【課題】
計測対象領域に曲線部分を持つパターンの寸法値を高精度に計測するためには、画像の垂直方向或いは水平方向とパターンの曲線部分における局所的な軌道とがなす角度を算出する必要がある。しかし、パターンエッジを基に該角度を算出した場合、エッジラフネスによりエッジ線の該角度がパターン軌道と異なるケースにおいて、測長精度低下を招く危険があるという課題があった。
【解決手段】
パターンの軌道を示す補助点列から前記角度を算出し、パターン計測を行なう手法を提供することにより、パターンエッジのラフネスの影響を抑制した高精度パターン計測を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シールド部材のズレ幅を検出することができるシールド部材の異常検出装置及びシールド部材の異常検出方法を提供する。
【解決手段】送受信アンテナＡＴがＣＶケーブル１０に向かって電波を送信する。発振回路２１が、送受信アンテナＡＴに対して電波を入力する。検波回路２４１が、送受信アンテナＡＴから発振回路２１に戻る反射波Ｗ２を検波する。判別回路２４２が、検波回路２４１により検波された反射波Ｗ２の受信パワーが基準値に比べて第１閾値以上低い場合に判別ズレ幅未満の銅テープ１３のズレを検出し、検波回路２４１により検波された反射波Ｗ２の受信パワーが基準値に比べて第２閾値以上高い場合に判別ズレ幅以上の銅テープ１３のズレを検出する。 （もっと読む）

【課題】デバイス試料の傾斜ズレによる測長誤差を最小化する。
【解決手段】測長前に、試料の単結晶部分から回折パターンを取得し、取得された回折パターンに基づいて荷電粒子線に対する試料の傾斜角を補正する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、画像比較方法および画像比較プログラムに関し、実画像上のパターンと元ＣＡＤデータのパターンとの比較を容易に行うと共に、同じようなパターンの幅のものが複数存在してもその対応関係を実画像上で容易に判別可能にすることを目的とする。
【構成】試料を撮影した実画像からパターンを構成するライン、スペースのエッジを抽出するステップと、抽出したライン、スペースのエッジをもとにライン、スペースの幅、長さのいずれか一方あるいは両者に対応するエッジ間の距離を測定するステップと、測定したライン、スペースのエッジ間の幅および長さのいずれか一方あるいは両方に、実画像のライン、スペースと元のＣＡＤデータから生成したＣＡＤ画像のライン、スペースとのいずれか一方あるいは両者の比からなる補正係数を演算して補正ＣＡＤ画像を生成するステップと、生成した補正ＣＡＤ画像を実画像に重畳して表示するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【課題】本発明の目的は、試料上に形成されたパターンのラフネスを高精度に測定する寸法解析プログラム、及び寸法計測装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定して得た１組の結果（以下、要素測定結果と称す）を複数個結合することにより上記方向に長い構造物の寸法の測定結果（以下、結合測定結果と称す）を仮想的に構築しそのスペクトル（以下、結合スペクトルと称す）を計算し、当該結合スペクトルを複数個作成し平均することによりスペクトル（以下、平均結合スペクトルと称す）を作成する寸法解析プログラム、及び寸法計測装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体１３９上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源１３１と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源１３１からのレーザ光を感光体１３９上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体１３９上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】凹パターンと凸パターンを有する絶縁膜における凹パターンの底面を明瞭に観察する。
【解決手段】絶縁膜に形成された、ラインパターン２とスペースパターン３を有するパターン１を観察するパターン観察方法であって、パターン１に電子ビームを照射してパターン１の仮画像を取得し、この仮画像を用いてラインパターン領域４とスペースパターン領域５を算出し、ラインパターン領域４に対して正帯電条件で電子ビームを照射し、かつ、スペースパターン領域５に対して負帯電条件で電子ビームを照射することにより、ラインパターン２の上面とスペースパターン３の底面との間に、スペースパターン３の底面から放出される二次電子をパターン１の外側に引き出すための電界を形成し、その後、パターン１に電子ビームを照射して、スペースパターン３の底面の情報を有するパターン１の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡（CD-SEM）等の荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】ナノインプリント用フォトマスクをホールダに装着するためのアタッチメントを用いる。倍率ずれを求め、それを用いて、ナノインプリント用フォトマスク上のパターンの寸法の測定結果を修正する。倍率ずれは、ホールダの寸法校正用試料とナノインプリント用フォトマスクの寸法校正用試料を用いて求める。更に、倍率ずれは、ナノインプリント用フォトマスクの帯電電圧から求めてもよい。 （もっと読む）

【課題】多くの測定点数が存在するホトマスクのＣＤ検査において、再検査を実行するための再検査用レシピを的確かつ自動で生成する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料の位置座標、測定条件を含むレシピに基づいて、前記試料の自動測長を行う荷電粒子線装置であって、前記試料にＵＶまたはイオン照射のうち少なくとも１つを実行する試料前処理部と、アドレッシング、オートフォーカス、オートスティグマ、オートブライトネス、オートコントラストのうち少なくとも１つを実行する測定前処理部と、前記試料のＳＥＭ画像取得を行う検査実行部と、ｎ回目の測長に用いる前記レシピを複写し、該複写レシピから前記画像取得に成功した前記位置座標を消去し、ｎ＋１回目の検査レシピを生成するレシピ生成部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定した結果を元に得られたスペクトルと同測定条件の下で計算により求めたスペクトルとが合致するように寸法の標準偏差もしくは分散もしくは相関距離もしくは基本となるスペクトルからの変形を特徴付ける変数の内の少なくとも一つに対して適切な値を選択することによりその値を決定するプログラム、及び寸法測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】設置スペースの増加を最小限に抑えつつ、再検査の対象の物品を自動で再供給することが可能なＸ線検査装置を得る。
【解決手段】Ｘ線検査装置１は、通常検査の対象の物品５０を搬送する領域６Ｐと、再検査対象物品５０Ｑを搬送する領域６Ｑとを有するベルトコンベア６と、ベルトコンベア６が搬送している物品の検査を行う検査手段と、領域６Ｐを搬送されてきた物品５０を、検査手段による検査結果に応じて良品５０Ｐと再検査対象物品５０Ｑとに振り分ける振分部１０Ｐと、ベルトコンベア６の下方に配置され、振分部１０Ｐから受け渡された再検査対象物品５０Ｑを、ベルトコンベア６による搬送方向とは逆方向に搬送するベルトコンベア１７と、ベルトコンベア１７から受け渡された再検査対象物品５０Ｑを、ベルトコンベア６の上流部において領域６Ｑに供給する供給部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置には、評価対象である試料の外周縁部の近傍において、等電位分布の対称性が乱れて荷電粒子線が偏向する不具合がある。
【解決手段】静電吸着式の試料保持機構の内部に設置される電極板を、同心円状に配置される内側の電極板と外側の電極板との２つで構成する。外側の電極板の外径は、試料の外径よりも大きい値に形成する。更に、外側の電極板と試料との重なり面積と、内側の電極板の面積とが概略等しい大きさになるように形成する。そして、内側の電極板には、基準電圧に対して正極性の任意の電圧を印加し、外側の電極板には基準電圧に対して負極性の任意の電圧を印加する。 （もっと読む）