆動源２，１０により回転および上下動作が可能なアーム１と、このアーム１の両端に、アーム１の回転に伴って回転するように支持されて試料を載置する第１のハンド２２と第２のハンド２３とを上下方向に離間させて配置して、アーム１の回転と上下動作の制御のみにより試料の搬送とその交換を可能した真空搬送装置２６を構成し、また、この真空搬送装置２６を荷電粒子線検査装置の予備排気室ではなく真空試料室内に配置した。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）

【課題】オペレータフリーな完全自動化された高スループットを実現するパターンマッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、設計データと走査型電子顕微鏡にて取得される画像との間でパターンマッチングを行うパターンマッチング方法及び装置であって、設計データをビットマップに変換して、当該ビットマップ化された設計データと、走査型電子顕微鏡によって取得された画像とのマッチングを行うことを特徴とする。ビットマップは、エッジ強調が行われた後に、マッチング処理が行われる。このエッジ強調が行われたビットマップには、さらに、平滑化処理が施された後に、マッチング処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】Ｘ方向の測定倍率と当該Ｘ方向の測定倍率より低倍率であるＹ方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記Ｘ方向が短辺であり前記Ｙ方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのＹ方向の形状がＸ方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのＸ方向の寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画時のビーム寸法精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させ得る荷電ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画時に行うビーム寸法校正を、描画装置によって決まる描画フィールド内の各点で行い（ステップＳ１）、描画フィールド内の各点でのビーム寸法校正関数を求め（ステップＳ２）、これを用いて試料に描画する（ステップＳ４）。この際、描画フィールド内の各点での歪によるビーム寸法変換差に加えて、描画後のレジスト寸法への変換差も見込んで寸法校正関数を求め（ステップＳ３）、これを用いて描画を行う。 （もっと読む）

本発明は、測定対象（１）に侵襲性放射が照射される、測定対象（１）を検査するための方法及び装置に関し、その際、放射線源（３）からの侵襲性放射の相互作用が、放射感受性を有するセンサ装置（６）を用いて検出され、その際、センサ装置（６）の期待検出結果が、測定対象（１）の設定形状寸法を用い、かつ材料特性を用いて算定装置（１３）によって算定され、及び／又は期待検出結果が、マスタ部品を寸法測定することによって得られ、該期待検出結果が、センサ装置（６）の実際の検出結果と比較装置（１１）によって比較される。
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【課題】ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
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【課題】トランジスタの性能保障に必要なパターン寸法を精度良く測定するためのパターン寸法測定方法および装置を提供する。
【解決手段】パターン測定装置のパターン測定結果判定手段がパターン測定結果を妥当か否か判断する工程Ｓ１と、パターン測定結果を妥当でないと判定した場合に、測定カーソル最適化手段により測定カーソルの大きさまたは位置を修正する工程Ｓ２と、大きさまたは位置が修正された測定カーソルを用いてパターン寸法測定手段によりパターン寸法の測定を行う工程Ｓ３とを含み、工程Ｓ１がパターン寸法測定結果を妥当であると判断するまで、工程を繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】 物理量測定結果をそれに対応するＸ線画像と関連付けた測定結果の把握容易な表示を行なうことができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線源２と、Ｘ線検出部４と、データ処理部６と、表示部２０とを備えたＸ線検査装置において、Ｘ線検出部４からの検出情報のうち一部を抽出して少なくともＸ線画像の背景に相当する部分を除いた物理量測定領域のＸ線画像をデータ処理部６のＸ線画像生成部１１に生成させる領域抽出処理部８と、この領域抽出処理部８で抽出された検出情報に基づいてワークＷの大きさ又は質量に対応する物理量を算出する質量算出部１３と、物理量測定領域のＸ線画像と質量算出部１３で算出された物理量を示すグラフ表示要素とを関連付けて表示部２０に表示させる表示データ生成部１５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に転写・形成された半導体集積回路パターンの高精度膜厚測定を非破壊検査で可能とする膜厚計測方法を提供する。
【解決手段】 製品パターンの製品２次電子信号波形を取得するステップ、製品２次電子信号波形から複数の製品特徴量を抽出するステップ、製品パターンと寸法規格が同じテストパターンの複数のモデル特徴量と複数の露光条件のそれぞれを未知数とする、予め算出された複数のモデル関数を用い、製品パターンの膜厚を計測するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】
上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線を真空室内に配置した試料に照射し放出あるいは吸収あるいは透過する電子あるいは２次電子あるいは光をもとに画像を生成する際に、温度変化を与えることなく汚染を防止する電子顕微鏡に関し、真空内に配置された試料に対向してゲッター面を設け、必要に応じて新規なゲッター面に切り替えるあるいは再生成することで、試料に対する温度変化を与えずに残留ガス分子による汚染を低減することを目的とする。
【構成】 真空室内に配置した試料の面に対向して設けたゲッター面と、ゲッター面について、必要に応じて、ゲッター面に新たなゲッター膜を生成する、あるいは他のゲッター面に新たなゲッター面を生成して置換する機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】描画されたパターン中から確実かつ精度高くかつ高速かつ人手に頼ることなく対象パターンを特定し、測長などする方法を提供する。
【解決手段】 設計データで表現されるパターンに、プロセスシフト情報を加味した第１のパターンを作成するステップＳ１〜Ｓ４と、描画されたパターンを拡大するステップＳ５、Ｓ６と、特定対象の第１のパターン、あるいは特定対象の第１のパターンとその周辺のパターンを含め、拡大されたパターン、あるいは拡大されたパターンとその周辺の拡大されたパターンを含めてパターンマッチングするステップＳ７と、パターンマッチングして一致あるいは最も一致した拡大されたパターンを出力するステップＳ８〜Ｓ１０とを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定することを目的とする。
【構成】 被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布から当該パターンのエッジ位置を検出するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ部分のテーパ幅を検出するステップと、検出したテーパ幅が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】
計測パターン形状ごとに，計測寸法差の評価，すなわち合わせ込みに必要なパラメータの算出と，該算出パラメータを用いた計測寸法差の合わせ込みを行う必要があった。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いてパターンの寸法を計測する方法において、表面にパターンが形成された試料に収束させた電子線を照射して走査し、収束させた電子線の照射により試料から発生する2次電子を検出して試料表面に形成されたパターンの画像を取得し、予め記憶手段に記憶しておいた装置間での画像プロファイルの特徴量を合わせこむためのフィルタパラメータ（関数）を読み出し、読み出したフィルタパラメータを用いて取得したパターンの画像から画像プロファイルを作成し、作成した画像プロファイルから前記パターンの寸法を計測するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）